場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管一樣都能實(shí)現(xiàn)信號(hào)的控制,所以也常用于放大電路。場(chǎng)效應(yīng)管放大電路常見的組態(tài)有共源、共漏兩種。
2022-07-30 15:57:346987 編輯-Z15N120在TO-220封裝里引出3個(gè)引腳,是一款低功耗場(chǎng)效應(yīng)管。15N120的二極管浪涌正向電流(IFM)為45A,G-E漏電流(IGES)為100nA,其工作時(shí)耐溫度范圍為-55
2021-12-17 17:01:03
編輯-Z20N20在TO-220F封裝里引出3個(gè)引腳,是一款低功耗場(chǎng)效應(yīng)管。20N20的脈沖二極管正向電流(ISM)為72A,零柵極電壓漏極電流(IDSS)為10uA,其工作時(shí)耐溫度范圍為-55
2021-12-02 16:32:11
惠海半導(dǎo)體 供應(yīng)30V 30ATO-252MOS管HC020N03L,原裝,庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷HC020N03L參數(shù):30V 30A TO-252 N溝道 MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管品牌:惠海
2020-11-11 17:32:09
編輯-Z40N120在TO-220封裝里引出3個(gè)引腳,是一款低功耗場(chǎng)效應(yīng)管。40N120的脈沖集電極電流(ICM)為160A,G-E漏電流(IGES)為250nA,其工作時(shí)耐溫度范圍為-55~150
2021-12-03 16:38:53
`型號(hào):HC160N10L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管100V10A(10N10)TO-252封裝 內(nèi)阻145mR,可用于霧化器、車燈電源等型號(hào):HC080N10L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管100V17A(17N
2021-03-03 15:32:16
編輯-Z7N60在TO-220封裝里引出3個(gè)引腳,是一款低功耗場(chǎng)效應(yīng)管。7N60的脈沖二極管正向電流(ISM)為28A,漏源擊穿電流(IDSS)為1uA,其工作時(shí)耐溫度范圍為-55~150攝氏度
2021-12-16 16:58:19
功率放大電路和可編程rgulators等等。它們還可以用于檢測(cè)和控制家電、安全監(jiān)控系統(tǒng)以及其他依賴電力的電子設(shè)備?! 〉谌糠?使用N型場(chǎng)效應(yīng)管的要點(diǎn) 1、正確選擇N型場(chǎng)效應(yīng)管,要充分考慮各個(gè)參數(shù)
2023-03-08 14:21:22
四大類。一、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極,它們是:柵極;漏極;源極。電路符號(hào)中柵極
2019-05-08 09:26:37
?場(chǎng)效應(yīng)管分.用錶.N管.P.管.請(qǐng)教.多謝....
2011-03-01 23:34:24
1、放大電路 場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn),因此經(jīng)常作為多級(jí)放大電流的輸入級(jí),與三極管一樣,根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同,將場(chǎng)效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài),如下
2023-02-24 16:28:18
子相連,從而形成三端器件,例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 通常被認(rèn)為是一種晶體管,并用于模擬和數(shù)字電路。場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的一般結(jié)構(gòu)如下所示:場(chǎng)效應(yīng)管MOSFETP溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET和N
2022-09-06 08:00:00
場(chǎng)效應(yīng)管SVD4N65F可不可以用SVF4N65F的場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)替換路過(guò)的幫幫忙
2017-04-11 09:25:10
場(chǎng)效應(yīng)管放大電路與BJT放大電路的性能比較場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的共源電路、共漏電路、共柵電路分別與三極管放大電路的共射電路、共集電路、共基電路相對(duì)應(yīng)。共源電路與共射電路均有電壓放大作用,即,而且輸出電壓
2011-07-12 20:09:38
(1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。(2)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)
2021-05-13 07:09:34
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較(1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。(2
2018-11-05 17:16:04
好。(4)場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
2009-04-25 15:43:51
第一點(diǎn)是場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的控制方式不同1、場(chǎng)效應(yīng)管隨著電子技術(shù)不斷進(jìn)步,場(chǎng)效應(yīng)管的種類有好幾種,我們最常見的有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(FET管)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET管)這兩類。這兩類
2021-03-16 13:48:28
再用場(chǎng)效應(yīng)管做采樣保持電路,這里有電容以及控制場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)的脈沖,但實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí),電容的選擇以及脈沖的構(gòu)造都出現(xiàn)了問(wèn)題。無(wú)法實(shí)現(xiàn)這個(gè)功能。下面是電路圖。謝謝了
2013-05-26 23:24:36
求應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)管做一個(gè)直流電機(jī)(12v0.5A)正反轉(zhuǎn)的倒向開關(guān)電路
2015-06-05 15:50:09
場(chǎng)效應(yīng)管具有什么特點(diǎn)?場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是什么?
2021-09-29 07:19:20
場(chǎng)效應(yīng)管在電路中的應(yīng)用
2012-10-29 11:44:02
見的場(chǎng)效應(yīng)管多是P溝道的,在它的上面經(jīng)常見到的印刷標(biāo)志是:A2sHB、212T、212N、076A、AOGH、N57T、R1SG、S016J、S026I等 上圖是一個(gè)有主控控制耳機(jī)有沒(méi)有聲音輸出的電路
2018-10-10 15:11:23
四、場(chǎng)效應(yīng)管的作用1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作
2013-03-27 16:19:17
場(chǎng)效應(yīng)管SVD4N65F可以用SVF4N65FTO-220F 的場(chǎng)效應(yīng)管代替嗎
2017-04-10 13:05:24
場(chǎng)效應(yīng)管SVD4N65F可以用SVF4N65FTO-220F 的代替嗎
2017-04-10 13:04:42
溝道管各三只,構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。(4)現(xiàn)在市售VNF系列(N溝道)產(chǎn)品,是美國(guó)Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場(chǎng)效應(yīng)管,其最高工作頻率fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信號(hào)
2012-07-28 14:13:50
場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一種具有pn結(jié)的正向受控作用的有源器件,它是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電流的大小,其輸入端pn一般工作于反偏狀態(tài)或絕緣狀態(tài),輸入電阻很高,柵極處于絕緣狀態(tài)的場(chǎng)效應(yīng)管,輸入阻抗很大
2019-07-29 06:01:16
場(chǎng)效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動(dòng)-MOS管H橋原理所謂的H 橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。下圖就是一種簡(jiǎn)單的H 橋電路,它由2 個(gè)P型場(chǎng)效應(yīng)管Q1、Q2 與2 個(gè)N 型場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q3 組成,所以它叫P-NMOS
2021-06-29 07:52:44
場(chǎng)效應(yīng)管的作用 1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。 2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作
2019-05-29 06:18:14
場(chǎng)效應(yīng)管的作用1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。
2009-04-25 15:43:23
場(chǎng)效應(yīng)管的作用 1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。 2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)
2021-05-13 06:55:31
場(chǎng)效應(yīng)管si2301(p溝道)柵極D1接單片機(jī)引腳,電源接源極(s),輸出端漏極(d)接一個(gè)DCDC然后接負(fù)載。問(wèn)題是,單片機(jī)引腳低電平時(shí),輸出端(d)確實(shí)為高電壓,但是單片機(jī)引腳高電平時(shí)。輸出端為0.69v,并沒(méi)有完全關(guān)斷。這是場(chǎng)效應(yīng)管的原因還是電路的設(shè)計(jì)問(wèn)題?怎么讓場(chǎng)效應(yīng)管完全關(guān)斷呢?
2017-12-09 18:46:35
場(chǎng)效應(yīng)管的分類 場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中,應(yīng)用最為廣泛
2009-04-25 15:38:10
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。這里的溝道是指導(dǎo)電的主要離子,N溝道為電子,P溝道為空穴。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作,應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓,以保證耗盡層承受反向電壓;在漏源之間
2024-01-30 11:51:42
外形?! ?b class="flag-6" style="color: red">1、場(chǎng)效應(yīng)管的功能 場(chǎng)效應(yīng)管通常用來(lái)制作低噪聲高增益放大器,下圖所示為場(chǎng)效應(yīng)管電壓放大的原理示意圖。它與普通三極管的不同之處在于它是電壓控制器件,而三極管是電流控制器件?! ?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)管
2020-12-01 17:36:25
場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù):1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流
2009-04-25 15:43:12
場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)常用場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)表型號(hào)廠家用途構(gòu)造溝道方式v111(V)區(qū)分ixing(A)pdpch(W)waixingIRF48 IR N 60 50 190 TO-220ABIRF024 IR
2009-04-28 10:43:17
記錄VDSQ、IDQ。已知輸入正弦波信號(hào)有效值 Vi=150mv f=1000HZ VDD=12V RL=20kΩ,選2SK163(N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管)。 (3)測(cè)量電路的放大倍數(shù)Av、輸入阻抗Ri、輸出阻抗Ro并記錄。0次
2019-09-10 01:34:43
。 目前常用的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和MOS型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的管腳順序如下圖所示。六、常用場(chǎng)效用管1、MOS場(chǎng)效應(yīng)管 即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET
2009-04-25 15:43:42
場(chǎng)效應(yīng)管的特性是什么場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)有哪些場(chǎng)效應(yīng)管怎么選用?場(chǎng)效應(yīng)管的選用注意事項(xiàng)?
2021-04-20 06:49:52
場(chǎng)效應(yīng)管廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì)在于:首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。場(chǎng)效應(yīng)管需要的驅(qū)動(dòng)電流比BJT則小得多,而且通??梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動(dòng)
2020-07-10 14:51:42
`請(qǐng)問(wèn)場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電壓多少?`
2019-08-22 15:55:28
電流增大到一定電流時(shí)三極管導(dǎo)通,使場(chǎng)效應(yīng)管GS電壓下降來(lái)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流。 3也是最重要的一點(diǎn)也是我不理解的點(diǎn),我對(duì)tl431的了解,tl431是三端可調(diào)穩(wěn)壓管,U0=(1+R2/R3)2.5V,由公式看出
2015-09-22 20:06:06
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(電子為載流子),P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(空穴為載流子)。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管有四種類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET、N溝道耗盡型MOSFET、P溝道增強(qiáng)型MOSFET、P溝道耗盡型MOSFET。N溝道
2019-06-25 04:20:03
在分析的時(shí)候,比如此時(shí)輸入端為高電平,如何確定場(chǎng)效應(yīng)管源極(S極)的電平,從而無(wú)法確定Vgs的值大小
2016-01-09 20:11:56
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常用場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)送給需要代換查找的朋友IRF+2SJ系列場(chǎng)效應(yīng)管
2012-07-28 23:32:54
常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體管參數(shù)常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) (1)直流參數(shù) 飽和漏極電流IDSS 它可定義為:當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零,而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時(shí),對(duì)應(yīng)的漏極電流
2008-08-12 08:39:59
常用場(chǎng)效應(yīng)管資料對(duì)照表各個(gè)品牌的都有。 [hide][/hide]
2009-12-17 14:55:29
。40N120作用:1、場(chǎng)效應(yīng)管可用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,耦合電容可以有更小的容量,不必使用電解電容。2、場(chǎng)效應(yīng)管的高輸入阻抗非常適合進(jìn)行阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3
2021-12-18 16:12:29
和低噪聲電路。 AO3401參數(shù)描述型號(hào):AO3401封裝:SOT-23特性:低功耗場(chǎng)效應(yīng)管電性參數(shù):4.2A 30V持續(xù)漏極電流(ID):4.2A脈沖漏極電流(IDM):30A漏源電壓(VDS
2021-12-09 16:26:24
。飛虹微電子研發(fā)的這個(gè)FHP3205低壓MOS管在轉(zhuǎn)換效率、安全性能等方面都是可以替換IRF1010E場(chǎng)效應(yīng)管使用的。飛虹的這個(gè)FHP3205低壓場(chǎng)效應(yīng)管是N溝道溝槽工藝MOS管,主要適用于300W
2019-09-03 11:28:28
100W-12V輸入的逆變器保持輸出電源的穩(wěn)定性,這就需要一款低壓場(chǎng)效應(yīng)管能使100W-12V輸入的逆變器芯片保持穩(wěn)定工作。先來(lái)看看這款FHP50N06場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn):50A,60V, RDS
2021-01-23 03:47:50
; (3)飽和驅(qū)動(dòng)電壓,IGBT為15V~18V左右,場(chǎng)效應(yīng)管為8V~12V左右,兩者最高驅(qū)動(dòng)電壓都可達(dá)20V,使用場(chǎng)效應(yīng)管代替IGBT驅(qū)動(dòng)電路可不改; (4)壓降問(wèn)題,IGBT-H20R1203壓降約為
2021-03-15 15:33:54
。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。本文使用的是增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見圖4。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,PNP型通常稱P溝道型。由圖可看出,對(duì)于N溝道型的場(chǎng)效應(yīng)管其源極
2011-06-08 10:43:25
的不同,結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分,場(chǎng)效應(yīng)管又可分紅耗盡型與加強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有加強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強(qiáng)型;P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類。見下圖。
2018-10-29 22:20:31
編輯-Z25N120在TO-220封裝里引出3個(gè)引腳,是一款低功耗場(chǎng)效應(yīng)管。25N120的脈沖二極管正向電流(IFM)為150A,G-E漏電流(IGES)為250nA,其工作時(shí)耐溫度范圍為-55
2021-12-18 16:10:55
AO系列MOS管。SL403場(chǎng)效應(yīng)管 -30V-70A N溝道功率MOS管優(yōu)勢(shì)替代QOD403【場(chǎng)效應(yīng)管的作用】1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必
2020-06-11 16:41:28
AO系列MOS管。SL407 場(chǎng)效應(yīng)管 -60V-15A P溝道功率MOS管優(yōu)勢(shì)替代AOD407【場(chǎng)效應(yīng)管的作用】1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小
2020-06-11 16:43:16
使用電解電容器。2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)
2020-06-11 16:44:37
,制作和調(diào)試難度也較大,并且.成本也很高,所以不太適合初學(xué)者制作。下面介紹的這款VMOS場(chǎng)效應(yīng)管小功放,電路非常簡(jiǎn)單,制作調(diào)試也很容易,十分適合初學(xué)的愛好者。只要所用元器件良好,電路·焊接正確,就可一舉
2019-06-21 04:03:47
場(chǎng)效應(yīng)管。 國(guó)內(nèi)生產(chǎn)VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要廠家有877廠、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等,典型產(chǎn)品有VN401、VN672、VMPT2等。表1列出六種VMOS管的主要參數(shù)
2021-05-13 06:40:51
、逆變器使用。例如美國(guó)IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只,構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。(4)現(xiàn)在市售VNF系列(N溝道)產(chǎn)品,是美國(guó)Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場(chǎng)效應(yīng)管,其
2021-05-13 06:33:26
Q1為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管 該電路實(shí)際動(dòng)作:當(dāng)接通220V交流電,開關(guān)S為斷開時(shí),Q1導(dǎo)通,燈亮;當(dāng)開關(guān)S閉合時(shí),Q1截止,燈滅。問(wèn)題:即然Q1為N溝道增強(qiáng)型
2010-11-16 12:28:04
小弟在做一個(gè)boost電路,低壓3.6V。剛開始接觸,不了解具體型號(hào)的參數(shù)。求高手給個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管和電感型號(hào),要求3.6v導(dǎo)通電流能達(dá)到1A以上。
2013-04-19 13:37:51
兄弟姐妹們,做proteus仿真,發(fā)現(xiàn)里面找不著雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管3sk系列的怎么辦?????
2012-12-05 22:55:00
=0.01A=10mA,R1=(Uin-0.7V)/Ib=4.3V/10mA=430Ω,因此限流電阻R1必須選擇430Ω左右。2、場(chǎng)效應(yīng)管的基本原理及實(shí)例說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓型控制元件,場(chǎng)效應(yīng)管也分N溝道場(chǎng)效應(yīng)管
2021-01-15 15:33:15
工作在飽和區(qū),則根據(jù)Ib=Ic/β=0.5A/50=0.01A=10mA,R1=(Uin-0.7V)/Ib=4.3V/10mA=430Ω,因此限流電阻R1必須選擇430Ω左右。 2、場(chǎng)效應(yīng)管
2021-03-15 15:12:32
場(chǎng)效應(yīng)管性能當(dāng)面不是已經(jīng)超過(guò)了三極管了么,三極管會(huì)不會(huì)被淘汰?為什么總是討論三極管問(wèn)題?我是初學(xué)者,剛學(xué)了場(chǎng)效應(yīng)管,嘿嘿,
2015-11-04 12:54:44
大家好,我是電路小白。理論知識(shí)有點(diǎn),但是實(shí)踐機(jī)會(huì)甚少。想問(wèn)在維修電路板時(shí),有個(gè)別不重要的場(chǎng)效應(yīng)管壞了,可否用三極管代替呀?謝謝!
2021-11-27 12:47:16
場(chǎng)效應(yīng)管電路有問(wèn)題嗎?用的是P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管BSS84,電路如下,經(jīng)常GS間損壞,損壞后兩腳間有5K左右的電阻造成微導(dǎo)通D端有電壓輸出。電路有問(wèn)題嗎?是什么原因。
2019-10-18 22:00:33
、集成塊,各種工業(yè)模塊等,發(fā)光管、接收頭、開關(guān)、電位器、咪頭、晶振。三、二三極管、大小功率管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、三端穩(wěn)壓、整流橋、光耦、繼電器、變壓器,鉭電容、電感、磁珠、電解電容。四、內(nèi)存蕊片、存儲(chǔ)器
2020-07-15 09:51:38
的工作效率,電器廠家在采購(gòu)時(shí)必須選擇一款優(yōu)質(zhì)的MOS管。飛虹電子的這個(gè)FHP1404低壓MOS管為N溝道溝槽工藝MOS管,適用于500W/12V輸入的逆變器的前級(jí)電路,除了可替代HY4004場(chǎng)效應(yīng)管,還可
2019-08-10 16:05:34
、美容儀型號(hào):HC610N溝道場(chǎng)效應(yīng)管100V6A 6N10SOT23-3L內(nèi)阻80mR型號(hào):HC160N10LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 100V10A(10N10)TO-252封裝,內(nèi)阻145mR,可用于霧化器
2020-09-23 11:38:52
編輯-Z20N20參數(shù)描述型號(hào):20N20封裝:TO-220F特性:低功耗場(chǎng)效應(yīng)管電性參數(shù):20A 200V連續(xù)二極管正向電流(IS):20A脈沖二極管正向電流(ISM):72A漏源電壓(VDSS
2021-12-17 17:02:12
,所以它的交流輸入阻抗極高;噪聲也小,最合適制作Hi- Fi音響;5.功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)可以多個(gè)并聯(lián)使用,增加輸出電流而無(wú)需均流電阻?! 」β?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)典型應(yīng)用電路1.電池反接
2011-12-19 16:52:35
1、驅(qū)動(dòng)電路功率場(chǎng)效應(yīng)管為單極型器件,輸入阻抗高。因而開關(guān)速度快,驅(qū)動(dòng)功率小,電路簡(jiǎn)單。但其極間電容較大,因此工作速度和驅(qū)動(dòng)源的內(nèi)阻抗有關(guān),柵極驅(qū)動(dòng)電路的形式各種各樣,按驅(qū)動(dòng)電路與柵極的連接方式
2018-01-31 10:01:49
缺點(diǎn)是通態(tài)電阻大、導(dǎo)通壓降高、耐壓和電流容量較難提高等。一、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理場(chǎng)效應(yīng)管有垂直導(dǎo)電與橫向?qū)щ妰煞N結(jié)構(gòu),根據(jù)載流子的性質(zhì),又可分為N溝道和P溝道兩種類型v功率場(chǎng)效應(yīng)管幾乎都是由垂直導(dǎo)電
2018-01-29 11:04:58
使用的。飛虹電子的FHP740高壓MOS管為N溝道增強(qiáng)型高壓功率場(chǎng)效應(yīng)管,除了可代替11N40場(chǎng)效應(yīng)管使用,還可替換10N40、IRF740型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)管。這個(gè)FHP740主要應(yīng)用于300W/220V方波
2019-07-22 15:36:13
速度快.FHP10N60的主要封裝形式是TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263,腳位排列位GDS。這款場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù):Vgs(±V):30;VTH(V):2-4;ID(A):10
2020-09-30 07:05:19
場(chǎng)效應(yīng)管SVD4N65F可不可以用SVF4N65F的場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)替換路過(guò)的幫幫忙
2017-04-10 14:30:49
收購(gòu)公司,個(gè)人個(gè)人電子元器件回收,集成電路收購(gòu),咪頭收購(gòu),金膜電容收購(gòu)公司,家電IC回收公司,液晶屏回收中心,ic集成電路回收中心,收購(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管,回收工廠ic,個(gè)人庫(kù)存?zhèn)€人庫(kù)存電子元器件回收公司,過(guò)期
2020-07-16 10:36:53
說(shuō)到
場(chǎng)效應(yīng)管的長(zhǎng)相恐怕我就不用貼圖了,在
電路圖中它
常用表示,關(guān)于它的構(gòu)造原理由于比較抽象,我們是通俗化講它的使用,所以不去多講,由于根據(jù)使用的場(chǎng)合要求不同做出來(lái)的種類繁多,特性也都不盡相同;我們?cè)?/div>
2021-05-25 06:00:00
組成的推挽推動(dòng)級(jí),例如電磁爐IGBT管的推動(dòng)電路。如圖1所示。該推動(dòng)級(jí)工作在開關(guān)狀態(tài),輸出功率可以達(dá)5W左右,因?yàn)槭巧錁O輸出,所以輸出阻抗很?。?lt; 10Ω)。無(wú)需功率驅(qū)動(dòng)的場(chǎng)效應(yīng)管為何要用大功率低阻抗的推動(dòng)級(jí)呢?
2019-05-22 08:29:46
小弟要設(shè)計(jì)一個(gè)直流電機(jī)(90V,70W)正反轉(zhuǎn)的控制電路,考慮用H橋,場(chǎng)效應(yīng)管計(jì)劃用IRF9630和IRF630N,控制部分采用單片機(jī)接光耦來(lái)驅(qū)動(dòng),但是光耦選哪種以及光耦驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管電路不熟悉,請(qǐng)高手提供下合適的驅(qū)動(dòng)電路,如有完整H橋電路最好了,謝謝。
2014-09-08 21:40:12
我按照課本為3v357Khz的振蕩源設(shè)計(jì)了一個(gè)IRF540場(chǎng)效應(yīng)管放大電路,但不知道具體C1,c2,R1,R2等原件的具體取值應(yīng)該是多少,請(qǐng)高手幫忙計(jì)算一下,謝謝了,比較急。
2014-03-13 12:52:12
純直流場(chǎng)效應(yīng)管功放電路原理圖
2019-11-01 09:10:41
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作,應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓,以保證耗盡層承受反向電壓;在漏源之間加正向電壓,以形成漏極電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
如圖:這個(gè)N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,這樣接行不行?
2023-11-26 22:22:46
物美。而逆變器后級(jí)電路可應(yīng)用的場(chǎng)效應(yīng)管除了TK8A50D,還有飛虹電子生產(chǎn)的這個(gè)FHP840 高壓MOS管。飛虹電子的這個(gè)FHP840 高壓MOS管為N溝道增強(qiáng)型高壓功率場(chǎng)效應(yīng)管,F(xiàn)HP840場(chǎng)效應(yīng)管
2019-08-15 15:08:53
編輯-ZASEMI場(chǎng)效應(yīng)管15N120是什么工作原理?15N120是比較常用的MOS管,它的工作原理跟其他MOS管的原理是一樣的。 15N120參數(shù)描述型號(hào):15N120封裝:TO-220特性
2021-12-02 16:30:54
的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)等。飛虹研發(fā)的這個(gè)FHP3205低壓MOS管在轉(zhuǎn)換效率、安全性能等方面都是可以替換IRF1010E場(chǎng)效應(yīng)管使用的。飛虹的這個(gè)FHP3205低壓場(chǎng)效應(yīng)管是N溝道溝槽工藝MOS管,主要適用于300W
2019-08-29 13:59:20
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常,場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的主體與源極端子相連,從而形成三端器件,例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 通常被認(rèn)為是一種晶體管,并用于模擬和數(shù)字電路。
2023-01-08 10:00:591473 了實(shí)現(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)管的控制,就需要用到一些驅(qū)動(dòng)芯片,下面我們就來(lái)詳細(xì)介紹一些常用的場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)芯片。 1. IR2110 IR2110是一款用于驅(qū)動(dòng)單個(gè)或雙路MOS場(chǎng)效應(yīng)管的高壓、高速驅(qū)動(dòng)芯片。它采用了IR公司自主開發(fā)的高速和高電壓集成電路工藝,
2023-08-25 15:47:392610 既然效率這么好,在國(guó)內(nèi)能有什么優(yōu)質(zhì)MOS管使用呢?除市場(chǎng)中的IPT020N10N5參數(shù)型號(hào),我們還是選擇飛虹半導(dǎo)體的FHL300N1F2A型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管。
2023-09-23 11:22:33798
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