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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>碳化硅器件“上車”加快,800V高壓平臺(tái)蓄勢(shì)待發(fā)

碳化硅器件“上車”加快,800V高壓平臺(tái)蓄勢(shì)待發(fā)

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,使器件可工作在更高的開關(guān)頻率;同時(shí),碳化硅材料更高的熱導(dǎo)率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關(guān)速度快、損耗低等特性,使電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向
2022-11-12 10:01:261315

碳化硅器件介紹與仿真

本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
2023-11-27 17:48:06642

新能源汽車向800V高壓平臺(tái)轉(zhuǎn)換對(duì)電子元器件產(chǎn)品的影響

了一個(gè)熱議的話題,不少車企已經(jīng)推出,或即將推出800V平臺(tái)的新能源汽車。 ? 800V高壓平臺(tái)儼然成為了一個(gè)發(fā)展趨勢(shì),那么升級(jí)800V高壓平臺(tái)后,汽車上的電子元器件產(chǎn)品需要有哪些改變呢?據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì),升級(jí)800V后,電機(jī)、功率半導(dǎo)體、保險(xiǎn)
2022-08-02 09:31:243461

1200V/10A碳化硅肖特基二極管

Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49

1200V碳化硅MOSFET系列選型

。尤其在高壓工作環(huán)境下,依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩(wěn)定性,也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?! ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?!   ?200V碳化硅MOSFET系列選型    
2020-09-24 16:23:17

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

  碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14

8KW碳化硅全橋LLC解決方案

的DC/DC變換器的設(shè)計(jì)帶來極大的挑戰(zhàn)?! ∈紫仁?b class="flag-6" style="color: red">器件的選擇,800V的母線電壓,要求DC/DC的MOSFET的額定電壓至少需要1000V,而在這個(gè)電壓等級(jí)下的MOS管選擇非常有限。所以,目前大多數(shù)方案
2018-10-17 16:55:50

800V高壓電氣系統(tǒng)如何設(shè)計(jì)

800V高壓電氣系統(tǒng)如何設(shè)計(jì)
2021-03-11 06:04:56

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗?! 〉栊ぬ鼗O管也有兩個(gè)缺點(diǎn),一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。  二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了

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2015-06-01 15:38:39

碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管?

應(yīng)用,處理此類應(yīng)用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡(jiǎn)稱SiC已被證明是一種材料,可以用來構(gòu)建類似MOSFET的組件,使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今,SiC受到了很多關(guān)注,不僅因?yàn)樗?/div>
2023-02-24 15:03:59

碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

具有明顯的優(yōu)勢(shì)。UnitedSiC的1200V和650V器件除了導(dǎo)通電阻低,還利用了低內(nèi)感和熱阻的SiC性能?! ?200V和650V第三代器件的導(dǎo)通電阻值比較  Anup Bhalla說,碳化硅的優(yōu)點(diǎn)
2023-02-27 14:28:47

碳化硅二極管選型表

反向恢復(fù)電流,其關(guān)斷過程很快,開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高,可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域,由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23

碳化硅功率器件可靠性之芯片研發(fā)及封裝篇

,封裝也是影響產(chǎn)品可靠性的重要因素?;景雽?dǎo)體碳化硅分立器件采用AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試。目前碳化硅二級(jí)管產(chǎn)品已通過AEC-Q101測(cè)試,工業(yè)級(jí)1200V碳化硅MOSFET也在進(jìn)行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

。碳化硅壓敏電阻的主要特點(diǎn)自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境??膳渲脼閱蝹€(gè)或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級(jí)。100% 活性材料??芍貜?fù)的非線性特性。耐高壓?;旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個(gè)
2024-03-08 08:37:49

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

電子設(shè)備的能耗,因此碳化硅器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源器件”。各類電機(jī)系統(tǒng)在高壓應(yīng)用領(lǐng)域,使用碳化硅陶瓷基板的半導(dǎo)體碳化硅功率器件,功耗降低效果明顯,設(shè)備的發(fā)熱量大幅減少,同時(shí)可減少最高
2021-01-12 11:48:45

碳化硅深層的特性

碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán),淺綠等色,少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光,無
2019-07-04 04:20:22

碳化硅混合分立器件 IGBT

和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案,可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET,這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間,能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用,如汽車制動(dòng)器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備,如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

,熱導(dǎo)率是硅材料的3倍,電子飽和漂移速率是硅的2倍,臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)更是硅的10倍。材料特性對(duì)比如圖(1)所示。  圖(1) 4H型碳化硅與硅基材料特性對(duì)比  在硅基半導(dǎo)體器件性能已經(jīng)進(jìn)入瓶頸期時(shí),碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性,開始受到人們的關(guān)注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學(xué)家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來,直到
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11

SiC大規(guī)模上車,三原因成加速上車“推手”

越來越多的車企量產(chǎn)800V高壓平臺(tái)方案,SiC功率半導(dǎo)體也成為必然選擇.800V高壓平臺(tái)的落地,對(duì)于SiC器件而言更多起到錦上添花的作用。電動(dòng)汽車是SiC最大的應(yīng)用市場(chǎng),雖然SiC還存在材料缺陷、價(jià)格較高
2022-12-27 15:05:47

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求?! ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品,基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

項(xiàng)目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04

為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡(jiǎn)稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體,其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

從硅過渡到碳化硅,MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比

近年來,因?yàn)樾履茉雌嚒⒐夥皟?chǔ)能、各種電源應(yīng)用等下游市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng),碳化硅功率器件取得了長(zhǎng)足發(fā)展。更快的開關(guān)速度,更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低,效率提升,體積減小,從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度
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傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

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2021-09-23 15:02:11

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,獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資,創(chuàng)能動(dòng)力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊,并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中,可實(shí)現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度,實(shí)現(xiàn)雙倍的功率密度,更小
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2023-02-20 16:29:54

嘉和半導(dǎo)體(GaN)氮化鎵&碳化硅器件

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2022-03-23 17:06:51

圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

, Rgon=Rgoff=10Ω, VGE=15V/0V, L=200uH  圖12 傳統(tǒng)IGBT及混合碳化硅分立器件開關(guān)損耗參數(shù)對(duì)比  如圖12所示,碳化硅肖特基二極管對(duì)IGBT的損耗和二極管反向恢復(fù)損耗
2023-02-28 16:48:24

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開關(guān)電源(SMPS)的設(shè)計(jì)要求。650V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管器件在推出之后,可以補(bǔ)充之前只有1200V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)器件設(shè)計(jì)需求,碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(SiC MOSFET)由于能夠?qū)崿F(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02

基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換器方案研究

得到更低柵極開關(guān)驅(qū)動(dòng)損耗(圖1).碳化硅MOSFET寄生體二極管具有極小的反向恢復(fù)時(shí)間trr和反向恢復(fù)電荷Qrr。如圖所示,同一額定電流900V器件碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷只有同等
2016-08-05 14:32:43

如何用碳化硅(SiC)MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路

對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31

歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢(shì)性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)
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新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

新能源汽車市場(chǎng)火爆,碳化硅電路板事態(tài)也瘋狂

12V電氣系統(tǒng),難以供應(yīng)較多的大功率設(shè)備,而新能源電車的電力平臺(tái)可支撐更多的智能設(shè)備載荷,但同時(shí)對(duì)散熱要求就高。 因此,碳化硅封裝基板就是很好的選擇,因?yàn)樗谐叩臒釋?dǎo)率,能及時(shí)散去電源系統(tǒng)中的高熱量
2020-12-09 14:15:07

淺析碳化硅器件在車載充電機(jī)OBC上的應(yīng)用

碳化硅功率器件。  而作為車載產(chǎn)品,且承擔(dān)的是充電這一功率變換部分,整車廠對(duì)于產(chǎn)品中元器件使用的要求,也相應(yīng)提高。為了更好的滿足這樣的要求提升,車規(guī)級(jí)器件則成了首選。泰科天潤(rùn)作為中國(guó)碳化硅(SiC
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  硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面,具體如下
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被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

好,硬度大(莫氏硬度為9.5級(jí),僅次于世界上最硬的金剛石(10級(jí)))、導(dǎo)熱性能優(yōu)良、高溫抗氧化能力強(qiáng)等。由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。二、碳化硅半導(dǎo)體器件由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅
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越長(zhǎng),損失的功率就越多。圖 2:MOSFET 導(dǎo)通特性和米勒高原當(dāng)碳化硅MOSFET開關(guān)時(shí),柵源電壓(V 一般事務(wù)人員 ) 通過門到源閾值 (V 總金 ),鉗位在米勒平臺(tái)電壓(V PLT ),并且停留在
2022-11-02 12:02:05

107 應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!

器件碳化硅
車同軌,書同文,行同倫發(fā)布于 2022-08-04 15:48:57

碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來 #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛好者

工業(yè)控制碳化硅
Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

全新的Ryzen平臺(tái)蓄勢(shì)待發(fā)

在本次CES上,除了英特爾全新酷睿平臺(tái)的發(fā)布,AMD全新的Ryzen平臺(tái)也來勢(shì)洶洶,技嘉AORUS為首的高端電競(jìng)主板蓄勢(shì)待發(fā),全新的X370、B350芯片組也與大家見面。AMD4新接口主板、散熱器、整機(jī)平臺(tái)都已經(jīng)準(zhǔn)備就緒,AMD Ryzen處理器也將定于今年1季度上市。
2017-01-17 15:55:22569

RISC-V蓄勢(shì)待發(fā) 將會(huì)在明年爆發(fā)嗎?

RISC-V蓄勢(shì)待發(fā),將會(huì)在明年爆發(fā)嗎?
2020-02-25 16:40:132021

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響

前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405267

800V推快充如何解決電動(dòng)車核心問題

800V高壓平臺(tái)儼然成為了一個(gè)發(fā)展趨勢(shì),那么升級(jí)800V高壓平臺(tái)后,汽車上的電子元器件產(chǎn)品需要有哪些改變呢?據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì),升級(jí)800V后,電機(jī)、功率半導(dǎo)體、保險(xiǎn)絲、連接器,以及高壓線束方面都會(huì)有一定的影響。接下來讓我們逐個(gè)看看。
2022-08-02 09:17:441507

國(guó)內(nèi)碳化硅情況介紹

比亞迪作為國(guó)內(nèi)車企,在車上用碳化硅已經(jīng)有差不多5、6 年的歷史,最早是在車載的OBC上用,后面是在車載彈簧、車載電控上面用,目前國(guó)內(nèi)在碳化硅車型上,我們用的碳化硅的量是國(guó)內(nèi)最多的,去年算上車載電控
2022-08-26 09:15:131695

?碳化硅器件如何助力新能源汽車800V快速發(fā)展

新能源汽車800V時(shí)代的超強(qiáng)風(fēng)口到來 碳化硅器件市場(chǎng)需求上量“雙碳”成為各個(gè)國(guó)家的主要發(fā)展戰(zhàn)略,新能源汽車的節(jié)能減排成為落實(shí)“雙碳”的主要抓手之一,因此,“雙碳”戰(zhàn)略的實(shí)施有力推進(jìn)新能源汽車的加速發(fā)展。
2022-09-02 09:48:381223

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191

如何加快碳化硅功率器件上車

據(jù)柏松介紹,中國(guó)電子科技集團(tuán)2021年已經(jīng)量產(chǎn)車載充電器用的碳化硅功率器件,2022年第二代產(chǎn)品的裝車量超過100萬臺(tái)。
2023-02-15 13:48:45133

碳化硅模塊上車高濕測(cè)試

碳化硅模塊上車高濕測(cè)試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導(dǎo)體 、派恩杰、中車時(shí)代電氣、基本半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件供應(yīng)商的產(chǎn)品批量應(yīng)用在汽車上,浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項(xiàng)目開始
2023-02-21 09:26:452

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

什么是碳化硅器件

SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。 在眾多半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:564079

碳化硅功率器件在充電樁中的應(yīng)用有哪些?

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53465

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn),廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽能、電動(dòng)汽車等。
2023-06-02 14:10:32747

碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有許多優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092319

淺談碳化硅功率器件的封裝技術(shù)

材料。碳化硅器件相較于硅基器件,具有優(yōu)越的電氣性能,如耐高壓、耐高溫和低損耗。隨著新能源汽車滲透率不斷提升,疊加800V高壓平臺(tái)的逐步實(shí)現(xiàn),SiC器件市場(chǎng)將高速增長(zhǎng)。
2023-06-28 11:19:14565

碳化硅(SiC)和通往800 V電動(dòng)汽車的道路

 電動(dòng)汽車(EV)電池系統(tǒng)從400V到800V的轉(zhuǎn)變使碳化硅(SiC)半導(dǎo)體在牽引逆變器、車載充電器(OBC)和DC/DC轉(zhuǎn)換器中脫穎而出。
2023-07-25 09:50:15418

碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)有哪些呢?

碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
2023-08-03 14:34:59347

碳化硅的性能和應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件碳化硅功率器件。受益于5G通信、國(guó)防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221042

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術(shù)

碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-27 10:08:55300

【洞見芯趨勢(shì)】汽車補(bǔ)能之爭(zhēng),800V高壓快充即將普及?

鋼鐵大大說 800V快充技術(shù)正逐步向更低價(jià)位車型滲透,隨著快充電池和碳化硅技術(shù)產(chǎn)能的增長(zhǎng),未來800V快充配置或?qū)⒊蔀榧冸妱?dòng)車的標(biāo)配! 如何高效補(bǔ)能,一直是新能源汽車發(fā)展的主要挑戰(zhàn)。在新能源汽車高速
2023-09-28 18:05:08851

碳化硅功率器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件,具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)。
2023-09-28 18:19:571220

碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體,用于制造電動(dòng)汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件
2023-10-17 09:43:16169

碳化硅器件的生產(chǎn)流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢(shì)?

中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特殊開發(fā),以促使碳化硅器件高壓、大電流功能的實(shí)現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:361191

5G時(shí)代已至,VRAR蓄勢(shì)待發(fā).zip

5G時(shí)代已至,VRAR蓄勢(shì)待發(fā)
2023-01-13 09:06:050

5G時(shí)代已至,VR/AR蓄勢(shì)待發(fā).zip

5G時(shí)代已至,VR/AR蓄勢(shì)待發(fā)
2023-01-13 09:06:051

東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

智新半導(dǎo)體有限公司是東風(fēng)公司與中國(guó)中車2019年在武漢成立的,智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺(tái),項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開發(fā),2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)項(xiàng)目。
2023-11-03 16:48:16328

碳化硅器件在UPS中的應(yīng)用研究

碳化硅器件在UPS中的應(yīng)用研究
2023-11-29 16:39:00240

碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456

碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件

碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢(shì),主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)
2023-12-21 11:27:09286

新型碳化硅溝槽器件技術(shù)研究進(jìn)展

碳化硅功率器件具有高壓高功率領(lǐng)域等優(yōu)勢(shì),市場(chǎng)廣闊,應(yīng)用場(chǎng)景廣泛。也被認(rèn)為是下一代800V電動(dòng)汽車電驅(qū)核心技術(shù)。
2023-12-22 10:45:06457

小米汽車發(fā)布會(huì):自研小米800V碳化硅高壓平臺(tái)

小米自研小米800V碳化硅高壓平臺(tái):871V
2023-12-28 14:19:11272

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)應(yīng)及發(fā)展趨勢(shì)

隨著科技的不斷進(jìn)步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿Γ瑢⒃诙鄠€(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)
2024-01-06 14:15:03353

什么是800V高壓架構(gòu)?800V高壓架構(gòu)的多種方案

越來越多的車企向800V高壓平臺(tái)進(jìn)軍。那么800V高壓僅僅是指快充系統(tǒng)么?它到底為何能成為車企技術(shù)中的“香餑餑”?400V和800V的電動(dòng)車在用車體驗(yàn)上到底有什么不同?
2024-01-06 11:29:42458

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

800V碳化硅汽車?yán)^續(xù)火爆!華為、理想等7大廠商將建10+萬超充樁

春節(jié)過后,800V碳化硅汽車?yán)^續(xù)火爆,新增了15款車型(回顧點(diǎn)這里),同時(shí)也迎來了一波降價(jià)潮——先有極氪007降至20萬級(jí)(回顧點(diǎn)這里),昨天小鵬汽車G6全系降至18萬級(jí);照目前趨勢(shì),后續(xù)或有更多的碳化硅車型跟上降價(jià)大潮,市場(chǎng)需求也會(huì)隨之上升。
2024-03-05 11:25:431035

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