瞻芯電子比鄰驅(qū)動(dòng)?SiC專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)支持多領(lǐng)域高效應(yīng)用(下）

比鄰驅(qū)動(dòng)(Nextdrive)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開(kāi)發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)芯片，具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。日前，瞻芯電子發(fā)文介紹了該系列產(chǎn)品的特點(diǎn)、碳化硅(SiC)MOSFET驅(qū)動(dòng)的要求、隔離與非隔離驅(qū)動(dòng)的選型考慮等，本文繼續(xù)介紹比鄰驅(qū)動(dòng)(Nextdrive)系列芯片在下列場(chǎng)景的應(yīng)用方案：

車(chē)載空調(diào)壓縮機(jī)應(yīng)用

叉車(chē)充電機(jī)應(yīng)用

車(chē)載PTC加熱方案

風(fēng)機(jī)驅(qū)動(dòng)方案

IVCR1412芯片多管并聯(lián)

高密度電源方案

Local Buffer方案

比鄰驅(qū)動(dòng)TM芯片應(yīng)用

1、3種車(chē)載空調(diào)壓縮機(jī)應(yīng)用方案

1.1基于IVCR1402芯片的空壓機(jī)驅(qū)動(dòng)方案，通過(guò)了知名客戶(hù)的嚴(yán)格驗(yàn)證，已量產(chǎn)上車(chē)應(yīng)用，如下圖：

方案特點(diǎn)：

芯片集成負(fù)壓，支持負(fù)壓自舉供電，單路驅(qū)動(dòng)電源供電驅(qū)動(dòng)6路碳化硅MOSFET；如下圖，綠色通道是自舉回路，因?yàn)樨?fù)壓是串聯(lián)在OUT端的設(shè)計(jì)，所以自舉的時(shí)候，上管可以獲得完整的驅(qū)動(dòng)電壓。

無(wú)需處理寄生電容。常規(guī)多路供電在變壓器中有嚴(yán)重的寄生電容，而需外加共模電感對(duì)共模電流回路做抑制，如下圖，但自舉方案則不存在該問(wèn)題。

有完善的短路保護(hù)。常規(guī)雙通道隔離驅(qū)動(dòng)無(wú)法實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)，所以應(yīng)用中還是有風(fēng)險(xiǎn)的；IVCR1402有對(duì)短路保護(hù)專(zhuān)門(mén)優(yōu)化，所以更適合碳化硅MOS應(yīng)用。在實(shí)測(cè)中模擬上管短路，IVCR1402在短短1.6us后迅速啟動(dòng)了對(duì)下管的短路保護(hù)，如下右圖：

1.2 基于IVCO1A02DW芯片的空壓機(jī)驅(qū)動(dòng)方案如下：

方案特點(diǎn)：

IVCO1A0x系列芯片已量產(chǎn)，并獲車(chē)規(guī)認(rèn)證(ACE-Q100）。

支持米勒鉗位

相關(guān)鏈接：隔離驅(qū)動(dòng)芯片IVCO1A0x獲車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證，助力汽車(chē)電子應(yīng)用

1.3 基于IVCR1402+IVCO1412DW芯片的空壓機(jī)驅(qū)動(dòng)方案如下：

方案特點(diǎn)：

IVCO1412DW是集成了隔離功能和負(fù)壓驅(qū)動(dòng)的在研產(chǎn)品，將保留完整性能（短路/負(fù)壓/自舉），同時(shí)提高方案的集成度，進(jìn)一步降低成本，縮小PCB需要的空間面積，有望成為最優(yōu)方案。自舉供電回路示意圖如下：

2、叉車(chē)充電機(jī)應(yīng)用：

方案特點(diǎn)：

集成負(fù)壓，可實(shí)現(xiàn)快速的短路保護(hù)，支持負(fù)壓自舉供電，系統(tǒng)的供電策略更簡(jiǎn)單；

已通過(guò)量產(chǎn)驗(yàn)證；

3、車(chē)載PTC加熱方案

方案特點(diǎn)：滿足車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)；有短路保護(hù)；集成負(fù)壓；

4、風(fēng)機(jī)驅(qū)動(dòng)方案

方案特點(diǎn)：

?兼容IGBT與SiC的設(shè)計(jì)；

有兩種功能可選：短路保護(hù)或米勒鉗位，且很方便在PCB設(shè)計(jì)階段兼容；

5、IVCR1412芯片多管并聯(lián)

方案特點(diǎn)：

采用分布式驅(qū)動(dòng)，并聯(lián)的MOS的柵極完全解耦，從根本上排除柵極振蕩的可能；

因IVCR1412獨(dú)特的準(zhǔn)恒流源設(shè)計(jì)，不需要驅(qū)動(dòng)電阻，也給每個(gè)單管提供了單獨(dú)的米勒鉗位路徑；

SOT23的封裝可以緊鄰單管放置，體現(xiàn)了比鄰驅(qū)動(dòng)（Nextdrive）設(shè)計(jì)理念；

本方案在實(shí)測(cè)中，采用IV1Q12050T4(1200v 50mΩ TO247-4)四管并聯(lián)開(kāi)關(guān)波形如下：

6、高密度電源方案

方案特點(diǎn)：集成度更高，外圍電路簡(jiǎn)潔，且集成負(fù)壓，非常適合磚塊電源、高密度電源；

7、Local Buffer方案

適用場(chǎng)景：因結(jié)構(gòu)布局原因，隔離驅(qū)動(dòng)離管子較遠(yuǎn)，特別是貼裝器件+鋁基板方式，驅(qū)動(dòng)器不能靠近開(kāi)關(guān)管擺放；

總結(jié)

瞻芯電子比鄰驅(qū)動(dòng)（Nextdrive）系列碳化硅(SiC)專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)芯片可適應(yīng)多種行業(yè)應(yīng)用，匹配各種特殊驅(qū)動(dòng)要求：

IVCR1401/2,IVCO1412,IVCR1412集成負(fù)壓，提高了系統(tǒng)集成度，特別是負(fù)壓生成的方式非常有特點(diǎn)，支持自舉；

IVCR1401/IVCO1411集成desat保護(hù)，是市場(chǎng)少有的在SOIC-8封裝上集成了短路保護(hù)的芯片；

IVCR1412是市場(chǎng)上少有的專(zhuān)門(mén)支持SiC MOSFET的非隔離驅(qū)動(dòng)，非常適合作為local buffer來(lái)使用；

審核編輯：劉清