`NMOS管驅(qū)動(dòng)滿足的電壓是看GS端壓差。還是只看PIN-G對(duì)PIN-S正電壓。如下圖紫色是MOS管驅(qū)動(dòng)，MOS驅(qū)動(dòng)電壓算7.8V 還是13.2V？`
2021-03-04 09:17:27
MOS管驅(qū)動(dòng)電壓最大是多少？過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓Vod=Vgs-Vth。可bai以理解為：du超過(guò)驅(qū)動(dòng)門限（Vth）的剩余電壓大小。1)只有在你的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓“dao大于零”的情況下，溝道才會(huì)形成，MOS管才會(huì)
2021-11-12 08:18:19
自己設(shè)計(jì)了一個(gè)MOS管驅(qū)動(dòng)電路，仿真時(shí)候上管正常開(kāi)關(guān)，下管始終關(guān)斷，但是測(cè)得上管柵源極之間電壓波形是這樣的，有一個(gè)很大的抖動(dòng)，想請(qǐng)教這是為什么？
2019-11-06 20:46:17
并且對(duì)變壓器的運(yùn)行有比較深入的認(rèn)識(shí)。變壓器常見(jiàn)問(wèn)題和與MOS管驅(qū)動(dòng)相關(guān)的問(wèn)題：變壓器有兩個(gè)繞組，初級(jí)繞組和次級(jí)繞組實(shí)現(xiàn)了隔離，初級(jí)和次級(jí)的匝數(shù)比變化實(shí)現(xiàn)了電壓縮放，對(duì)于我們的設(shè)計(jì)一般不太需要調(diào)整電壓
2012-11-12 15:39:26
`到驅(qū)動(dòng)波形Vgs關(guān)閉的時(shí)候Vds仍然導(dǎo)通導(dǎo)致，沒(méi)有死區(qū)時(shí)間 下面是波形 我母線通電30V電壓來(lái)測(cè)試的CH1是Vgs導(dǎo)通波形 CH2是 Vds波形中間有一段VGS下降了 MOS管還導(dǎo)通這是測(cè)兩個(gè)低端MOS管Vds的波形 沒(méi)有死區(qū)時(shí)間 另外我的尖峰脈沖是不是太高了 我上電300V的話會(huì)炸管嗎`
2017-08-02 15:41:19
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)
2011-11-07 15:56:56
本帖最后由 24不可說(shuō) 于 2018-7-9 17:25 編輯
一、MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流
2018-07-09 17:24:24
一、MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但
2021-11-12 09:19:30
一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話， MOS管 開(kāi)關(guān)速度越快越好
2021-11-12 08:20:58
與MOS管就顯得尤其重要了。一個(gè)好的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路有以下幾點(diǎn)要求：開(kāi)關(guān)管開(kāi)通瞬時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且不存在上升沿的高頻
2018-10-23 15:59:18
MOS管三極管驅(qū)動(dòng)電壓電流MOS管三極管驅(qū)動(dòng)電壓電流，我們知道驅(qū)動(dòng)三極管電壓只要＞0.7V就可以，那么基極需要多少電流呢？在三極管規(guī)格書里面找不到需要的驅(qū)動(dòng)電流的值；驅(qū)動(dòng)MOS，只要＞Vth就可以
2022-05-30 14:11:34
閾值電壓，可以在柵極接一個(gè)到地的電阻。但是這個(gè)電阻又不能太小，否則會(huì)在開(kāi)關(guān)低邊MOS管的時(shí)候，電流被分流很大一部分。尤其是在驅(qū)動(dòng)能力比較差的驅(qū)動(dòng)器中，會(huì)導(dǎo)致低邊MOS管的開(kāi)啟時(shí)間拉長(zhǎng)，開(kāi)關(guān)損耗會(huì)變得
2023-03-15 16:55:58
如圖，MOS管剛啟動(dòng)時(shí)波形會(huì)從5V降到3點(diǎn)多V，后面慢慢又會(huì)升回正常的5V，請(qǐng)問(wèn)是什么原因?qū)е?b class="flag-6" style="color: red">電壓掉落的？我MOS管就驅(qū)動(dòng)一個(gè)電機(jī)。
2023-08-01 11:02:55
（ON）也是最重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊(cè)定義RDS（ON）與柵極（或驅(qū)動(dòng)）電壓VGS以及流經(jīng)開(kāi)關(guān)的電流有關(guān)，但對(duì)于充分的柵極驅(qū)動(dòng)，RDS（ON）是一個(gè)相對(duì)靜態(tài)參數(shù)。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱。另外，慢慢升高
2018-10-31 13:59:26
滿足Vgs》Vth時(shí)即可導(dǎo)通。Vth是mos管柵極閾值電壓，一般為3v?！ ‘?dāng)我們使用Pmos時(shí)，PMOS的特性是，VGS小于一定的值（3V以上）就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅(qū)動(dòng)
2021-01-15 15:39:46
mos管相比于三極管，開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通電壓低，電壓驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，所以越來(lái)越受工程師的喜歡，然而，若不當(dāng)設(shè)計(jì)，哪怕是小功率mos管，也會(huì)導(dǎo)致芯片燒壞，原本想著更簡(jiǎn)單的，最后變得更加復(fù)雜。這幾年來(lái)一直做高頻
2018-11-21 14:43:01
，很多MOS管都內(nèi)置穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制柵極電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過(guò)穩(wěn)壓管的電壓時(shí)，會(huì)造成較大的靜態(tài)功耗。同時(shí)，如果單純利用電阻分壓原理來(lái)降低柵極電壓，當(dāng)輸入電壓比較高時(shí)，MOS管工作良好
2021-12-03 16:37:02
一般有三個(gè)極。四類MOS管增強(qiáng)型運(yùn)用較為普遍，下圖是畫原理圖時(shí)增強(qiáng)型NMOS和PMOS管的符號(hào)：漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載（指有線圈負(fù)載的電路，如馬達(dá)），這個(gè)二極管
2019-01-28 15:44:35
MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS管的工作機(jī)制MOS管的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
2021-03-08 06:06:47
大功率電源的PFC電路中，根據(jù)MOS管的Qg和導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)電流約5A。按照一般的說(shuō)法，如果驅(qū)動(dòng)電流設(shè)計(jì)的太大，會(huì)引起電壓過(guò)沖和振蕩，除此之外，還會(huì)有什么不利后果？會(huì)損壞MOS管嗎？根據(jù)經(jīng)驗(yàn)一般最大在多少A比較好？謝謝指教！
2022-05-05 23:01:18
了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOS管，這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷?b class="flag-6" style="color: red">電壓的考慮。當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)
2020-07-10 14:54:36
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 編輯
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮
2012-12-18 15:37:14
下安全，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過(guò)穩(wěn)壓管的電壓，就會(huì)引起較大的靜態(tài)功耗。同時(shí)，如果簡(jiǎn)單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會(huì)出現(xiàn)輸入電壓比較
2012-11-12 15:40:55
提供給MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓是不穩(wěn)定的。為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過(guò)穩(wěn)壓管的電壓，就會(huì)引起較大的靜態(tài)功耗。同時(shí)
2018-11-14 09:24:34
` 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為
2019-02-14 11:35:54
集成電路芯片內(nèi)部通常是沒(méi)有的。2，MOS管導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意思是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了
2021-01-11 20:12:24
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 編輯
四個(gè)MOS管這么排列，Q3Q4是打開(kāi)，Q1Q2是關(guān)閉， 電源是12V為啥AB兩點(diǎn)的電壓也有11多V，MOS是如何導(dǎo)通的呢，體二極管也是對(duì)立的。
2018-05-31 19:41:07
本帖最后由 Stark揚(yáng) 于 2018-11-19 14:19 編輯
這是直流逆變成三相交流的機(jī)器上應(yīng)用的，這是MOS管的驅(qū)動(dòng)波形測(cè)試，此時(shí)MOS管在關(guān)斷，母線電壓48V，驅(qū)動(dòng)電壓為15V，綠色的是Vgs驅(qū)動(dòng)電壓，黃色的是Vds漏極源極電壓，請(qǐng)問(wèn)為什么Vds那么晚才上升，比Vgs晚了那么久
2018-11-19 11:29:47
越快，損失也越大。導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大?？s短開(kāi)關(guān)時(shí)間，可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失;降低開(kāi)關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開(kāi)關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開(kāi)關(guān)損失。4、MOS管驅(qū)動(dòng)跟雙
2019-07-05 08:00:00
越快，損失也越大。導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大?？s短開(kāi)關(guān)時(shí)間，可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失;降低開(kāi)關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開(kāi)關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開(kāi)關(guān)損失。4、MOS管驅(qū)動(dòng)跟雙
2019-07-05 07:30:00
，損失也越大。導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大?？s短開(kāi)關(guān)時(shí)間，可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失;降低開(kāi)關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開(kāi)關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開(kāi)關(guān)損失。4、MOS管驅(qū)動(dòng)跟雙
2019-07-03 07:00:00
最近在做一個(gè)Mos管驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品，發(fā)現(xiàn)發(fā)燙得厲害，然后參考了其他競(jìng)品發(fā)現(xiàn)都有增加這么一個(gè)二極管，依樣增加上去后就不燙了，這就是是什么原因呢？在網(wǎng)上找到了原因，如下：再看MOS管本身DS極間也有個(gè)二極管
2021-09-14 07:49:42
老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過(guò)柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長(zhǎng)了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開(kāi)啟電壓的速度；結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
2021-11-16 08:27:47
mos管的驅(qū)動(dòng)電流如何設(shè)計(jì)呢
如果已經(jīng)知道MOS的Qg
恒壓模式下如何設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)管的電流
恒流模式下設(shè)置多大電流呢
2023-06-27 22:12:29
如圖所示，VT1是驅(qū)動(dòng)管，串聯(lián)式調(diào)整管是由VT3和VT2構(gòu)成達(dá)的林頓管，書中有這句話“當(dāng)輸出電壓Uo降低是，Uq和Ur均降低，因驅(qū)動(dòng)管電流增大，故調(diào)整管的壓降減小，使輸出電壓升高”1.驅(qū)動(dòng)管電流為何增大？2.調(diào)整管的壓降為什么會(huì)減小？
2020-06-05 14:39:57
`驅(qū)動(dòng)器DRV8305和mos管可以接不同的電壓輸入嗎？如圖`
2018-05-22 18:00:15
橋設(shè)置死區(qū)的地方，本來(lái)應(yīng)該低電平的，卻有一個(gè)足以驅(qū)動(dòng)MOS管的脈沖電壓，導(dǎo)致MOS管發(fā)熱嚴(yán)重。想問(wèn)問(wèn)各位大神，是什么原因，有什么辦法解決呢？謝謝。圖中的畸變還不算厲害，但強(qiáng)電電壓上去后，就很高了。
2016-06-23 08:25:22
mos管并聯(lián)可以增大電流能力，并聯(lián)MOS管需要注意mos管的哪些特性，比如開(kāi)通關(guān)斷延遲時(shí)間，開(kāi)啟電壓？下面的連接正確嗎？
2022-07-29 14:11:58
`在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為
2015-12-21 15:35:48
的10k電阻的連法是不是會(huì)影響G的靜電往S釋放？10k電阻是不是應(yīng)該直接連接G,S之間更好？2.pwm引腳在驅(qū)動(dòng)mos的時(shí)候，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">mos管是電壓驅(qū)動(dòng)，所以輸出電流是不是很?。咳绻沁@樣那單片機(jī)應(yīng)該不是因?yàn)檫^(guò)流而燒毀吧？真正燒毀的原因是什么呢？大家能幫我分析分析單片機(jī)莫名其妙燒掉的原因嘛？謝謝大家！
2016-12-08 23:15:14
現(xiàn)在是通過(guò)三極管驅(qū)動(dòng)mos管來(lái)控制燈的亮度。 問(wèn)題是MOS管會(huì)很燙，三極管長(zhǎng)時(shí)間使用后就會(huì)燒掉。途中LED電流為3A，VDD為24V mosfet為IRF640。
2018-09-18 11:23:08
如圖所示，這個(gè)是我的驅(qū)動(dòng)電路及半橋逆變電路。現(xiàn)在用差分探頭示波器對(duì)上管進(jìn)行測(cè)量，發(fā)現(xiàn)MOS管驅(qū)動(dòng)電壓Vgs的幅值會(huì)隨著+310V的供電電壓的不同而不同（即+310V供電電壓為30V時(shí)，Vgs會(huì)變成
2019-07-12 04:11:58
為什么在mos驅(qū)動(dòng)電路中穩(wěn)壓管與電機(jī)并聯(lián)的時(shí)候電壓突然減小
2023-11-08 07:36:38
如圖所示，這個(gè)是我的驅(qū)動(dòng)電路及半橋逆變電路?，F(xiàn)在用差分探頭示波器對(duì)上管進(jìn)行測(cè)量，發(fā)現(xiàn)MOS管驅(qū)動(dòng)電壓Vgs的幅值會(huì)隨著+310V的供電電壓的不同而不同（即+310V供電電壓為30V時(shí)，Vgs會(huì)變成
2019-07-16 02:49:22
電容充電，充電峰值電流會(huì)超過(guò)了單片機(jī)的 I/O 輸出能力，串上 R17 后可放慢充電時(shí)間而減小柵極充電電流?！ 〉谌?，當(dāng)柵極關(guān)斷時(shí)，MOS管的D-S極從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)時(shí)，漏源極電壓VDS會(huì)迅速增加
2023-03-10 15:06:47
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
保護(hù)IC驅(qū)動(dòng)不了MOS管，放電的時(shí)候MOS管有電壓，可是流過(guò)的電流很小是怎么回事呀？麻煩哪位知道的幫忙解答一下。
2016-09-13 14:24:24
穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過(guò)穩(wěn)壓管的電壓，就會(huì)引起較大的靜態(tài)功耗?！ ⊥瑫r(shí)，如果簡(jiǎn)單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會(huì)出現(xiàn)輸入電壓比較高的時(shí)候，MOS管工
2016-12-26 21:27:50
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)
2020-09-08 23:04:34
1.mos管漏源極電壓只要是不超過(guò)最大值就可以導(dǎo)通對(duì)應(yīng)的電壓嗎？2.mos驅(qū)動(dòng)芯片如IR2110，其供電的VCC電壓只要不超過(guò)手冊(cè)的最大值且大于最小值就可以隨意取嗎?
2021-04-06 20:34:12
都怕靜電； Mos開(kāi)關(guān)原理（簡(jiǎn)要）：Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。這個(gè)內(nèi)阻大小基本決定了mos芯片
2020-06-26 13:11:45
時(shí)，Q1也是截止的，此時(shí)Q1的發(fā)射極（Q2的發(fā)射極）也應(yīng)該不會(huì)是高電平吧！那為什么Q2會(huì)導(dǎo)通？ 電路是怎樣去驅(qū)動(dòng)mos管的 2. 如果圖騰柱電路的輸出是懸空的，就是不接mos管的情況下，電路還能正常工作嗎？ 3. 三極管Q1、Q2集電極發(fā)射極路徑不需要接任何電阻嗎？
2017-03-16 17:41:03
在一張圖中，源漏相連，襯底接地，柵極接入電路中加電壓，那這個(gè)時(shí)候MOS管是有什么作用呢？那為什么要用MOS而不直接用一個(gè)電容呢？這個(gè)地方加一個(gè)MOS電容的作用是什么呢，濾波？
2021-06-24 06:28:33
怎樣去使用MOS管？如何去實(shí)現(xiàn)MOS管的精確控制呢？
2021-10-09 08:36:20
，驅(qū)動(dòng)電壓越高，實(shí)際上導(dǎo)通電阻略大，而且最大導(dǎo)通電流也略大。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，一般Vgs設(shè)為12V左右。如何增強(qiáng)管子的帶載能力呢？除了選擇本身漏源電流比較大MOS管外，還可以采用MOS管并聯(lián)的方式。并聯(lián)時(shí)自動(dòng)均流
2023-02-16 15:21:14
如何測(cè)量n溝道mos管的開(kāi)啟電壓和電導(dǎo)常數(shù)呢？求大神解答
2023-03-15 17:22:46
如下圖，采用單片機(jī)他激方式驅(qū)動(dòng)霧化片，有時(shí)驅(qū)動(dòng)MOS管會(huì)很燙，有什么方式實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)，并且頻率隨時(shí)調(diào)整或者通過(guò)自激振蕩諧振在陶瓷片的諧振頻率上，求高手回答！ 一定要軟開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)，保證MOS管不燙。
2019-04-09 09:18:12
這個(gè)我不設(shè)計(jì)一個(gè)放電電阻，這個(gè)gs端的結(jié)電容是不是一直會(huì)存在這個(gè)開(kāi)通電壓值？那么這個(gè)MOS管是不是會(huì)保持一段長(zhǎng)時(shí)間的開(kāi)通？
2019-08-22 00:32:40
一般認(rèn)為MOSFET是
電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要
驅(qū)動(dòng)電流。然而，在
MOS的G S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容
會(huì)讓
驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話，
MOS管開(kāi)關(guān)速度越快越好，因?yàn)?/div>
2019-04-29 08:00:00
開(kāi)關(guān)電源MOS管關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的阻尼振蕩該如何降低呢？
2023-05-09 14:54:06
怎樣去計(jì)算MOS管柵極的驅(qū)動(dòng)電流呢？如何對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試呢？
2021-09-28 07:36:15
開(kāi)關(guān)時(shí)間，可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失；降低開(kāi)關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開(kāi)關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開(kāi)關(guān)損失。 4、MOS管驅(qū)動(dòng) 跟雙極性晶體管相比，一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要GS電壓
2018-10-18 18:15:23
下安全，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過(guò)穩(wěn)壓管的電壓，就會(huì)引起較大的靜態(tài)功耗。同時(shí)，如果簡(jiǎn)單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會(huì)出現(xiàn)輸入電壓比較
2018-10-19 15:28:31
MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過(guò)穩(wěn)壓管的電壓，就會(huì)引起較大的靜態(tài)功耗?！ ⊥瑫r(shí)，如果簡(jiǎn)單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會(huì)出現(xiàn)輸入電壓比較
2018-12-03 14:43:36
開(kāi)始上升，此時(shí)MOS管進(jìn)入飽和區(qū);但由于米勒效應(yīng)，Vgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升，此時(shí)ld已經(jīng)達(dá)到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅(qū)動(dòng)電壓的值，此時(shí)MOS管進(jìn)入電阻區(qū)，此時(shí)
2018-12-19 13:55:15
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)
2019-02-22 10:46:45
`大家好，我在做一個(gè)簡(jiǎn)單的低端驅(qū)動(dòng)，使用mos管驅(qū)動(dòng)電磁閥，電路及參數(shù)如下圖，mos管G極信號(hào)是0-12V?，F(xiàn)在的問(wèn)題是當(dāng)mos管打開(kāi)時(shí)，DS兩端電壓會(huì)逐漸上升，至6v左右，下圖中黃線為控制信號(hào)，紫線為DS電壓。請(qǐng)問(wèn)這種現(xiàn)象是什么原因呢?`
2015-02-06 20:32:21
的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。 MOS在導(dǎo)通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。MOS管兩端的電壓有一個(gè)下降
2018-10-26 14:32:12
的柵極驅(qū)動(dòng)電阻隔離驅(qū)動(dòng)，主要是可以防止各個(gè)MOS管的寄生振蕩，起到阻尼的作用。R1-4的取值怎么取呢？如果取值過(guò)小，可能就起不到防止各個(gè)MOS管的寄生振蕩的作用，如果取值大了，開(kāi)關(guān)速度會(huì)變慢，由于每個(gè)
2018-11-28 12:08:27
BVDSS，即便這個(gè)尖峰脈沖電壓的持續(xù)只有幾個(gè)或幾十個(gè)ns，功率MOS管也會(huì)進(jìn)入雪崩從而發(fā)生損壞?！ 〔煌谌龢O管和IGBT，功率MOS管具有抗雪崩的能力，而且很多大的半導(dǎo)體公司功率MOS管的雪崩能量在生
2018-11-19 15:21:57
耦合后會(huì)在
MOS管的柵極輸入端產(chǎn)生振蕩
電壓,振蕩
電壓會(huì)破壞
MOS管的氧化層?！ ∪?、
MOS管導(dǎo)通和截止的瞬間,漏極的高
電壓會(huì)通過(guò)
MOS管內(nèi)部的漏源電容偶合到功率
MOS管的柵極處,使
MOS管受損?！ ∷?/div>
2018-10-19 16:21:14
的電子通過(guò)導(dǎo)電溝道進(jìn)入被耗盡的垂直的N區(qū)中和正電荷，從而恢復(fù)被耗盡的N型特性，因此導(dǎo)電溝道形成。由于垂直N區(qū)具有較低的電阻率，因而導(dǎo)通電阻較常規(guī)MOS管將明顯降低?！ ⊥ㄟ^(guò)以上分析可以看到：阻斷電壓與導(dǎo)
2018-11-01 15:01:12
或者其他因素而變動(dòng)。這個(gè)變動(dòng)導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓是不穩(wěn)定的?！ 榱俗?b class="flag-6" style="color: red">MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓
2018-11-12 14:51:27
轉(zhuǎn)貼在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為
2017-12-05 09:32:00
通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也很大?？s短開(kāi)關(guān)時(shí)間，可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失，降低開(kāi)關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開(kāi)關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開(kāi)關(guān)損失。MOS管驅(qū)動(dòng)跟雙極性晶體管相比，一般認(rèn)為使
2017-08-15 21:05:01
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為
2018-11-27 13:44:26
小弟最近用2104和59n25搭了一個(gè)單橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)（用于pwm調(diào)速），現(xiàn)在用12v電源供電，一切正常，但這個(gè)電路最終要應(yīng)用在12到50v之間（給MOS管驅(qū)動(dòng)電機(jī)的電壓），查閱2104手冊(cè)，發(fā)現(xiàn)
2014-11-25 21:25:51
MOS管的門極開(kāi)通電壓典型值為多少伏？那么IGBT的門極開(kāi)通電壓典型值又為多少伏呢？
2019-08-20 04:35:46
網(wǎng)上基本都是說(shuō)，當(dāng)MOS關(guān)斷時(shí)，漏感會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓。那我想問(wèn)下，當(dāng)MOS管開(kāi)通時(shí)，這個(gè)漏感就不會(huì)對(duì)MOS管產(chǎn)生影響嗎？
2018-12-20 14:12:20
ncp81074a這個(gè)mos管的驅(qū)動(dòng)看不太懂，為啥珊級(jí)要加兩個(gè)電阻，OUTL和OUTH不是是驅(qū)動(dòng)兩個(gè)mos管嗎？只用一個(gè)電阻不行嗎？
2020-08-10 10:34:51
我做了個(gè)高端驅(qū)動(dòng)的MOS管，然后連的atmega328p。但是現(xiàn)在的問(wèn)題是低Vgs的時(shí)候MOS管不會(huì)完全打開(kāi)。比如這個(gè)電路的Vgs大概是在5V左右，但是門極和源極之間測(cè)得的電壓只有2.1V。
2018-12-05 11:43:29
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS管，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里
2021-10-29 08:34:24
作者：姜維老師（張飛實(shí)戰(zhàn)電子高級(jí)工程師）Mos管驅(qū)動(dòng)有多種方式，有專用驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)，也有用其他的器件搭建的驅(qū)動(dòng)，下面就講解下目前比較流行的幾種驅(qū)動(dòng)方式。最簡(jiǎn)單的方式就是電源管理芯片直接驅(qū)動(dòng)，電源芯片
2021-06-28 16:44:51
MOS管驅(qū)動(dòng)電壓最大是多少？過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓Vod=Vgs-Vth。可bai以理解為：du超過(guò)驅(qū)動(dòng)門限（Vth）的剩余電壓大小。1)只有在你的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓“dao大于零”的情況下，溝道才會(huì)形成，MOS管才會(huì)
2021-11-07 13:21:03
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