什么是光耦合器的CTR？光耦合器電路設(shè)計示例

光耦電路的設(shè)計像設(shè)計 BJT 電路一樣。如果 BJT 有增益或者電流增益，那光耦合器就有 CTR 或電流傳輸比。 了解 CTR，并使用，那光耦合電路設(shè)計的就會變得容易。

一、什么是光耦合器的 CTR？

CTR 也就是電流傳輸比，是集電極與正向電流的比率，用%表示：CTR = ( Ic / If ) x 100%集電極電流是流向光耦合器晶體管側(cè)集電極的電流，另一方面，正向電流是流向光耦合器二極管側(cè)的電流。

基本上，二極管側(cè)通過器件電流傳輸比鏈接到晶體管側(cè)。在設(shè)計光耦合器電路設(shè)計時，也可以使用 KVL、KCL、歐姆定律等。

二、光耦合器電路設(shè)計步驟

1、選擇電路結(jié)構(gòu)在這個時候，盡量不要讓電路變得復(fù)雜，因此組件數(shù)量是越少越好。有兩個原因，第一，成本較低，第二組件越少，出故障率越低，可靠性也就越高。 假設(shè)將信號從初級側(cè)控制器傳輸?shù)酱渭壙刂破?，那電路就如下所示?/p>

逆變器配置 上面這個電路配置是逆變器，如果你想要非反相信號，就使用下面這個電路結(jié)構(gòu)。

同相配置 如果要使晶體管飽和，第一個電路通常是反相電路，如果將電路偏置為在線性區(qū)域工作，則 Uout 節(jié)點處的電壓可能高于 0 。第二個電路是同相配置，與 BJT 的共集電極配置相當，但由于存在基極電流，BJT 共集電極比該電路更為復(fù)雜。2、選擇光耦合部件光耦合器電路設(shè)計的下一步是選擇光耦合器部件，在這個過程中，你必須考慮你的需求。

如果你的應(yīng)用是交換機，則比較選擇最低CTR較高的設(shè)備，

如果你的設(shè)備是線性的，你可以考慮使用點擊率范圍較小的應(yīng)用程序，嚴格的點擊率將對應(yīng)較小的變化。

如果電路要暴露再高溫環(huán)境下，最好選擇 CT受環(huán)境溫度影響不太大的光耦，光耦合器CTR會隨著溫度升高而降低。

例如下圖中，在100℃環(huán)境溫度下相對 CTR 會下降很多。

CTR和溫度之間的關(guān)系 如果電路使用的周期較長，最好還要考慮一下預(yù)期生命曲線。如下所示，隨著設(shè)備老化，點擊率會下降。

預(yù)期生命曲線3、設(shè)置電路操作這里必須要設(shè)計電路的工作點，為了使信息更豐富，可以參下面的電路。

設(shè)計電路的工作點1）定義輸出電平上述電路可以被配置為在線性或飽和區(qū)域工作。 飽和時，Uout 節(jié)點理想為零，但線性高于零但低于 Ucc。當二極管側(cè)沒有偏置時，Uout 的電平與 Ucc 相同。

因此，如果將電路設(shè)計為開關(guān)，則理想情況下，當光耦合器導(dǎo)通時，必須假設(shè) UCE 或 Uout 為零。

如果應(yīng)用是線性的，則必須在設(shè)計中使用的 Uout 節(jié)點中定義特定電平。

2）定義 Rf 值你可以自由選擇該值。但是，在某些應(yīng)用中需要注意。大多數(shù)時候，Udd 源自數(shù)字電路或設(shè)備，例如 MCU 或 DSP。如果是這樣，不能超過數(shù)字電路或設(shè)備的電流額定值的方式設(shè)置 Rf 值。對于 MCU 和 DSP，灌電流和源電流通常在 4mA 到 9mA 之間（其他一些可能會達到高于 9mA，在 Datasheet 中查看）。 假設(shè)額定電流最大僅為 4mA，則將實際正向電流最多設(shè)置為其 80%。所以 Rf : If= (Udd – Uf) / Rf Rf > (Udd – Uf)/(80% x I 額定值) （Uf為光耦的正向電壓）3）確定 Rc定義 Rf 和正向電流后，即可確定 Rc 的值。4）對于飽和度設(shè)置( Ic / If ) < CTR 設(shè)備 Ic = (Ucc – UCEsat) / Rc Rc > [ (Ucc –UCEsat ) / (CTR設(shè)備 x IF ) ]5）對于線性設(shè)置( Ic / If ) = CTR 設(shè)備 Ic = (Ucc – UCE) / Rc Rc = [ ( Ucc – UCE ) / ( CTRdevice x If ) ]

三、光耦合器電路設(shè)計示例1-設(shè)計為開關(guān)

現(xiàn)在，應(yīng)該上述光耦合器電路設(shè)計，為下面的電路提供值。 輸出應(yīng)提供邏輯低電平和邏輯高電平。邏輯低電平是低于 0.8V 的任何電壓，而邏輯高電平等于 Ucc。電源 Ucc 為 5V，由具有 4mA 拉電流和灌電流能力的 MCU 提供。光耦 CTR 為80%，二極管壓降為0.7V。

光耦合器電路設(shè)計示例1、選擇射頻值Rf = [ ( Udd –Uf ) / ( 80% x I rating ) ] Rf > [ ( 5V – 0.7V ) / ( 80% x 4mA ) ] =1.34 kohm我們可以將 Rf 設(shè)置為1.5k 標準值。2、求解 IfIf = [ ( 5V – 0.7V ) / 1.5 kohm ] =2.87 mA3、確定 RcRc > [ (Ucc – UCEsat ) / ( CTR x If ) ] = [ ( 5V – 0V ) / ( 80% x 2.87mA ) ] =2.18 kohm我們假設(shè)最壞情況下 UCEsat 等于 0。現(xiàn)在最終電路的是

最終電路4、設(shè)計檢查我們將驗證正向電流 If 是否不超過 MCU 的最大拉電流和灌電流。If= [ ( 5V – 0.7V ) / 1.5 kohm ] = 2.87 mA 計算出的當前正向電流是安全的。5、檢查光耦是否能輸出低信號為了獲得低信號，晶體管側(cè)必須飽和。要知道晶體管是否真的會飽和，我們使用以下公式： ( Ic / If ) < CTR 設(shè)備 飽和期間集電極電流的計算： Ic = 5V / 2.4 kohm =2.08 mAIc/If = 2.08mA/2.87mA =72.47%器件 CTR 為 80%，因此晶體管可能會飽和。為了保證硬飽和，可以給集電極電阻增加更多的余量，比如說在計算值上加上 50%。 電路能提供高邏輯嗎？可以，因為一旦移除 Udd，晶體管就會截止，Uout 節(jié)點將看到 Ucc 電平

四、光耦合器電路設(shè)計示例2-線性

提供電路值，使 Uout 節(jié)點具有 3V 電平。使用與上一示例相同的供應(yīng)水平和其他水平。

線性工作狀態(tài)1、選擇射頻值Rf > [ (Udd – Uf ) / ( 80% x I 額定值 ) ] = [ ( 5V – 0.7 ) / ( 80% x 4 mA ) ] =1.34 kohm我們可以將Rf 設(shè)置為1.5k 標準值。2、求解 IfIf = [ ( 5V – 0.7V ) / 1.5 kohm ] =2.87 mA3、確定 RcRc = [ (Ucc –UCE ) / ( CRT x If ) ] Uout 的指定電平為 3V 使得 UCE 等于 2V，所以 Rc = [ ( 5V – 2V ) / ( 80% x 2.87 mA) ] =1.31 kohm使用非常接近計算值的標準值。在本例中，我們將使用 1.3kohm。4、檢查

If = [ ( 5V – 0.7V ) / 1.5 kohm ] =2.87 mAIc = CTR x If = 80% x 2.87 mA =2.296 mAUout = Ic x Rc = 2.296 mA x 1.3 kohm =2.984 V結(jié)果U out 并不完全等于 3V，因為我們使用 1.3k 作為 Rc 值，而不是計算出的 1.31k。 你可以在光耦電路設(shè)計使用上述步驟。

編輯：黃飛