日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610 (潮光光耦網(wǎng)整理編輯)2012-04-03 變頻器的HCPL-316J特性 HCPL-316J是由Agilent公司生產(chǎn)的一種IGBT門極驅(qū)動(dòng)光耦合器，其內(nèi)部集成集電極發(fā)射極電壓欠飽和檢測電路
2012-07-06 16:28:56
TLP250包含一個(gè)GaA1As光發(fā)射二極管和一個(gè)集成光探測器，是8腳雙列封裝，適合于IGBT或功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路。TLP250的管腳如圖1所示，管腳接線方法如表1所示。---TLP250驅(qū)動(dòng)
2012-06-14 20:30:08
等應(yīng)與其高速開關(guān)特性相匹配，另外，在未采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施情況下，IGBT的G～E極之間不能為開路。 驅(qū)動(dòng)電路分類 驅(qū)動(dòng)電路分為：分立插腳式元件的驅(qū)動(dòng)電路；光耦驅(qū)動(dòng)電路；厚膜驅(qū)動(dòng)電路；專用集成
2012-09-09 12:22:07
損壞器件之前，將IGBT關(guān)斷來避免開關(guān)管的損壞?！ ? IGBT的驅(qū)動(dòng)和過流保護(hù)電路分析 根據(jù)以上的分析．本設(shè)計(jì)提出了一個(gè)具有過流保護(hù)功能的光耦隔離的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，如圖2。圖2 IGBT驅(qū)動(dòng)和過流
2012-07-18 14:54:31
IGBT5 的開關(guān)速度，穩(wěn)壓二極管 VS1 、 VS2 的作用是限制加在 IGBT5g-e 端的電壓，避免過高的柵射電壓擊穿柵極。柵射電壓一般不應(yīng)超過 20 V ?！ ?b class="flag-6" style="color: red">光耦驅(qū)動(dòng)電路 說明：由于 IGBT
2021-01-20 16:16:27
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
Ciss。計(jì)算所得的IGBT導(dǎo)通柵極驅(qū)動(dòng)阻抗為100Ω，該值比前面的37Ω高，表明IGBT GFS較高，而CIES較低。這里的關(guān)鍵之處在于，為了從MOSFET轉(zhuǎn)換到IGBT，必須對柵極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行調(diào)節(jié)
2018-08-27 20:50:45
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動(dòng)方式
2021-03-29 07:29:27
阻抗將提高IGBT或MOSFET的導(dǎo)通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI需要折中，因?yàn)檩^高的di/dt會導(dǎo)致電壓尖脈沖、輻射和傳導(dǎo)EMI增加。為選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)阻抗以滿足導(dǎo)通di/dt
2021-06-16 09:21:55
IGBT組合封裝在一起?！ 〕诉x擇正確的二極管外，設(shè)計(jì)人員還能夠通過調(diào)節(jié)柵極驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通源阻抗來控制Eon損耗。降低驅(qū)動(dòng)源阻抗將提高IGBT或MOSFET的導(dǎo)通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI
2020-06-28 15:16:35
光耦端的控制電流與功率管輸出驅(qū)動(dòng)電流之比是用什么指標(biāo)表示，其最大值是多少？(潮光光耦網(wǎng)整理編輯)2012-07-10 潮光光耦網(wǎng)解答：全部柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器都沒有CTR的放大特性。雖然所有柵極驅(qū)動(dòng)光
2012-07-11 11:40:09
和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對于器件的源極/發(fā)射極而言）。使用專門驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。本文討論柵極驅(qū)動(dòng)器是什么，為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。
2021-01-27 07:59:24
驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。需要柵極驅(qū)動(dòng)器IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng)
2021-07-09 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
新型ACPL-302J是一款智能柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器，可改善隔離電源并簡化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。ACPL-302J具有用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的集成反激式控制器和全套故障安全IGBT診斷，保護(hù)和故障報(bào)告功能
2018-08-18 12:05:14
穩(wěn)定增長態(tài)勢。與此同時(shí)，為了滿足智能化和變頻化，家電對 MCU 提出了新的要求。尤其需要 MCU 集成觸摸控制、屏幕顯示等模塊，集成度更高。過去，最傳統(tǒng)、最成熟的驅(qū)動(dòng)方案就是控制器、柵極驅(qū)動(dòng)、功率級這三部
2022-06-02 18:50:38
ADI最新推出設(shè)計(jì)用于LTE(長期演進(jìn))和第四代(4G)蜂窩基站的高集成度RF IC(射頻集成電路)系列。LTE是UMTS(通用移動(dòng)電信系統(tǒng))標(biāo)準(zhǔn)的增強(qiáng)版，它被視為邁向蜂窩網(wǎng)絡(luò)中第四代射頻技術(shù)的終極階段。
2019-09-30 07:18:19
高集成度RF收發(fā)器SX1231的主要特性及應(yīng)用有哪些？
2021-04-19 08:01:40
高集成度國標(biāo)ETC射頻收發(fā)器應(yīng)用系統(tǒng)，不看肯定后悔
2021-05-19 06:01:23
全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商，最新推出兩款高集成度慣性傳感器，擴(kuò)展了iSensor? 智能傳感器產(chǎn)品系列。這兩款產(chǎn)品極大地簡化了在惡劣工業(yè)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)嵌入式?jīng)_擊和震動(dòng)感應(yīng)的復(fù)雜任務(wù)。
2019-09-02 08:19:54
打入工業(yè)和醫(yī)療市場的高集成度電源 IC
2019-09-20 11:01:07
應(yīng)用需求，方便客戶應(yīng)用于可穿戴設(shè)備等；集成度高，便于客戶應(yīng)用。如有需求，請聯(lián)系。聯(lián)系電話：0512-86867301
2016-06-06 16:23:14
功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢。 MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上
2022-06-28 10:26:31
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
二十年穩(wěn)居全球第一位。 夏普專用于IGBT、MOSFET的驅(qū)動(dòng)光耦采用了先進(jìn)的工藝技術(shù)，具有絕緣電壓高、穩(wěn)定性好、抗干擾能力強(qiáng)、共模抑制比CMR高等卓越的性能。多年來，在日本安川、三菱、富士、東芝等國際
2012-12-08 10:46:04
本文主要是對SX1276/77/78系列低功耗、高集成度收發(fā)器的功能進(jìn)行概要敘述。
2021-05-17 06:17:11
，降低了88%。還有重要的一點(diǎn)是IGBT的尾電流隨溫度升高而增加。順便提一下，SiC-MOSFET的高速驅(qū)動(dòng)需要適當(dāng)調(diào)整外置的柵極電阻Rg。這在前文“與Si-MOSFET的區(qū)別”中也提到過。與IGBT
2018-12-03 14:29:26
MOSFET驅(qū)動(dòng)器采用專有的硅隔離技術(shù)，可為UL1577和VDE0884提供高達(dá)2.5 kVRMS的耐壓。該技術(shù)可以減少溫度和老化時(shí)的變化，更好的零件匹配和極高的可靠性。高集成度，低傳播延遲，小尺寸
2020-06-08 12:07:42
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項(xiàng)，而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，該信息也非常有用。“柵極誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
光耦驅(qū)動(dòng)IGBT，PWM信號是單片機(jī)輸入的0和3.3伏。這個(gè)IGBT門極驅(qū)動(dòng)電壓是10-15伏，我看它的數(shù)據(jù)手冊上的測試參數(shù)就用的22Ω的門極電阻。但是光耦燒壞了。數(shù)據(jù)手冊上寫著光耦供電電流是最大
2019-12-28 23:04:20
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:43 編輯
TLP250,TLP350,HCPL3120,FOD3120等低成本IGBT驅(qū)動(dòng)光耦，在 一 般 較 低 性 能 的 三 相
2012-12-12 11:20:44
應(yīng)用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級的高工作電壓范圍提供了柵極控制設(shè)備所需的驅(qū)動(dòng)電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅(qū)動(dòng)額定功率高達(dá)800 V / 50 A的IGBT。對于
2019-10-30 15:23:17
) 和 GFS可以通過IGBT的轉(zhuǎn)換特性曲線來確定，并應(yīng)用VGE(avg)下的CIES值代替Ciss。計(jì)算所得的IGBT導(dǎo)通柵極驅(qū)動(dòng)阻抗為100Ω，該值比前面的37Ω高，表明IGBT GFS較高，而CIES
2017-04-15 15:48:51
。計(jì)算所得的IGBT導(dǎo)通柵極驅(qū)動(dòng)阻抗為100Ω，該值比前面的37Ω高，表明IGBT GFS較高，而CIES較低。這里的關(guān)鍵之處在于，為了從MOSFET轉(zhuǎn)換到IGBT，必須對柵極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行調(diào)節(jié)。傳導(dǎo)損耗
2019-03-06 06:30:00
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
如圖所示，為什么光耦驅(qū)動(dòng)MOSFET經(jīng)常被燒壞？
2018-12-25 16:04:01
。 FOD8332引腳與現(xiàn)有解決方案兼容，由集成柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器和低RDS CMOS晶體管組成，用于驅(qū)動(dòng)IGBT的軌到軌和高速隔離反饋電路，用于故障檢測。它非常適合驅(qū)動(dòng)快速開關(guān)功率IGBT和MOSFET
2019-04-30 09:06:13
。 FOD8333引腳與現(xiàn)有解決方案兼容，由集成柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器和低RDS CMOS晶體管組成，用于驅(qū)動(dòng)IGBT的軌到軌和高速隔離反饋電路，用于故障檢測。它非常適合驅(qū)動(dòng)快速開關(guān)功率IGBT和MOSFET
2019-04-28 10:36:39
想問，本來打算用STM32IO口驅(qū)動(dòng)光耦，然后光耦輸出端集電極接電壓，控制PMOS管導(dǎo)通。但是發(fā)現(xiàn)很多光耦，都有（需要）10-20V的電源電壓。光耦不是電流驅(qū)動(dòng)就行了嗎。電流如果在其導(dǎo)通發(fā)光二極管范圍內(nèi)，是不是就可以導(dǎo)通，不必看電壓大小了。
2018-05-08 09:52:29
腳的電流（1腳：電壓反饋引腳，通過連接光耦到地來調(diào)整占控比）。根據(jù)電流的大小，led電源驅(qū)動(dòng)芯片（開關(guān)電源芯片）就會自動(dòng)調(diào)整輸出信號的占空比，達(dá)到穩(wěn)壓的目的?！ ∫陨闲酒且豢?b class="flag-6" style="color: red">高集成度、高性能
2012-12-07 13:59:26
分享一種高集成度的車載AM/FM接收器方案
2021-05-17 06:39:57
友恩半導(dǎo)體開關(guān)電源芯片基于高低壓集成技術(shù)平臺進(jìn)行技術(shù)升級，未來三年將持續(xù)開發(fā)高功率、低功耗、高集成度等產(chǎn)品，公司在研項(xiàng)目正穩(wěn)步推進(jìn)：公司處于驗(yàn)證完成逐步批量生產(chǎn)階段的在研項(xiàng)目技術(shù)水平較高；例如
2020-10-30 09:39:44
電路分為：分立插腳式元件的驅(qū)動(dòng)電路；光耦驅(qū)動(dòng)電路；厚膜驅(qū)動(dòng)電路；專用集成塊驅(qū)動(dòng)電路。本文設(shè)計(jì)的電路采用的是光耦驅(qū)動(dòng)電路。IGBT驅(qū)動(dòng)電路分析 隨著微處理技術(shù)的發(fā)展(包括處理器、系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和存儲器
2012-06-11 17:24:30
隨著無線寬帶系統(tǒng)的頻率帶寬越來越寬，基站性能的要求也越來越高。低噪放，作為基站塔放中的關(guān)鍵器件之一，它不僅影響基站的覆蓋范圍，而且也決定了其他鄰近基站的發(fā)射功率和雜散要求。安華高的高集成度低噪放
2019-07-30 06:18:48
基站對高集成度低噪放的要求是什么？
2021-05-21 07:05:31
這是我設(shè)計(jì)的一個(gè)單片機(jī)驅(qū)動(dòng)光耦控制電機(jī)轉(zhuǎn)停的電路，大家看下電路設(shè)計(jì)對嗎？單片機(jī)在光耦驅(qū)動(dòng)位拉高引腳，輸出24V，fds9958是P型MOSFET，fds9945是n型MOSFET，fds9958 S
2018-04-24 13:09:52
新突破。核心技術(shù)優(yōu)勢：單顆無線充IC，高集成度，相容性強(qiáng)；無線方案電路簡單可靠，BOM成本低；支持多種通信協(xié)定：QC2.0/PD3.0/UFCS；多通道的電壓電流解調(diào)，解調(diào)能力強(qiáng)；支持驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)；支持
2023-02-14 15:36:04
IGBT和SiC MOSFET的電壓源驅(qū)動(dòng)和電流源驅(qū)動(dòng)的dv/dt比較。VSD中的柵極電阻表示為Rg，控制CSD柵極電流的等效電阻表示為R奧特雷夫。 從圖中可以明顯看出，在較慢的開關(guān)速度（dv/dt
2023-02-21 16:36:47
器，能夠在 MOSFET 關(guān)斷狀態(tài)下為柵極提供負(fù)電壓、高充電/放電脈沖電流，并且足夠快以在納秒范圍內(nèi)操作柵極。IC IX6611是一款智能高速柵極驅(qū)動(dòng)器，可輕松用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET以及標(biāo)準(zhǔn)
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
如何采用FPGA提高廣播應(yīng)用的集成度？
2021-04-29 06:04:54
導(dǎo)讀：日前，業(yè)內(nèi)高性能硅方案的領(lǐng)先供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體開發(fā)出7款高集成度的三相智能功率模塊（IPM），此7款I(lǐng)PM所具備的高集成度特性能夠在提升白家電控制電路能效的同時(shí)并降低噪聲。 安森美的7款
2018-09-27 15:30:00
描述 PMP9461 是適合并網(wǎng)太陽能微型逆變器的參考設(shè)計(jì)，有完整的功率和柵極驅(qū)動(dòng)器要求。此參考設(shè)計(jì)的主要目標(biāo)是在柵極驅(qū)動(dòng)器以及微型逆變器的偏置電源段實(shí)現(xiàn)集成度和性能的顯著增強(qiáng)。此解決方案具有
2018-09-10 09:20:30
ADuM140x(CMTI為100 kV/μs)總而言之，對于隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用，事實(shí)表明，相對于基于光耦合器和脈沖變壓器的設(shè)計(jì)，基于變壓器的數(shù)字隔離器具有眾多優(yōu)勢。通過集成極大降低了解決方案尺寸和設(shè)計(jì)復(fù)雜度，時(shí)序性能大大改善。通過電流隔離輸出驅(qū)動(dòng)器和更高的CMTI進(jìn)一步提高了魯棒性。
2018-10-16 16:00:23
展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力?！ 〔捎霉怦詈掀鞲綦x的基本半橋驅(qū)動(dòng)器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制
2018-09-26 09:57:10
潮光光耦網(wǎng)特別提醒，以下型號高性價(jià)比選型或替代小貼片高速光耦TLP719，高隔離度電壓（5000V耐壓）, 高CMR ，速度達(dá)到1M，潮光光耦網(wǎng)新到6000PCS！IGBT驅(qū)動(dòng)光耦 TLP250(F
2012-08-21 16:13:08
方案名稱：LED車燈驅(qū)動(dòng)IC方案，高集成度做遠(yuǎn)近光，高低亮品牌：AP自主研發(fā)AP5170LED車燈驅(qū)動(dòng)方案優(yōu)點(diǎn)AP5170車燈驅(qū)動(dòng)方案高效率95%穩(wěn)定可靠，內(nèi)置溫度保護(hù)，短路保護(hù)功能，其工作頻率可達(dá)
2019-06-24 14:32:26
控制電路和一個(gè)并聯(lián)穩(wěn)壓器，并且加入了有源ZVS控制和開燈檢測功能。作為同類解決方案中集成度最高的器件，F(xiàn)AN7710可協(xié)助設(shè)計(jì)人員減少元件數(shù)以簡化設(shè)計(jì)。FAN7710的高功能性和內(nèi)置保護(hù)特性可節(jié)省
2018-08-28 15:28:41
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
5的開關(guān)速度，穩(wěn)壓二極管VS1、VS2的作用是限制加在IGBT5g-e端的電壓，避免過高的柵射電壓擊穿柵極。柵射電壓一般不應(yīng)超過20 V。2.2光耦隔離驅(qū)動(dòng)電路 光耦隔離驅(qū)動(dòng)電路如圖3所示。由于
2016-10-15 22:47:06
上并聯(lián)的二極管為加速二極管，用以提高IGBT5的開關(guān)速度，穩(wěn)壓二極管VS1、VS2的作用是限制加在IGBT5g-e端的電壓，避免過高的柵射電壓擊穿柵極。柵射電壓一般不應(yīng)超過20 V。2.2光耦隔離驅(qū)動(dòng)
2016-11-28 23:45:03
FOD8316是仙童推出的一款智能式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器。FOD8316基本特性在傳統(tǒng)的IGBT驅(qū)動(dòng)器上增加了保護(hù)電路?？删幊坦收蟼鞲腥ワ柡蜋z測IGBT軟斷開欠壓鎖定輸出電壓軌到軌擺動(dòng):低功耗
2013-06-07 16:34:06
的魯棒性。雖然圖騰柱電路是作為一種成熟解決方案已流行多年，但現(xiàn)代和未來的系統(tǒng)需要更高的集成度和更高的性能。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，柵極驅(qū)動(dòng)器IC的成本已可與分立電路相比，這使得IC解決方案對于大多數(shù)
2017-08-21 14:33:56
。 雖然圖騰柱電路是作為一種成熟解決方案已流行多年，但現(xiàn)代和未來的系統(tǒng)需要更高的集成度和更高的性能。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，柵極驅(qū)動(dòng)器IC的成本已可與分立電路相比，這使得IC解決方案對于大多數(shù)應(yīng)用而言更具吸引力和可行性。
2017-04-01 15:22:24
，和MOSFET一樣，IGBT有一個(gè)柵極來控制該通路。作為雙極型器件，在標(biāo)準(zhǔn)的MOS IC工藝基礎(chǔ)上來制作IGBT是非常困難的;因此，IGBT一般是分立器件。IGBT同時(shí)具備了場效應(yīng)管（FET）簡單柵極驅(qū)動(dòng)
2016-01-27 17:22:21
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
研討會介紹了為何光耦柵極驅(qū)動(dòng)器能被廣泛的接受和使用，這不僅是因其所具有的高輸出電流驅(qū)動(dòng)能力，及開關(guān)速度快等長處之外，更重要的，它也具有保護(hù)功率器件的所需功能。這些功率器件的保護(hù)功能包括欠壓鎖定(UVLO
2018-11-05 15:38:56
驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間
2018-10-25 10:22:56
器是什么，為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。需要柵極驅(qū)動(dòng)器IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極和源極/發(fā)射極之間形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導(dǎo)
2018-11-01 11:35:35
摘要：IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MoSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能特點(diǎn)和參數(shù)限制，同時(shí)剖析了它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理，最后給出了
2010-05-05 09:03:46
56 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT 應(yīng)用中的關(guān)鍵問題。本文闡明構(gòu)成IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)電路的注意事項(xiàng)，基本電路參數(shù)的選擇原則，還介紹丁幾種驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例。
2010-08-31 16:33:41213 單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
東芝新推出一系列采用小型SO8封裝的IC光電耦合器TLP2451是一款使用圖騰柱輸出的IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器
2012-03-13 11:08:413462 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 FD6287 是一款集成了三個(gè)獨(dú)立的半橋柵極驅(qū)動(dòng)集成電路芯片，專為高壓、高速驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 設(shè)計(jì)，可在高達(dá)+250V 電壓下工作。
2019-01-18 08:00:00203 熟練掌握高壓MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
2019-05-07 06:34:002054 
通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替
2019-07-03 16:26:554307 
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路必須具備兩種功能：一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT柵極的電位隔離；二是提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖。實(shí)現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器及光耦合器。
2019-10-07 14:26:0012785 
不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設(shè)計(jì)人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值，從而開始驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)?；?b class="flag-6" style="color: red">柵極對源電容的RC值通常會導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)嚴(yán)重不足。雖然柵極對源電容是一個(gè)重要
2020-03-09 08:00:0024 中的功率消耗或損耗、發(fā)送到功率半導(dǎo)體開關(guān) (IGBT/MOSFET) 的功率以及驅(qū)動(dòng)器 IC 和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件（例如外部柵極電阻器兩端）的功率損耗。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。本
2021-06-14 03:51:003144 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 MOSFET及
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的引腳排列內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用
技術(shù)。書中不但給出多種以這些驅(qū)動(dòng)器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動(dòng)控制板的應(yīng)用實(shí)例而且對這些具
2022-08-13 09:21:390 柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0017 驅(qū)動(dòng)光耦產(chǎn)品線，近期新增一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦 TLP5222 。它是一款可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC，內(nèi)置保護(hù)操作自動(dòng)恢復(fù)的功能。該器件主要用來實(shí)現(xiàn)逆變器、交流伺服器，光伏逆變器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個(gè)PN結(jié)組成的集成
2023-10-19 17:08:14622 IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，關(guān)鍵元件該怎么選？
2023-11-30 18:02:38294 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224
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