3D打印上作出了突出成就。中科院3D打印機(jī)CASET400 是廣州電子公司面向企業(yè)推出的國(guó)產(chǎn)工業(yè)級(jí)3D打印機(jī)，全封閉設(shè)計(jì)，能很好地控制成型室溫度，成型空間溫度保持一定的穩(wěn)定，提高打印精度； 專業(yè)
2018-08-10 17:27:37
對(duì)象與類,構(gòu)造函數(shù)與析構(gòu)函數(shù),堆與拷貝構(gòu)造函數(shù),靜態(tài)數(shù)據(jù)成員與靜態(tài)成員函數(shù)，繼承，多態(tài)與虛函數(shù)，多重繼承，友元，運(yùn)算符重載，模板，異常處理等內(nèi)容。中科院C++課件及范實(shí)例代碼(研究生應(yīng),例程特經(jīng)典)
2008-10-07 10:06:34
大多數(shù)快速成長(zhǎng)起來(lái)的新興產(chǎn)業(yè)一樣，關(guān)鍵技術(shù)儲(chǔ)備欠缺，持續(xù)競(jìng)爭(zhēng)力培育不夠，研發(fā)投入不足，創(chuàng)新能力不強(qiáng)，同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)加劇，產(chǎn)品良莠不齊……各種各樣的問(wèn)題接踵而至。 這讓中科院院長(zhǎng)白春禮深感憂慮。就在上周剛剛
2012-07-18 11:31:19
中科院計(jì)算技術(shù)研究所副所長(zhǎng)包云崗介紹了目前全球性能最高的開(kāi)源高性能RISC-V處理器核項(xiàng)目“香山”。他指出，計(jì)算技術(shù)研究所對(duì)標(biāo)ARM Cortex-A72，已于2021年成功研制出第一代“香山
2023-05-28 08:43:00
拿到一款MCU后，如何快速上手？推薦大家來(lái)看看中科院唐博士的系列博文《唐博士手把手教你玩轉(zhuǎn)飛思卡爾Kinectis MCU》（K20為例）。以下摘自博文手段：1.題外話從1983年我開(kāi)始從事Z80
2014-12-25 22:47:18
、3dmax、photoshop、dialux及辦公軟件OFFICE、WORD、EXCEL； 5、具有獨(dú)立完成項(xiàng)目設(shè)計(jì)的成功案例； 6、具有良好的團(tuán)隊(duì)協(xié)作意識(shí)，有項(xiàng)目管理經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。中科院建筑設(shè)計(jì)
2013-10-23 09:56:10
與團(tuán)隊(duì)合作精神；5. 有研發(fā)團(tuán)隊(duì)的管理工作經(jīng)歷優(yōu)先。三、福利待遇 參照中科院海西研究院（福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所）相應(yīng)規(guī)定給予薪酬等待遇，年底有項(xiàng)目獎(jiǎng)金； 符合泉州市及所屬縣（市、區(qū)）相關(guān)政策的創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新
2017-06-30 16:27:40
`中科院擁有國(guó)內(nèi)乃至國(guó)際一流的創(chuàng)新性研發(fā)機(jī)構(gòu)和科研團(tuán)隊(duì)、凝聚著全球最優(yōu)秀的科學(xué)家，實(shí)力雄厚。如今中科院深化在網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)領(lǐng)域的探索，攜手ithink公司震撼推出國(guó)內(nèi)首款內(nèi)置電池網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)——手立視Q系
2015-02-05 10:09:03
``如題 中科院清庫(kù)房的設(shè)備 另有其他一些電子元器件。有想拿去玩玩的加微信qixiong225 論壇不常上 咸魚(yú)鏈接https://2.taobao.com/item.htm?id=526428926106&spm=686.1000925.0.0.qjp7si ``
2016-02-17 16:14:49
中科院電子技術(shù)考研真題
2011-08-07 15:04:03
芯片加工，MEMS傳感器、光電子器件的研究背景或工作經(jīng)驗(yàn)；4.動(dòng)手能力強(qiáng)，善于學(xué)習(xí)溝通，吃苦耐勞，有團(tuán)隊(duì)合作精神； 5.有半導(dǎo)體相關(guān)工作2年以上工作經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先考慮； 崗位待遇：中科院蘇州納米所南昌研究院為
2017-07-12 17:19:13
的晶體管，因此基本上僅有功率型。 順便提一下，MOSFET為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫(xiě)，是場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的一種
2018-11-28 14:29:28
的縮寫(xiě)，是場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的一種。IGBT為Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫(xiě)。 Si晶體管的特征 下面就雙極晶體管、MOSFET、IGBT，匯總了
2020-06-09 07:34:33
晶體管管芯的工藝流程？光刻的工藝流程？pcb制版工藝流程？薄膜制備工藝流程？求大佬解答
2019-05-26 21:16:27
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
本帖最后由 江口kk 于 2014-8-11 20:26 編輯
Banana PI開(kāi)源項(xiàng)目與中科院先研院舉行開(kāi)源硬件介紹交流活動(dòng)LeMaker團(tuán)隊(duì)Banana Pi項(xiàng)目組日前與中國(guó)科學(xué)院深圳
2014-08-09 21:08:11
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件，設(shè)計(jì)用于在0.960-1.215 GHz瞬時(shí)帶寬上運(yùn)行的系統(tǒng)。 當(dāng)在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時(shí)以C類模式工作時(shí)，該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件，設(shè)計(jì)用于在0.960-1.215 GHz瞬時(shí)帶寬上運(yùn)行的系統(tǒng)。 當(dāng)在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時(shí)以C類模式工作時(shí)，該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 10:29:42
今日（5月6日）消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片。核心指標(biāo)方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方...
2021-07-20 06:51:04
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管，專為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20％的占空比工作，在瞬時(shí)工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
電流可以調(diào)節(jié)巨大的發(fā)射極集電極電流。II. 什么是PNP晶體管？PNP 晶體管是將一種 n 型材料與兩種 p型材料摻雜在一起的晶體管。它是一種由電流供電的設(shè)備。適量的基極電流調(diào)節(jié)了發(fā)射極和集電極電流
2023-02-03 09:44:48
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
類型。3.2 晶體管的種類及其特點(diǎn)》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管（BJT），因此有時(shí)被稱為功率BJT。特點(diǎn)：電壓高，電流大，開(kāi)關(guān)特性好，驅(qū)動(dòng)功率高，但驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜;GTR和普通雙極結(jié)型
2023-02-03 09:36:05
晶體管通道完全閉合；二維過(guò)渡金屬二硫化物受損于其比透明導(dǎo)電氧化物還低的載流子遷移率?！ ≡谛录悠?麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟，正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料：GaN。從光學(xué)角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
本文探討了鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、它們?cè)诟鞣N應(yīng)用中的用途，以及它們相對(duì)于 MOSFET 的優(yōu)缺點(diǎn)?！ ∈裁词泅捠綀?chǎng)效應(yīng)晶體管？ 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種晶體管。作為晶體管，它是一個(gè)放大器和一個(gè)
2023-02-24 15:25:29
ULN2003是什么？ULN2003的主要特點(diǎn)是什么？ULN2003達(dá)林頓晶體管集成電路有哪些應(yīng)用？怎樣去設(shè)計(jì)一種ULN2003達(dá)林頓晶體管集成電路？
2021-08-11 09:17:12
NMOS晶體管開(kāi)關(guān)。 因?yàn)榭紤]到我們?cè)谌藱C(jī)交互構(gòu)造波形時(shí)，所要求的波形具有“高使能”和“低使能”2種。所以這里展示2種NMOS開(kāi)關(guān)電路，一種生成“低使能”波形（開(kāi)關(guān)按下的時(shí)候低電平），一種生成“高使能
2016-08-30 01:01:44
。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2
2009-04-25 15:43:51
）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管
2018-11-05 17:16:04
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 編輯
場(chǎng)效應(yīng)管是一種放大器件元件，而晶體管是場(chǎng)效應(yīng)管元件它是通過(guò)改變輸入電壓來(lái)控制輸出電流的，它是電壓控制器件，它不吸收信號(hào)源電流
2012-07-11 11:36:52
晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開(kāi)關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)于低直流開(kāi)/關(guān)開(kāi)關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:04 編輯
來(lái)自普渡大學(xué)和哈佛大學(xué)的研究人員制作出一種新型晶體管，所使用的材料有望取代硅，并且采用了立體結(jié)構(gòu)，而非傳統(tǒng)的平板結(jié)構(gòu)。這種
2011-12-08 00:01:44
和二硫化鉬（MoS2）制作而成。MoS2將擔(dān)起原本半導(dǎo)體的職責(zé)，而納米碳管則負(fù)責(zé)控制邏輯門(mén)中電子的流向。眼下，這一研究還停留在初級(jí)階段，畢竟在14nm的制程下，一個(gè)模具上就有超過(guò)10億個(gè)晶體管，而要
2016-10-08 09:25:15
本文設(shè)計(jì)的晶體管圖示儀就是這樣一種新型儀器，除改善了原有儀器不足之外，還擴(kuò)展了儀器功能，具有圖形保存，數(shù)據(jù)處理，界面顯示靈活，可操作性強(qiáng)，性能價(jià)格比高等優(yōu)點(diǎn)。
2021-05-06 08:13:38
柵極的原材料，下面的絕緣體就是二氧化硅。平臺(tái)的兩側(cè)通過(guò)加入雜質(zhì)就是源極和漏極，它們的位置可以互換，兩者之間的距離就是溝道，就是這個(gè)距離決定了芯片的特性?！ ‘?dāng)然，芯片中的晶體管不僅僅只有Mos管這一種
2020-07-07 11:36:10
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，MIT 的科學(xué)家已經(jīng)研發(fā)出了一種新型晶體管，新的晶體管通過(guò)材料原子結(jié)構(gòu)中的洞孔來(lái)讓電流通過(guò)，速度是當(dāng)前晶體管的 4 倍左右。
2013-01-04 09:02:44
2916 液流電池作為一種新型的電化學(xué)儲(chǔ)能技術(shù)，是清潔能源大規(guī)模儲(chǔ)能的首選技術(shù)之一。近日，中科院大連化學(xué)物理所研發(fā)出新型的長(zhǎng)壽命、可自我恢復(fù)的鋅碘液流電池，有效解決了目前儲(chǔ)能電池存在的循環(huán)壽命短、功率密度
2018-05-31 16:02:002397 這一周，半導(dǎo)體行業(yè)重磅新聞?lì)H多，三星因成本原因考慮關(guān)閉天津工廠，聯(lián)電神奇的宣布停止12nm以下工藝研發(fā)，更有拿下2.5億C輪系列融資的“自主研發(fā)”瀏覽器紅芯被曝造假......
2018-08-18 08:38:196358 今天有多家媒體報(bào)道了中國(guó)科研人員實(shí)現(xiàn)了3nm半導(dǎo)體工藝的突破性進(jìn)展，香港《南華早報(bào)》稱中科院微電子所團(tuán)隊(duì)的殷華湘等人研究出了3nm晶體管，相當(dāng)于人類DNA鏈條寬度，這種晶體管解決了玻爾茲曼熱力學(xué)的限制。
2019-05-29 16:48:094354 目前全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝已經(jīng)進(jìn)入 7nm，下一步還要進(jìn)入 5nm、3nm 節(jié)點(diǎn)，制造難度越來(lái)越大，其中晶體管結(jié)構(gòu)的限制至關(guān)重要，未來(lái)的工藝需要新型晶體管。
2019-12-10 15:40:497156 近日，中科院對(duì)外宣布，中國(guó)科學(xué)家研發(fā)除了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項(xiàng)技術(shù)成熟后，國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”，意義重大。
2020-01-14 17:23:254168 近日，中科院對(duì)外宣布，中國(guó)科學(xué)家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項(xiàng)技術(shù)成熟后，國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”，意義重大。
2020-01-15 09:40:328864 最近中科院傳來(lái)喜訊，中國(guó)在核心電子材料技術(shù)上取得了巨大的突破，成功研發(fā)出了硅-石墨烯-鍺復(fù)合材料晶體管，這種未來(lái)芯片的核心材料讓電磁波在內(nèi)的傳播延遲被縮短1000倍。
2020-03-14 15:09:032437 據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。供應(yīng)鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET），臺(tái)積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場(chǎng)效電晶體（MBCFET）架構(gòu)。
2020-09-23 09:45:381850 
眾所周知，臺(tái)積電的2nm工藝將采用差分晶體管設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)被稱為多橋溝道場(chǎng)效應(yīng)（MBCFET）晶體管，它是對(duì)先前FinFET設(shè)計(jì)的補(bǔ)充。
2020-09-26 10:31:121384 在量產(chǎn)時(shí)間方面，外媒在報(bào)道中指出，臺(tái)積電對(duì)2nm工藝在2023年年底的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良品率達(dá)到90%非常樂(lè)觀。外媒根據(jù)目前的研發(fā)進(jìn)展推測(cè)，臺(tái)積電的2nm工藝將在2023年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2024年大規(guī)模投產(chǎn)。
2020-10-10 14:59:172368 半年大規(guī)模投產(chǎn)。 在 2nm 工藝方面，外媒稱臺(tái)積電在去年就已組建了研發(fā)團(tuán)隊(duì)，確定了 2nm 工藝的研發(fā)路線。 供應(yīng)鏈的消息人士此前透露，臺(tái)積電的 2nm 工藝將采用多橋通道場(chǎng)效晶體管 （MBCFET）架構(gòu)，這一架構(gòu)有助于克服鰭式場(chǎng)效晶體管 （FinFET）架構(gòu)因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理
2020-11-17 17:34:021416 年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2024年就能步入量產(chǎn)階段。 臺(tái)積電2nm工藝重大突破 臺(tái)積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，同時(shí)延續(xù)摩爾定律，繼續(xù)挺進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。預(yù)計(jì)，蘋(píng)果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝，此前關(guān)于摩爾定律已
2020-11-26 10:48:092546 
2020年12月，由日本工業(yè)技術(shù)研究院（AIST）和中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體研究中心（TSRI）代表的聯(lián)合研究小組宣布了用于2nm世代的Si（硅）/ Ge（硅）/ Ge層壓材料。他們同時(shí)宣布，已開(kāi)發(fā)出一種異質(zhì)互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（hCFET）。
2020-12-21 10:59:022071 ，估計(jì)在短期時(shí)間內(nèi)不會(huì)出現(xiàn)——可能要等到2nm，2nm的上市時(shí)間預(yù)測(cè)在2023/2024年。此外，解決方案需要采用不同材料，以及采用新的昂貴工藝。 在此之前，業(yè)界會(huì)繼續(xù)解決先進(jìn)芯片的一些問(wèn)題，這些芯片由晶體管、接觸孔和互連三部
2021-03-08 17:32:313014 我們說(shuō)的2nm和3nm，是從芯片的制造工藝方面來(lái)定義的。先進(jìn)的5納米工藝芯片，每個(gè)晶體管只有20個(gè)硅原子的大小，一塊芯片上，有100億到200億個(gè)的這種晶體管，一個(gè)頭發(fā)絲的截面，就有100多萬(wàn)個(gè)原件！
2022-06-22 09:19:1924549 今年五月份，IBM成功推出了2nm的測(cè)試芯片，可容納500億顆晶體管，IBM成功將500億個(gè)晶圓體容納在了指甲大小的芯片上，這標(biāo)志著 IBM 在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和工藝方面實(shí)現(xiàn)了重大突破，對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)都將有不小的幫助。
2022-06-22 09:52:381567 全球首顆2nm芯片已經(jīng)被IBM研制出來(lái)了，在這一顆指甲蓋大小面積的芯片上可以容納500億顆晶體管，芯片制程工藝的進(jìn)步必將讓半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展越來(lái)越快。接下來(lái)我們?cè)敿?xì)了解下這款2nm芯片的特性、功耗等，跟7nm芯片做個(gè)對(duì)比，看下2nm芯片與7nm芯片之間有何差距。
2022-06-22 09:52:434353 的階段。 由于我國(guó)工業(yè)起步較晚，在許多技術(shù)方面都要從其他國(guó)家地區(qū)購(gòu)入，但美國(guó)等勢(shì)力針對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體行業(yè)推出了制裁政策，因此在芯片代工、光刻機(jī)供應(yīng)等方面，中國(guó)幾乎處于孤立無(wú)援的狀態(tài)，只能靠自己研發(fā)來(lái)推動(dòng)芯片技術(shù)的發(fā)展。 晶體管是芯片
2022-06-22 10:40:5135066 均已準(zhǔn)備妥當(dāng)，那么中國(guó)能造2nm芯片嗎？前景如何？ 中科院推出的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管技術(shù)是目前最先進(jìn)的晶體管技術(shù)，現(xiàn)在主流的GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)能夠運(yùn)用在7nm以下的芯片上，目前已經(jīng)被美國(guó)禁止出口給中國(guó)，不過(guò)靠著自強(qiáng)不息的民族精
2022-06-22 14:42:1525471 據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電正在研發(fā)先進(jìn)的2nm制程工藝，在北美技術(shù)論壇上，臺(tái)積電也是首次宣布，它們的目標(biāo)是在2025年實(shí)現(xiàn)2nm芯片量產(chǎn)。
2022-06-22 16:39:011596 臺(tái)積電3nm制工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)，而臺(tái)積電首次采用納米片晶體管架構(gòu)的2nm制程工藝，將于2025年量產(chǎn)，了解到，2nm工藝將比其前身提供純性能提升。
2022-06-22 17:11:591116 據(jù)相關(guān)消息報(bào)道，現(xiàn)階段臺(tái)積電正在研發(fā)更先進(jìn)的2nm制程工藝，采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，計(jì)劃將會(huì)在 2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2022-06-23 09:15:58910 據(jù)了解，中科院攻克的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管技術(shù)要比GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)更加先進(jìn)，這種新型晶體管技術(shù)是2nm制程的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，也就是說(shuō)在2nm制程上，我國(guó)已經(jīng)成功取得了突破。
2022-06-23 09:24:541458 是在之前看到了IBM研制出2nm芯片的那條新聞。 確實(shí)，IBM已經(jīng)研制出了世界上第一顆2nm芯片。IBM公司表示，他們研制的這顆芯片中最小單元甚至要比DNA單鏈還要小，芯片內(nèi)部每平方毫米擁有者3.3億個(gè)晶體管，整個(gè)芯片大小差不多和指甲蓋一樣大，共有500億個(gè)晶體管
2022-06-23 09:51:421403 會(huì)問(wèn)了：2nm芯片是極限嗎？ 之前臺(tái)積電公布了先進(jìn)制程發(fā)展規(guī)劃圖，從圖中我們可得知，在步入3nm制程后，臺(tái)積電將繼續(xù)在3nm上研發(fā)多代制程，直到2025年才能研發(fā)出2nm制程，而去年IBM就已經(jīng)研制出2nm芯片了，從去年到2025年如此長(zhǎng)的時(shí)間里人類都在2nm及2nm之前的
2022-06-23 10:12:374233 去年IBM的2nm芯片橫空出世，并且同年傳出了中科院2nm芯片的新聞，據(jù)觀察，后續(xù)網(wǎng)上出現(xiàn)了類似“2nm芯片沒(méi)啥用”這樣的言論，那么IBM和中科院2nm芯片是什么意思呢？為什么會(huì)有人說(shuō)2nm芯片沒(méi)啥
2022-06-23 10:27:2411861 芯片達(dá)到2nm以后如何發(fā)展？IBM是第一個(gè)發(fā)布2nm芯片技術(shù)制程工藝的企業(yè)，2nm芯片電池的壽命將提升4倍，這一最新突破將使2nm芯片能夠在指甲大小的芯片上安裝多達(dá)500億個(gè)晶體管，對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體和IT行業(yè)也具有重要意義。
2022-06-24 09:33:542203 目前，IBM已開(kāi)發(fā)出全球首個(gè)2nm芯片，這種新型2nm芯片所體現(xiàn)的IBM創(chuàng)新對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體和IT行業(yè)至關(guān)重要，能夠在指甲大小的芯片上容納多達(dá)500億個(gè)晶體管，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)了重大的突破。
2022-06-24 09:52:421762 去年傳出了中科院、IBM研發(fā)2nm芯片及技術(shù)的消息，而今年臺(tái)積電和三星又相繼宣布將在2025年實(shí)現(xiàn)2nm制程芯片的量產(chǎn)，并且美國(guó)和日本也開(kāi)始聯(lián)手攻克2nm芯片相關(guān)技術(shù)，從這些消息能看出2nm芯片
2022-06-24 10:31:303662 現(xiàn)在距離2nm芯片還有很長(zhǎng)的路要走，中科院雖然成功攻克了兩項(xiàng)重要的2nm技術(shù)，但目前我國(guó)連7nm還沒(méi)搞定，因此2nm就更不要想了，近幾年都不一定能研發(fā)出來(lái)。 不過(guò)凡事也有例外，我國(guó)第一艘航母遼寧艦在2012年正式交付給海軍，當(dāng)時(shí)的遼寧艦還是采
2022-06-24 11:04:4048226 中科院2nm芯片什么時(shí)間生產(chǎn)？新型2nm芯片所體現(xiàn)的IBM創(chuàng)新對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體和IT行業(yè)至關(guān)重要，就目前情況來(lái)看，基于2nm架構(gòu)的芯片將在2025年進(jìn)入量產(chǎn)階段，在2024年的時(shí)候就將試生產(chǎn)了，然后滿足生產(chǎn)的需求，最后達(dá)到2nm芯片量產(chǎn)的階段。
2022-06-27 09:54:262461 現(xiàn)階段全球芯片行業(yè)都聚焦在了2nm工藝制程上，臺(tái)積電、IBM等芯片巨頭也都相繼宣布了2nm制程技術(shù)的相關(guān)消息。
2022-06-27 16:55:3811544 臺(tái)積電即將推出下一代先進(jìn)工藝制程2nm芯片，臺(tái)積電2nm芯片棄用FinFET鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，將于2025年開(kāi)始量產(chǎn)。
2022-06-27 18:03:471295 IBM宣布了一條可以轟炸整個(gè)科技圈的消息，成功研發(fā)出了全球首款2nm EUV工藝的半導(dǎo)體芯片。
2022-06-28 15:44:561322 IBM已成功研發(fā)出了全球首款2nm EUV工藝的半導(dǎo)體芯片。
2022-06-28 16:17:131066 在2021年5月份，IBM發(fā)布全球首個(gè)2nm制程芯片制造技術(shù)，全球首顆2nm芯片正式問(wèn)世。近期，臺(tái)積電正式宣布用于生產(chǎn)納米片晶體管架構(gòu)的2nm芯片，預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)，三星電子也已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)3nm芯片，2nm將于2025年量產(chǎn)。
2022-06-29 09:38:042826 臺(tái)積電2nm芯片什么時(shí)候研發(fā)出來(lái)的？去年五月份，美國(guó)企業(yè)IBM推出了全球首個(gè)2nm芯片制造技術(shù)，2nm芯片在市場(chǎng)掀起風(fēng)起云涌。早在去年下半年，臺(tái)積電就實(shí)現(xiàn)了5nm芯片的量產(chǎn)，而它的下一個(gè)目標(biāo)就是3nm和2nm制程。
2022-06-29 09:54:491082 隨著硅基芯片逐漸逼近物理極限，摩爾定律迎來(lái)了瓶頸，現(xiàn)在全球已經(jīng)邁向了5nm時(shí)代，等到3nm、2nm芯片登場(chǎng)之后，半導(dǎo)體市場(chǎng)就必須要尋找新的發(fā)展方向。
2022-06-29 10:57:4623207 IBM的2nm制程芯片采用的是什么技術(shù)？IBM 2nm制程芯片采用GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，晶體管密度可達(dá)5nm兩倍，每平方毫米容納3.3億個(gè)晶體管，2nm芯片將計(jì)算速度要提高45%，能源效率更是提高75%，電池續(xù)航時(shí)間提升至之前的4倍。
2022-06-29 17:43:08885 就在我們?cè)谧约貉兄菩酒貌坏竭M(jìn)展，國(guó)外的芯片被斷供的困局中，中科院傳來(lái)了一則振奮人心的消息：中科院的研究人員表示已經(jīng)突破了設(shè)計(jì)2nm芯片的瓶頸，成功地掌握了設(shè)計(jì)2nm芯片的技術(shù)，只要機(jī)器到位，就能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2022-06-30 09:27:42238076 也開(kāi)始聯(lián)手研發(fā)2nm及其相關(guān)技術(shù)。 國(guó)外都在追逐2nm工藝，國(guó)內(nèi)自然也就不能拖后腿。雖然我國(guó)芯片行業(yè)總體水平還是比較低，但是據(jù)報(bào)道，中科院已經(jīng)連續(xù)傳出了兩則關(guān)于2nm技術(shù)有關(guān)的新聞，不過(guò)論國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望成功嗎。 中科院所攻克的疊層垂直納米環(huán)柵晶體
2022-06-30 10:01:392424 近日，臺(tái)積電在北美技術(shù)論壇上首次宣布，將推出下一代先進(jìn)工藝制程2nm芯片，將采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，2nm工藝全球即將首發(fā)，臺(tái)積電公開(kāi)承諾到2025年生產(chǎn)先進(jìn)的2nm芯片。
2022-07-01 09:36:581661 臺(tái)積電在北美技術(shù)論壇上宣布推出了先進(jìn)工藝制程2nm，采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，預(yù)計(jì)在2025年的時(shí)候?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)計(jì)劃。
2022-07-01 09:41:171071 美國(guó)企業(yè)IBM正式推出2nm芯片，采用GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，使芯片體積更小，速度更快，性能大大提升。IBM 2nm芯片首次使用底部電介質(zhì)隔離技術(shù)和內(nèi)層空間干燥處理技術(shù)。
2022-07-01 13:30:133383 IBM公司研發(fā)的2nm芯片，其采用了2納米工藝制造的測(cè)試芯片可以在一塊指甲大小的芯片中容納500億個(gè)晶體管。
2022-07-01 14:27:541275 現(xiàn)在的芯片技術(shù)越來(lái)越先進(jìn)，人們常常能夠聽(tīng)到某某公司又研發(fā)出5nm、4nm芯片的消息，而目前全球所研發(fā)出的最先進(jìn)的芯片是IBM公司的2nm芯片，我們都知道芯片內(nèi)部有很多晶體管，那么2nm芯片的晶體管
2022-07-04 09:15:363936 的芯片，而2nm制程工藝所代表著芯片中晶體管內(nèi)部柵極的最小長(zhǎng)度為2nm。 芯片是一種將很多元器件集成在一塊板子上的產(chǎn)物，早期芯片體積非常大，但隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片上的電子元器件體積越來(lái)越小，芯片的體積也就越來(lái)越小了。 2010年Intel發(fā)布的芯片采用了
2022-07-04 10:08:3512810 。 成功是指IBM確確實(shí)實(shí)已經(jīng)研發(fā)出了2nm芯片，還沒(méi)成功指的是IBM雖然研發(fā)出了2nm芯片，但還沒(méi)有實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并不能真正的投入到生產(chǎn)當(dāng)中去，并且我國(guó)中科院也僅僅只是攻克了兩項(xiàng)2nm關(guān)鍵技術(shù)而已，還有很多方面的技術(shù)需要繼續(xù)研發(fā)。 雖然到現(xiàn)在為止還沒(méi)有廠商
2022-07-04 10:26:212307 IBM宣布已開(kāi)發(fā)出全球首個(gè)2nm工藝的半導(dǎo)體芯片,采用三層GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，首次使用底介電隔離通道，其潛在性能和電池續(xù)航能力都將得到巨大的提升。
2022-07-04 12:22:561068 IBM已經(jīng)突破了2nm的芯片研發(fā)技術(shù)，2nm芯片最小元件比NDA單鏈還要小，指甲蓋大小的芯片可以容納500億根晶體管，可以在不同的應(yīng)用中提升計(jì)算速度。
2022-07-04 16:15:352113 去年五月份，IBM公司領(lǐng)先全球制造出了首顆2nm制程工藝芯片，直到前幾天三星才開(kāi)始首次量產(chǎn)3nm芯片，而IBM在去年就已經(jīng)研制出了2nm芯片，如此先進(jìn)的技術(shù)自然就會(huì)有人疑惑2nm芯片一片
2022-07-05 09:16:132456 芯片性能的關(guān)鍵主要在工藝和材料上，目前傳統(tǒng)硅基芯片的開(kāi)發(fā)已經(jīng)接近極限，芯片行業(yè)急需尋找一種新的材料來(lái)替代硅，國(guó)內(nèi)同樣如此，那么中科院2nm芯片用什么材料呢？ 2021年，在我國(guó)中科院科研人員不斷的研發(fā)中發(fā)現(xiàn)，石墨烯晶圓在導(dǎo)電、散熱方
2022-07-05 10:32:423182 如今芯片領(lǐng)域，2nm制程工藝已經(jīng)成為了一個(gè)浪潮，各大芯片廠商紛紛投入了大量資金到2nm的研發(fā)當(dāng)中去，誰(shuí)能搶先完成2nm芯片的量產(chǎn)，誰(shuí)就能在芯片領(lǐng)域獲取壓倒性的優(yōu)勢(shì)，從而占據(jù)龐大的市場(chǎng)。 雖然IBM
2022-07-06 10:28:0718139 有多牛呢？2nm芯片何時(shí)量產(chǎn)呢？ 據(jù)了解，IBM所研制的這顆2nm芯片僅有人的指甲大，但是其內(nèi)部包含著高達(dá)500億個(gè)晶體管，平均每平方毫米內(nèi)包含著3.3億個(gè)晶體管，而蘋(píng)果著名的A15處理器采用了臺(tái)積電N5工藝，其內(nèi)部每平方毫米有1.7億個(gè)晶體管，這樣一對(duì)比
2022-07-06 11:28:202186 還不能進(jìn)行量產(chǎn)，但這也表現(xiàn)出了IBM技術(shù)的先進(jìn)。 據(jù)了解，美國(guó)和日本將聯(lián)手攻克先進(jìn)制程領(lǐng)域，將于2025年量產(chǎn)2nm芯片，全球芯片巨頭三星和臺(tái)積電同樣計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)2nm芯片的量產(chǎn)，除了這些半導(dǎo)體巨頭外，還有另一方勢(shì)力也在沖刺著2mn芯片的研發(fā)。
2022-07-06 15:42:051115 2021年5月，IBM接連在多個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)，率先推出測(cè)試芯片。中科院在2納米芯片工藝的承載材料上獲得了最新突破，臺(tái)積電也預(yù)計(jì)將在2024年年底和2025年進(jìn)行2nm制程的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2nm制程研究均已正式進(jìn)入開(kāi)發(fā)階段。
2022-07-07 09:44:373853 作為行業(yè)老大，臺(tái)積電稱將如期在2025年上線2nm工藝，2025年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。2nm可謂是臺(tái)積電的一個(gè)重大節(jié)點(diǎn)，該工藝將采用納米片晶體管（Nanosheet），取代FinFET，意味著臺(tái)積電工藝正式進(jìn)入GAA時(shí)代。
2023-08-07 16:22:53457 2nm芯片是什么意思 2nm芯片指的是采用了2nm制程工藝所制造出來(lái)的芯片，制程工藝的節(jié)點(diǎn)尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達(dá)到2納米級(jí)別。 更小的節(jié)點(diǎn)尺寸
2023-10-19 16:59:161959 N2，也就是2nm，將采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 2nm芯片是指采用了2nm制程工藝所制造出來(lái)的芯片，制程工藝的節(jié)點(diǎn)尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達(dá)到2納米級(jí)別。 2nm芯片手機(jī)
2023-10-19 17:06:18800
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