作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限,而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1010918 下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列,進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19736 有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
Si整流器與SiC二極管:誰(shuí)會(huì)更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時(shí)振蕩以及故障處理等問(wèn)題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。如圖1所示,與同類型的Si MOSFET相比,900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
一樣,商用SiC功率器件的發(fā)展走過(guò)了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中,并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡(jiǎn)要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其未來(lái)的商業(yè)前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
從本文開始,將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等
2018-11-30 11:34:24
二極管的比較所謂SiC-SBD-與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較所謂SiC-SBD-與Si-PND的正向電壓比較所謂SiC-SBD-SiC-SBD的發(fā)展歷程所謂SiC-SBD-使用SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)所謂
2018-11-27 16:40:24
”)應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET,這里給出了DMOS結(jié)構(gòu),不過(guò)目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面,Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
的小型化。 另外,SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng),從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化?! ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片
2023-02-07 16:40:49
電導(dǎo)率調(diào)制,向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴,因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小,但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚,在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流,從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說(shuō)明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外,包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異,如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
。 首先,在SiC-MOSFET的組成中,發(fā)揮了開關(guān)性能的優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)了Si IGBT很難實(shí)現(xiàn)的100kHz高頻工作和功率提升。另外,第二代(2G)SiC-MOSFET中,由2個(gè)晶體管并聯(lián)組成了1個(gè)開關(guān)
2018-11-27 16:38:39
面對(duì)SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來(lái)比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù),所以不僅要比較trr的數(shù)值,還要
2018-11-29 14:34:32
前面對(duì)SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性進(jìn)行了比較。下面對(duì)二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進(jìn)行說(shuō)明。SiC-SBD和Si-PND正向電壓特性的區(qū)別二極管的正向電壓VF無(wú)限接近零
2018-11-30 11:52:08
,已實(shí)施了評(píng)估的ROHM的SiC-SBD,在與我們熟知的Si晶體管和IC可靠性試驗(yàn)相同的試驗(yàn)中,確保了充分的可靠性。另外,關(guān)于SiC-SBD,可能有人聽說(shuō)過(guò)有與dV/dt或dI/dt相關(guān)的破壞模式
2018-11-30 11:50:49
時(shí)間trr快(可高速開關(guān))?trr特性沒(méi)有溫度依賴性?低VF(第二代SBD)下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比,大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對(duì)象,對(duì)特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中,也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的,所以在此匯總一下SiC
2018-11-30 11:51:17
繼SiC功率元器件的概述之后,將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SBD”)的結(jié)構(gòu)開始
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步,從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
SiC46x是什么?SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)?SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
2021-07-09 07:11:50
工作等SiC的特征所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。通過(guò)與Si的比較來(lái)進(jìn)行介紹?!钡妥柚怠笨梢詥渭兘忉尀闇p少損耗,但阻值相同的話就可以縮小元件(芯片)的面積。應(yīng)對(duì)大功率時(shí),有時(shí)會(huì)使用將多個(gè)晶體管和二極管一體化的功率模塊
2018-11-29 14:35:23
電導(dǎo)率調(diào)制,向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴,因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小,但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚,在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流,從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料,與Si相比,它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙,SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
與硅相比,SiC有哪些優(yōu)勢(shì)?SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能?碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些?
2021-07-12 08:07:35
設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)有待優(yōu)化,價(jià)格較高,但肯定是未來(lái)的方向。 SiC投資陸續(xù)開花結(jié)果功率器件是電動(dòng)汽車電力電子系統(tǒng)的“心臟”,承擔(dān)著對(duì)電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換和控制的作用,電動(dòng)汽車對(duì)其需求巨大。電動(dòng)汽車飛速發(fā)展,也給了
2022-12-27 15:05:47
。SiC-SBD覆蓋了Si-PND/FRD的大部分耐壓范圍,因此將該耐壓范圍的Si-PND/FRD替換為SiC-SBD,可改善恢復(fù)特性,并可在應(yīng)用上發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)。-SiC-SBD覆蓋了Si-SBD無(wú)法攀登
2018-12-03 15:12:02
柵極電荷,它可以使用高開關(guān)頻率,從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發(fā)展,GaN功率元件是個(gè)后進(jìn)者,它是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢(shì)的寬能隙材料,但擁有更大的成本控制潛力,尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們!羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè),自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
失效模式等。項(xiàng)目計(jì)劃①根據(jù)文檔,快速認(rèn)識(shí)評(píng)估板的電路結(jié)構(gòu)和功能;②準(zhǔn)備元器件,相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項(xiàng)目開展,按時(shí)間計(jì)劃實(shí)施,④項(xiàng)目調(diào)試,優(yōu)化,比較,分享。預(yù)計(jì)成果分享項(xiàng)目的開展,實(shí)施,結(jié)果過(guò)程,展示項(xiàng)目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
我國(guó)“新基建”的各主要領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用。
一、 SiC的材料優(yōu)勢(shì)
碳化硅(SiC)作為寬禁帶材料相較于硅(Si)具有很多優(yōu)勢(shì),如表1所示:3倍的禁帶寬度,有利于碳化硅器件工作在更高的溫度;10倍
2023-10-07 10:12:26
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換,并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如,900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻(圖 1)。圖 1:SiC MOSFET(右側(cè))與硅
2017-12-18 13:58:36
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù),提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流,且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù),提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流,且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
Si-FRD低。SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)從SiC-SBD的這些特征可以看出,替代Si-PND/FRD的優(yōu)勢(shì)是得益于SiC-SBD的“高速性”。??1.trr高速,因此可大幅降低恢復(fù)損耗,實(shí)現(xiàn)高效率??2.同樣
2018-11-29 14:33:47
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn),根據(jù)這之前介紹過(guò)的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能,可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開關(guān)損耗、2)開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比,大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為SiC-SBD與Si-FRD(快速恢復(fù)二極管)的trr比較。恢復(fù)的時(shí)間trr很短,二極管關(guān)斷時(shí)的反向電流
2018-12-04 10:26:52
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù),提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流,且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢(shì)?
2021-02-22 07:16:36
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
的發(fā)展中,Si功率器件已趨其發(fā)展的材料極限,難以滿足當(dāng)今社會(huì)對(duì)于高 頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型化的新需求。以SiC為代表的 第三代半導(dǎo)體材料憑借其優(yōu)異屬性,將成為突破口,正在迅速
2017-07-22 14:12:43
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢(shì)。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢(shì),高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
應(yīng)用看,未來(lái)非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到,一旦國(guó)內(nèi)品牌誰(shuí)先成功掌握這種技術(shù),那它就會(huì)呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天,SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列:TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
?! 」β拾雽?dǎo)體就是這樣。在首度商業(yè)化時(shí),碳化硅的創(chuàng)新性和較新的顛覆性技術(shù)必然很昂貴,盡管認(rèn)識(shí)到了與硅基產(chǎn)品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潛在優(yōu)勢(shì),大多數(shù)工程師還是把它放在了“可有可無(wú)”的清單
2023-02-27 14:28:47
億美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬(wàn)美元。拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出,相較目前主流的硅晶圓(Si),第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外,也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢(shì),不僅可使芯片
2019-05-09 06:21:14
本帖最后由 傲壹電子 于 2017-6-16 10:38 編輯
1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品,并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。ROHM的SiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
低,可靠性高,在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓(VF)降低70%以上,實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
絕大多數(shù)情況下都取決于IC的規(guī)格,因此雖然不是沒(méi)有方法,但選用專為SiC-MOSFET用而優(yōu)化的電源IC應(yīng)該是上策。具體一點(diǎn)來(lái)講,在規(guī)格方面,一般的IGBT或Si-MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓為VGS
2018-11-27 16:54:24
請(qǐng)問(wèn)一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢(shì)主要有哪些?
2021-08-03 07:34:15
2 : Si、SiC和GaN的特性優(yōu)值比較(source:YoleDeveloppement)WINSIC4AP 的主要目標(biāo)主要目標(biāo)WinSiC4AP致力于為高效能、高成本效益的目標(biāo)應(yīng)用開發(fā)可靠的技術(shù)
2019-06-27 04:20:26
SIC是什么呢?相比于Si器件,SiC功率器件的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在哪些方面?電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4411979 SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大,充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁,可以提供高功率密度、超小的體積,因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 材料又具有優(yōu)于傳統(tǒng) Si 的特性,那么為什么見得最多的卻是 SiC MOS,SiC IGBT 在哪兒呢?
2020-03-20 15:56:284190 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限,而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以,出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo),SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 電力電子產(chǎn)業(yè)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)之一便是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計(jì),而在高開關(guān)頻率高功率的應(yīng)用中,SiC器件優(yōu)勢(shì)明顯,這就使得SiC MOSFET在5G基站、工業(yè)電源、光伏、充電
2021-08-13 18:16:276631 。在接受《半導(dǎo)體工程》采訪時(shí),Veliadis詳細(xì)介紹了SiC制造工藝和Si工藝的差異的一些要點(diǎn)。 Etch蝕刻工藝。SiC在化學(xué)溶劑中呈現(xiàn)惰性,只有干法蝕刻可行。掩膜材料、掩膜蝕刻的選擇、混合氣體
2022-08-19 16:53:301022 SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)和用例是什么?
2022-12-28 09:51:201034 為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對(duì)象,對(duì)特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中,也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代,性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 關(guān)于SiC-SBD,前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容,并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:18705 從本文開始,將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對(duì)象,對(duì)特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中,也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的,所以在此匯總一下SiC-SBD的發(fā)展,整理一下當(dāng)前實(shí)際上供應(yīng)的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 SiC-SBD為形成肖特基勢(shì)壘,將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合(肖特基結(jié))。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同,僅電子移動(dòng)、電流流動(dòng)。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu),電流通過(guò)電子與空穴(孔)流動(dòng)。
2023-02-23 11:24:11586 本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:57736 碳化硅(SiC)器件是一種新興的技術(shù),具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙,允許更高的電壓阻斷,并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外,SiC還具有比Si更低的熱阻,這意味著它可以更有效地散熱,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 我們聊了關(guān)于UPS的概念和分類,以及在線式UPS的三個(gè)工作模式。第三代寬禁帶半導(dǎo)體WBG的誕生和發(fā)展,讓很多使用Si基半導(dǎo)體器件的行業(yè)得到提升,今天我們就簡(jiǎn)單地聊聊SiC在UPS中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。
2023-04-14 14:35:10788 一、什么是SiC半導(dǎo)體?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時(shí)可以在較寬
2023-08-21 17:14:581145 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SiC應(yīng)用優(yōu)勢(shì)及趨勢(shì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-29 16:24:511 如今,大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅(Si)為基材料,但近年來(lái),一個(gè)相對(duì)新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅,也稱為SiC。目前,SiC主要應(yīng)用于MOSFET和肖特基二極管等半導(dǎo)體技術(shù)。
2023-09-05 10:56:05277 硅碳化物(SiC)技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了臨界點(diǎn),即無(wú)可否認(rèn)的優(yōu)勢(shì)推動(dòng)一項(xiàng)技術(shù)快速被采用的狀態(tài)。
2023-09-07 16:13:00661 碳化硅(SiC)技術(shù)已達(dá)到臨界點(diǎn),即不可否認(rèn)的優(yōu)勢(shì)推動(dòng)技術(shù)快速采用的狀態(tài)。 如今,出于多種原因,希望保持競(jìng)爭(zhēng)力并降低長(zhǎng)期系統(tǒng)成本的設(shè)計(jì)人員正在轉(zhuǎn)向基于SiC的技術(shù),其中包括: 降低總擁有
2023-10-13 09:24:17824 Si對(duì)比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 SiC的導(dǎo)熱性大約是Si的三倍,并且將其他特性的所有優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起。導(dǎo)熱率是指熱量從半導(dǎo)體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達(dá)200°C的溫度下工作,而Si的典型工作溫度限制為150°C。
2023-11-23 15:08:11490
評(píng)論
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