MOS管是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管，有G(gate 柵極)/D(drain 漏極)/S(source 源極)三個(gè)端口，分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)兩種。
2023-02-03 15:12:59
13419 
咱們前幾期講的一直是NMOS，導(dǎo)電靠的是溝道中的自由電荷。而PMOS與NMOS結(jié)構(gòu)上的不同點(diǎn)在于半導(dǎo)體基板的材料恰恰相反，是在N型摻雜基板的基礎(chǔ)上加了兩塊重?fù)诫s的P型半導(dǎo)體，這兩塊兩塊重?fù)诫s的P型半導(dǎo)體分別為PMOS的源級(jí)和漏極，金屬部分和NMOS一樣仍然作為柵極。PMOS導(dǎo)電靠的是溝道中的空穴。
2023-02-16 11:41:196888 
管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。
2023-02-16 17:00:154430 
MOS管的管腳有三個(gè)：源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain)，但是實(shí)際工程應(yīng)用中，經(jīng)常無(wú)法區(qū)分PMOS管和NMOS管、各管腳的位置以及它們各自導(dǎo)通的條件。
2023-02-28 17:08:424625 
如上圖MOS管符號(hào)，要注意如果剛學(xué)完三極再來(lái)看這個(gè)會(huì)覺(jué)得很別扭，記不住，下面與NMOS原理做介紹，PMOS就剛好是相反的。
2023-03-10 17:10:5711636 
如上圖MOS管符號(hào)，要注意如果剛學(xué)完三極再來(lái)看這個(gè)會(huì)覺(jué)得很別扭，記不住，下面與NMOS原理做介紹，PMOS就剛好是相反的。
2023-03-28 09:53:242724 傳輸門(mén)是由外部施加的邏輯電平控制的NMOS和PMOS晶體管組成的雙向開(kāi)關(guān)。
2023-08-10 09:02:201943 
NMOS+PMOS控制電池電壓輸出1.在MCU_CTL給高電平的時(shí)候，Q5、Q1導(dǎo)通，BAT_OUT輸出電池電壓3.7V，這個(gè)沒(méi)問(wèn)題2.在MCU_CTL給低電平的時(shí)候，Q5、Q1截止了
2021-09-24 18:45:53
什么是MOS管？NMOS是什么？PMOS又是什么？NMOS管與PMOS管有哪些不同？
2021-10-15 09:09:38
最近在看利用增強(qiáng)型NMOS管或者PMOS管對(duì)電路或電源極性反接保護(hù)設(shè)計(jì)，網(wǎng)上眾說(shuō)紛紜，其中經(jīng)典的說(shuō)法為： 或（個(gè)人認(rèn)為右側(cè)圖中的MOS管畫(huà)錯(cuò)了，應(yīng)是增強(qiáng)型NMOS管） 或（個(gè)人認(rèn)為右側(cè)圖中的MOS管
2019-07-13 14:13:40
NMOS、PMOS驅(qū)動(dòng)負(fù)載優(yōu)缺點(diǎn)常見(jiàn)的馬達(dá)、泵、繼電器等驅(qū)動(dòng)電路，都是NMOS，然后將負(fù)載放在高端（NMOS的D極或三極管的C極）；而圖中這種PMOS電路，將負(fù)載放在低端（NMOS的S極或三極管的e極），有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2023-02-03 18:43:21
NMOS與PMOS有哪些區(qū)別？NMOS與PMOS的電流流向是怎樣的？
2021-09-28 06:47:16
相對(duì)通用的電路【NMOS的驅(qū)動(dòng)電路與PMOS的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)別】電路圖如下： 圖1用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路圖2用于PMOS的驅(qū)動(dòng)電路 這里只針對(duì)NMOS驅(qū)動(dòng)電路做一個(gè)簡(jiǎn)單分析： Vl和Vh分別是低端
2021-07-30 06:09:44
PMOS管DS短路，一般應(yīng)用時(shí)工作沒(méi)問(wèn)題，當(dāng)輸出功率大的時(shí)候很容易造成DS短路，誰(shuí)知道電路哪里有問(wèn)題嗎？
2023-06-26 07:29:19
驅(qū)動(dòng)篇 – PMOS管應(yīng)用感謝閱讀本文，在接下來(lái)很長(zhǎng)的一段時(shí)間里，我將陸續(xù)分享項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。從電源、單片機(jī)、晶體管、驅(qū)動(dòng)電路、顯示電路、有線通訊、無(wú)線通信、傳感器、原理圖設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)、軟件設(shè)計(jì)
2021-07-19 07:10:33
PMOS管的簡(jiǎn)單應(yīng)用應(yīng)用原理介紹寄生參數(shù)選型應(yīng)用防反接電路高端驅(qū)動(dòng)應(yīng)用相比于NMOS，PMOS應(yīng)用較少，主要原因有導(dǎo)通電阻大于NMOS導(dǎo)通電阻，型號(hào)少，價(jià)格貴等，但在一些特殊的場(chǎng)合也有應(yīng)用。原理介紹
2022-01-13 08:22:48
實(shí)際MOS管生產(chǎn)的過(guò)程中襯底在出廠前就和源極連接，所以在符號(hào)的規(guī)則中；表示襯底的箭頭也必須和源極相連接，以區(qū)別漏極和源極。MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同，N溝道的類似NPN晶體三極管
2016-12-29 16:00:06
在使用9014和PMOS管2305搭配的電源開(kāi)關(guān)電源中，控制24V電源；在PMOS導(dǎo)通時(shí)，24V可以通過(guò)去，電壓也正常；但是在開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)，PMOS管的漏極仍有0.7V左右的電壓，不知道是什么原因？
2020-04-01 09:00:29
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 13:38 編輯
Q1是PMOS還是NMOS？當(dāng)Vi=0V和3.3V時(shí)，V1和V0各輸出多少？上述為一道MOS管和電容之間的組合電路，對(duì)MOS管都忘掉了，不知道怎么解決，高手給個(gè)答案?。。。。。?！
2012-03-10 00:46:36
反相器由一個(gè)NMOS管和一個(gè)PMOS管構(gòu)成，其基本的電路圖如下圖所示。1.2 電路設(shè)計(jì)（virtuoso基
2021-11-12 06:28:47
有個(gè)問(wèn)題一直糾結(jié)了好久，請(qǐng)各位高手支招。設(shè)計(jì)一個(gè)RC脈沖電源，里面需要兩個(gè)NMOS開(kāi)關(guān)管，主電路如圖所示：然后設(shè)計(jì)了NMOS管的驅(qū)動(dòng)電路，作為一個(gè)模塊，這樣連接在仿真軟件了可以實(shí)現(xiàn)想要的效果，但是實(shí)際這樣操作，會(huì)有什么問(wèn)題？如果不能這樣連接，是否有更好的方案？
2018-11-01 22:30:12
各位大佬好，我正在學(xué)習(xí)IC設(shè)計(jì)，對(duì)于Cadence Virtuoso這個(gè)軟件有一些入門(mén)級(jí)的小問(wèn)題：我從AnaglogLib拷貝NMOS管和PMOS管到自己的library下面，打開(kāi)他們的CDF參數(shù)看
2017-10-16 00:26:33
大家好，我是記得誠(chéng)。在電路中，NMOS經(jīng)常用作下管，S極接地，用G極來(lái)控制管子的導(dǎo)通截止，很方便。NMOS用作上管時(shí)，因?yàn)镾極電平不確定，即G極電平也不好確定，很不方便。PMOS經(jīng)常用作上管，S極接
2021-11-17 08:05:00
的接地端和電源端，其漏極連接被保護(hù)電路中PMOS元件的襯底。]若是NMOS，其柵極和源極分別連接被保護(hù)電路的電源端和接地端，其漏極連接被保護(hù)電路中NMOS元件的襯底。一旦被保護(hù)電路的電源極性反接，保護(hù)用場(chǎng)效應(yīng)管
2019-12-10 15:10:43
的是一個(gè)三極管加一個(gè)MOS管，或者一個(gè)NMOS加一個(gè)PMOS。常用電路如圖1圖2所示。而我們今天來(lái)討論的是基于圖2電路引起的MOS關(guān)做開(kāi)關(guān)對(duì)輸入端電源的影響。圖1 三極管加MOS管形式開(kāi)關(guān)電路圖2 NMOS加PMOS形式開(kāi)關(guān)電路2. ...
2021-10-29 06:49:15
【1】NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈→S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）【2】PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾→D，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5
2021-10-29 06:32:13
一般有三個(gè)極。四類MOS管增強(qiáng)型運(yùn)用較為普遍，下圖是畫(huà)原理圖時(shí)增強(qiáng)型NMOS和PMOS管的符號(hào)：漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載（指有線圈負(fù)載的電路，如馬達(dá)），這個(gè)二極管
2019-01-28 15:44:35
我最近在做一個(gè)微能源收集的項(xiàng)目，我們有1.5V 20mA的交流輸出，現(xiàn)在我想通過(guò)MOS管來(lái)降低整流過(guò)程中的壓降，但是相關(guān)資料里的4MOS管整流電路使用了2個(gè)PMOS和2個(gè)NMOS，為什么不使用4個(gè)NMOS來(lái)做這個(gè)整流電路那？NMOS不是各方面都比PMOS強(qiáng)嗎？
2019-07-24 15:39:22
了解MOS管的開(kāi)通/關(guān)斷原理你就會(huì)發(fā)現(xiàn)，使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的開(kāi)通/關(guān)斷
2021-10-28 08:37:47
MOS管的漏電流在微型可穿戴設(shè)備中，對(duì)于電池的功耗要求很高，所以為了省電，其實(shí)電路也是很多的，最省電的無(wú)疑就是直接斷開(kāi)電池的供電了。這種方案要用到一個(gè)NMOS和一個(gè)PMOS組合使用，NMOS作為下管
2021-10-12 16:45:51
通電阻大，價(jià)格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS?！ ?、MOS開(kāi)關(guān)管損失 不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗
2019-02-14 11:35:54
的應(yīng)用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。 MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩
2021-01-11 20:12:24
用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅(qū)動(dòng)）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng)，但由于導(dǎo)通電阻大，價(jià)格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS。3，MOS開(kāi)關(guān)管損失不管是NMOS還是
2011-11-07 15:56:56
0，所以用NMOS省電相較于用三極管不是一個(gè)數(shù)量級(jí)3.要注意NMOS的Vth，這里選擇低壓導(dǎo)通的NMOS，在1V上下的管子找到了除了以上幾點(diǎn)，用單片機(jī)去驅(qū)動(dòng)NMOS，然后NMOS驅(qū)動(dòng)PMOS會(huì)比用三極管驅(qū)動(dòng)PMOS還有哪些好處？以及需要注意的地方？
2021-09-10 14:56:57
我在測(cè)試PMOS管的導(dǎo)通特性發(fā)現(xiàn)了這個(gè)問(wèn)題，大家?guī)臀铱纯词悄睦锏膯?wèn)題，電路圖見(jiàn)附件。
2017-12-29 15:26:33
最近看筆記本中的MOS管大多數(shù)都是NMOS，極少數(shù)為PMOS，這是為什么呢,我也知道一個(gè)是用高電平去開(kāi)，一個(gè)是用低電平去開(kāi)，但是如果改變下電路的話，NMOS也不是不可以代替PMOS，這兩種MOS
2015-11-04 13:53:44
的PMOS電路及由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。PMOS門(mén)電路與NMOS電路的原理完全相同，只是電源極性相反而已。數(shù)字電路中MOS集成電路所使用的MOS管均為增強(qiáng)型管子，負(fù)載常用MOS管作為有源負(fù)載，這樣不僅節(jié)省了硅片面積，而且簡(jiǎn)化了工藝?yán)诖笠?guī)模集成。`
2011-12-27 09:50:37
大家好，如果我想使用spartan 6 FPGA實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的“和”門(mén)，請(qǐng)說(shuō)。我理解“和”門(mén)將被模擬到查找表中。有人可以對(duì)此有所了解嗎？和門(mén)真值表是否被移植到LUT？LUT中是否有pmos和nmos
2019-08-09 09:16:35
什么是PMOS管？PMOS管有哪些特性？PMOS管有什么導(dǎo)通條件？
2021-06-16 08:07:07
datasheet?正文：1.使用MOS管作為開(kāi)關(guān)控制的應(yīng)用實(shí)際硬件電路中，經(jīng)常會(huì)有一些設(shè)備的供電控制，尤其是進(jìn)行大功率負(fù)載的上電與斷電控制，可以采用MOS管作為開(kāi)關(guān)進(jìn)行控制。2.單晶體管負(fù)載開(kāi)關(guān)使用Multisim仿真,示例！3.MOS管說(shuō)明，什么是PMOS,什么是NMOS?4.實(shí)例，采用P
2021-10-29 08:39:45
使用低Uth類型的PMOS管（如Uth=-2V）做開(kāi)關(guān)當(dāng)5V沒(méi)接入時(shí)，PMOS管的柵極通過(guò)電阻R1下拉到地（0V），鋰電池BAT（3.7~4.2V）通過(guò)MOS管的內(nèi)部體二極管到達(dá)源極，源極電壓為（3
2021-10-29 08:43:39
到的，于是設(shè)計(jì)了圖中圖1的結(jié)構(gòu)。但是有如下顧慮，希望用過(guò)的或者了解的朋友能給指點(diǎn)一二問(wèn)題1：圖1中Temp是ADC通道輸入引腳，圖2是ADC參考電壓的輸入腳，如果我通過(guò)控制柵極關(guān)閉NMOS管，是不是電流依然
2019-04-18 23:02:09
各位大神們：請(qǐng)幫忙分析下這個(gè)NMOS管的奇特用法。此電路作用是是為了防止Load 短路或者過(guò)流時(shí)不會(huì)拉低輸入電源的電壓。Q1： 才能完全導(dǎo)通，是否MOS管Q1 的G極有更高的電壓？ Q2：個(gè)人感覺(jué)如果作為防反接或者電路中為了短路隔離的作用，用PMOS是否更加合適？
2019-08-21 09:45:01
PMOS管，那個(gè)W/L什么意思啊，手頭沒(méi)有相關(guān)資料，知道的給說(shuō)下，謝謝
2013-08-04 10:22:43
如圖所示，我用nmos做開(kāi)關(guān)管，通過(guò)鋰電池供電，隨著電池電量損耗，柵極電壓會(huì)從14v到8v變化，保證mos管一直導(dǎo)通，我想知道，柵極電壓變化會(huì)不會(huì)影響mos管的導(dǎo)通特性？電池電壓為48v，負(fù)載電流比較大
2019-10-23 11:08:33
如圖所以，問(wèn)題也描述在圖上1.去掉負(fù)載，問(wèn)題依舊存在2.更換PMOS，問(wèn)題依舊3.更換NPN，問(wèn)題依舊 4.示波器捕獲IO口和LDO的輸出，紋波沒(méi)問(wèn)題 5.將R7改為200K,R9改為0R，問(wèn)題依舊
2018-12-27 11:38:10
1 MOS管導(dǎo)通截止原理NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈—>S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，如 5V（G電位比S電位高）。PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾—>D，導(dǎo)通條件為
2023-02-17 13:58:02
的第一個(gè)電路。 本文將展示四種晶體管開(kāi)關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，有時(shí)需要“獨(dú)立”控制幾個(gè)開(kāi)關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開(kāi)關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開(kāi)關(guān)的通與斷不會(huì)
2016-08-30 01:01:44
關(guān)于 增強(qiáng)型PMOS管開(kāi)啟電壓Vgs疑問(wèn) 有以下三個(gè)問(wèn)題，請(qǐng)教各位大神：1、如下圖：增強(qiáng)型PMOS管G極接地（Vg=0V），按我的理解，只有在S極電壓高于0v（至少零點(diǎn)幾伏）的時(shí)候才能導(dǎo)通，可是下圖
2017-11-22 10:01:58
NMOS管和PMOS管做開(kāi)關(guān)控制電路
2021-11-12 06:39:31
1. 前言MOS管做為開(kāi)關(guān)是一種常用的方式，在電路中比較常用的是一個(gè)三極管加一個(gè)MOS管，或者一個(gè)NMOS加一個(gè)PMOS。常用電路如圖1圖2所示。而我們今天來(lái)討論的是基于圖2電路引起的MOS關(guān)做開(kāi)關(guān)
2021-10-28 06:50:48
貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS。 3、MOS管開(kāi)關(guān)管損失 不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)
2018-10-18 18:15:23
，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接Vcc的情況(高端驅(qū)動(dòng))。但是，雖然PMOS可以很方便的用作高端驅(qū)動(dòng)，但由于導(dǎo)通電阻大，價(jià)格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動(dòng)中，通常還是用NMOS?！ OS開(kāi)關(guān)管
2018-12-03 14:43:36
MOS管是什么？NMOS管和PMOS管的工作原理是什么？NMOS管與PMOS管的區(qū)別在哪？
2021-11-03 06:17:26
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-4 22:37 編輯
大家一起來(lái)分析一下NMOS管的用法吧，討論MOS管在實(shí)際設(shè)計(jì)中是怎么用的
2013-09-23 00:22:20
哪位高人能推薦下NMOS管型號(hào)：要求：用作高速開(kāi)關(guān)（幾K到幾十KHZ），閾值電壓小于等于3V，希望哪位大俠給指點(diǎn)下啊
2011-03-02 14:21:23
Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、常見(jiàn)的nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semicond...
2021-11-11 06:28:29
阻大，價(jià)格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS管。 3、MOS管開(kāi)關(guān)管損失 不管是NMOS管還是PMOS管，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗
2018-10-26 14:32:12
，所以S極電位就是VBAT-0.6V，而G極電位是0V，PMOS管導(dǎo)通，從D流向S的電流把二極管短路。電源接反時(shí)：G極是高電平，PMOS管不導(dǎo)通。保護(hù)電路安全。連接技巧NMOS管DS串到負(fù)極，PMOS管
2016-08-27 09:46:32
弱弱的問(wèn)，在VDD的電壓差情況下，用PMOS和NMOS做power的decap分別有什么不同的考慮呢？請(qǐng)教一下，90nm以下，單個(gè)nmos做decap會(huì)有esd風(fēng)險(xiǎn)，是什么原因？
2021-06-22 06:04:16
NMOS管***4170N芯片手冊(cè)中的時(shí)間t
2019-03-18 06:35:46
所示布置連接NMOS管，我查閱了很多文獻(xiàn)，也是這樣連接的。用仿真軟件也可以仿真出想要的效果。但是這樣連接相當(dāng)于驅(qū)動(dòng)電路的地 接在了主回路中，不是很確定是否合適？請(qǐng)各位大俠支招，我也想在Q1和Q2之間接地，這樣Q1的S極可以正常接地， 但Q2的S極沒(méi)有接地。
2018-11-02 15:52:04
請(qǐng)問(wèn)buck-boost電路中的MOS管一定要是NMOS管么，可不可以用PMOS管？已知G極的控制電壓為3.3V
2022-02-12 17:44:53
附件中，給出了采用的負(fù)電保護(hù)電路，使用了NPN和PMOS管來(lái)完成關(guān)斷控制。在Cadence16.6中仿真。對(duì)于除開(kāi)MOS管的其余部分，實(shí)際測(cè)算與仿真接近。問(wèn)題：接上-6V負(fù)電時(shí)，理應(yīng)PMOS管的兩端
2019-11-06 01:33:07
這個(gè)PMOS管電路是如何實(shí)現(xiàn)雙向?qū)ǎ吭碚?qǐng)教
2018-01-05 16:32:27
MOS管開(kāi)關(guān)電路學(xué)習(xí)過(guò)模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流；而MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。選擇NMOS or PMOS？在選擇這兩種MOS管之前，需要弄清兩個(gè)問(wèn)題：1.高端驅(qū)動(dòng) 2.低端驅(qū)動(dòng)...
2021-10-29 08:16:03
之前一直聽(tīng)說(shuō)
Pmos的工藝難度難于
Nmos，但是一直沒(méi)高清楚具體是為什么？不知道論壇的大大們有誰(shuí)了解的，能給一個(gè)比較完整的答案。渣渣在這里拜謝了?。。。。?/div>
2015-05-07 17:07:11
本文開(kāi)始介紹了mos管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、工作原理和MOS管應(yīng)用，其次介紹了PMOS管的概念和工作原理，最后介紹了兩種判斷NMOS管和PMOS管的方法。
2018-04-03 14:12:1827057 
了解 MOS 管的開(kāi)通 / 關(guān)斷原理你就會(huì)發(fā)現(xiàn)，使用 PMOS 做上管、NMOS 做下管比較方便。使用 PMOS 做下管、NMOS 做上管的電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。
2020-12-11 22:57:00
36 在電路中，NMOS經(jīng)常用作下管，S極接地，用G極來(lái)控制管子的導(dǎo)通截止，很方便。 NMOS用作上管時(shí)，因?yàn)镾極電平不確定，即G極電平也不好確定，很不方便。 PMOS經(jīng)常用作上管，S極接固定的VCC
2021-08-10 10:17:158221 了解MOS管的開(kāi)通/關(guān)斷原理你就會(huì)發(fā)現(xiàn)，使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的開(kāi)通/關(guān)斷
2021-10-21 17:06:04101 MOS管開(kāi)關(guān)電路學(xué)習(xí)過(guò)模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流；而MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。 選擇NMOS
2021-10-22 14:21:0010 反相器由一個(gè)NMOS管和一個(gè)PMOS管構(gòu)成，其基本的電路圖如下圖所示。1.2 電路設(shè)計(jì)（virtuoso基
2021-11-07 10:21:0136 NMOS管和PMOS管做開(kāi)關(guān)控制電路
2021-11-07 13:36:00113 PMOS中的空穴遷移率比NMOS中電子的遷移率低，所以為了實(shí)現(xiàn)相同的電流輸出，我們需要將PMOS的寬度做的是NMOS寬度的2~3倍。
2022-10-31 11:16:116184 NMOS型和PMOS型的穩(wěn)壓電路如下圖所示。
2023-03-10 15:33:283625 
如上圖MOS管符號(hào)，要注意如果剛學(xué)完三極再來(lái)看這個(gè)會(huì)覺(jué)得很別扭，記不住，下面與NMOS原理做介紹，PMOS就剛好是相反的。
2023-03-28 09:54:4313206 兩級(jí)運(yùn)放輸入級(jí)用NMOS還是PMOS的區(qū)別是什么？? 在設(shè)計(jì)兩級(jí)運(yùn)放的輸入級(jí)時(shí)，可以使用不同類型的金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）管，如NMOS和PMOS。NMOS管是n型MOSFET，而PMOS
2023-09-17 17:14:341951 為什么PMOS的閃爍噪聲低于NMOS？? PMOS和NMOS是兩種在集成電路中廣泛使用的MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）類型。在電子設(shè)計(jì)中，MOSFET有許多優(yōu)點(diǎn)，如低功耗、高速度
2023-09-20 17:41:311270 PMOS和NMOS為什么不能同時(shí)打開(kāi)？PMOS可以背靠背使用，那NMOS呢？ PMOS和NMOS是兩種不同的MOSFET（MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。這兩種晶體管有著不同的電性質(zhì)和工作方式，因此不能同時(shí)
2023-10-23 10:05:221022 PMOS和NMOS是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的兩種類型。 PMOS和NMOS是MOSFET的兩種互補(bǔ)型式，也稱為CMOS技術(shù)，其中C代表互補(bǔ)（Complementary
2023-12-07 09:15:361025 NMOS和PMOS是常見(jiàn)的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的兩種類型，它們?cè)陔娮悠骷衅鸬讲煌淖饔谩?b class="flag-6" style="color: red">NMOS和PMOS的符號(hào)和電路結(jié)構(gòu)差異體現(xiàn)了它們的不同工作原理和特性。接下來(lái)，我們
2023-12-18 13:56:221530 設(shè)計(jì)一個(gè)NMOS和PMOS管的開(kāi)關(guān)電路涉及到電路的基礎(chǔ)知識(shí)、原理和設(shè)計(jì)過(guò)程。在本文中，我們將詳細(xì)討論NMOS和PMOS管的工作原理、開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)考慮因素、電路元件的選擇以及實(shí)際電路的構(gòu)建和測(cè)試
2023-12-21 16:57:151134 已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論