2020全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(重慶)博覽會(huì) 展會(huì)主題:“芯”動(dòng)力 新發(fā)展一、時(shí)間、地點(diǎn)、規(guī)模時(shí)間:2020年5月7日-9日地點(diǎn):重慶國(guó)際博覽中心展會(huì)規(guī)模:展示面積30000㎡,參展企業(yè)達(dá)500家,專業(yè)觀眾
2019-12-10 18:20:16
半導(dǎo)體材料可分為單質(zhì)半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體兩類,前者如硅(Si)、鍺(Ge)等所形成的半導(dǎo)體,后者為砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等化合物形成。半導(dǎo)體在過(guò)去主要經(jīng)歷了三代變化
2019-05-06 10:04:10
化合物半導(dǎo)體在通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開(kāi)關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表,相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多,制造成本更為高昂,可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
我國(guó)科學(xué)家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國(guó)氧化鎵領(lǐng)域研究連續(xù)取得突破日前,西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡(jiǎn)稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體,其研究開(kāi)發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
半導(dǎo)體二極管按其結(jié)構(gòu)的不同可分為點(diǎn)接觸型和面接觸型兩類。 點(diǎn)接觸型二極管是將一根很細(xì)的金屬觸絲(如三價(jià)元素鋁)和一塊半導(dǎo)體(如鍺)熔接后做出相應(yīng)的電極引線,再外加管殼密封而成。其結(jié)構(gòu)圖如圖(a
2021-05-13 07:52:35
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件,當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí),在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量,可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù),其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件,可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么?半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?
2021-02-24 09:24:02
什么呢?一般固體材料依導(dǎo)電情形可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體及絕緣體。半導(dǎo)體通常采用矽當(dāng)導(dǎo)體,因?yàn)榛瘜W(xué)元素的矽晶體內(nèi),每個(gè)原子都能貢獻(xiàn)四個(gè)價(jià)電子,而矽原子內(nèi)部原子核帶有四個(gè)正電荷。相鄰原子間的電子對(duì),構(gòu)成了原子間
2018-11-08 11:10:34
在制造半導(dǎo)體器件時(shí),為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體,使之導(dǎo)電性極差,然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性?
2012-07-11 20:23:15
不同廠商有不同的應(yīng)用場(chǎng)景,而適合構(gòu)架和解決方案也各不相同,如云側(cè)和端側(cè)處理構(gòu)架的設(shè)計(jì)導(dǎo)向差別較大。對(duì)于半導(dǎo)體領(lǐng)域,只要市場(chǎng)規(guī)模足夠大,有足夠多的客戶買單,那么就有足夠的動(dòng)力去做相應(yīng)的硬件定制。下面對(duì)以Nvidia和Intel為代表的半導(dǎo)體廠商方案進(jìn)行論述。
2019-08-09 07:40:59
器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管 第二部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí):A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí):A-PNP型鍺
2021-05-25 07:46:36
”對(duì)越多;在室溫下,“電子—空穴”對(duì)少,故電阻率大。2. 摻雜半導(dǎo)體及其特點(diǎn) (1) N 型半導(dǎo)體:在本征硅或鍺中摻入適量五價(jià)元素形成 N 型半導(dǎo)體, N 型半導(dǎo)體中電子為多子,空穴為少子;電子的數(shù)目
2021-05-24 08:05:48
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體放電管TSS是一種高壓、高速、低電流的電子元件,廣泛用于電力電子、通訊、光電子等領(lǐng)域。本文將從TSS的定義、工作原理、應(yīng)用場(chǎng)景等多個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹,幫助大家更好地了解這一電子元件。接下來(lái)
2024-03-06 10:03:11
的電壓下降到一定程度時(shí),PN結(jié)或P-i-N結(jié)的電場(chǎng)會(huì)恢復(fù)正常,電流也會(huì)停止并恢復(fù)到初始狀態(tài)。三、半導(dǎo)體放電管TSS在電力電子領(lǐng)域中的應(yīng)用TSS廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域中,它被用于開(kāi)關(guān)變換器、逆變器、直流
2024-03-06 10:07:51
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展,從使用到創(chuàng)新,擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初,就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年,氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用,是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成,成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
閾值叫死區(qū)電壓,硅管約0.5V,鍺管約0.1V。(硅和鍺是制造晶體管最常用的兩種半導(dǎo)體材料,硅管較多,鍺管較少)也就是我們?cè)诙O管整流得時(shí)候理想是,整個(gè)周期都是導(dǎo)通的,但是由于死區(qū)電壓的存在,實(shí)際上并不是全部導(dǎo)通的,當(dāng)半導(dǎo)體電壓
2021-09-03 07:21:43
作者: Robert GeeMaxim Integrated核心產(chǎn)品事業(yè)部執(zhí)行業(yè)務(wù)經(jīng)理 在半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,管理成本依然是最嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)之一,因?yàn)樽詣?dòng)化測(cè)試設(shè)備(ATE)是一項(xiàng)重大的資本支出。那么,有沒(méi)有能夠降低每片晶圓的成本,從而提升競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的方法呢?有,答案就是提高吞吐率。
2019-07-29 08:11:12
、能耗低、電光轉(zhuǎn)換效率高、易于大規(guī)模生產(chǎn)以及價(jià)格較低廉等優(yōu)點(diǎn),在CD激光唱片機(jī)、光纖通信、光存儲(chǔ)器、激光打印機(jī)等獲得廣泛應(yīng)用,范圍覆蓋了整個(gè)光電子學(xué)領(lǐng)域。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和突破,半導(dǎo)體激光器正向發(fā)射波長(zhǎng)
2019-04-01 00:36:01
之一摩爾曾在1965年作出預(yù)言:半導(dǎo)體將會(huì)得到高速發(fā)展,電子學(xué)會(huì)隨之獲得廣泛的普及,滲透到寬廣的應(yīng)用領(lǐng)域中。從半個(gè)世紀(jì)之后再往回看,這一預(yù)言早已得到了完美印證。雖然光纖激光器優(yōu)勢(shì)市場(chǎng)潛力很大,不過(guò)
2019-05-13 05:50:35
半導(dǎo)體具有獨(dú)特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時(shí),它們的導(dǎo)電能力 會(huì)顯著增加,所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件(如熱敏電阻)和各種光 敏元件(如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等)。更重
2017-07-28 10:17:42
半導(dǎo)體具有獨(dú)特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時(shí),它們的導(dǎo)電能力 會(huì)顯著增加,所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件(如熱敏電阻)和各種光 敏元件(如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等)。更重
2018-02-11 09:49:21
半導(dǎo)體溫差致冷是建立在法國(guó)物理學(xué)家Peltien帕爾帖效應(yīng)(即溫差效應(yīng))基礎(chǔ)上的具體應(yīng)用。當(dāng)電流流經(jīng)兩種不同性質(zhì)的導(dǎo)體形成接點(diǎn)時(shí),其接點(diǎn)會(huì)產(chǎn)生放熱和吸熱現(xiàn)象,即其兩端形成溫差而實(shí)現(xiàn)制冷和制熱。
2020-04-03 09:02:41
國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
半導(dǎo)體是什么?芯片又是什么?半導(dǎo)體芯片是什么?半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的?
2021-07-29 09:18:55
年代,當(dāng)材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后,半導(dǎo)體才得到工業(yè)界的重視。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等,而硅則是各種半導(dǎo)體材料中,在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。芯片芯片(chip),又稱微芯片
2020-11-17 09:42:00
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么?`
2020-03-24 17:12:08
掙脫束縛,會(huì)導(dǎo)致載流子濃度上升,從而打破這個(gè)平衡,溫度一定后會(huì)再次建立平衡。雜質(zhì)半導(dǎo)體通過(guò)擴(kuò)散工藝,在本征半導(dǎo)體摻入某些元素。一 .N型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體加入+5價(jià)元素磷,由于加入了最外層為5個(gè)電子
2020-06-27 08:54:06
鍺化硅技術(shù)(Silicon germanium)從20世紀(jì)80年代問(wèn)世以來(lái),是一種高于普通硅器件的高頻半導(dǎo)體材料,應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,尤其在新一代移動(dòng)設(shè)備中,是良好的高功率放大器,例如:下變頻
2019-05-28 06:06:21
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品,這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來(lái)作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來(lái)替代磁控管帶來(lái)好處很多:半導(dǎo)體器件可靠性更高,氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動(dòng)電壓
2017-09-04 15:02:41
負(fù)有盛名。MACOM公司氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)是第四代,且極具價(jià)格優(yōu)勢(shì)和廣闊的應(yīng)用前景。2017 電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)展臺(tái)現(xiàn)場(chǎng)Demo關(guān)于MACOM據(jù)悉,MACOM是一家高性能模擬射頻、微波和光學(xué)半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20
N型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體?!?在純凈的電子發(fā)燒友體中摻入五價(jià)元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中
2016-10-14 15:11:56
書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào):JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
物理形狀的東西,比如說(shuō)具有立方體形狀的啊等等,這個(gè)特性再加上這個(gè)半導(dǎo)體是純凈的無(wú)雜質(zhì)那它就是本征半導(dǎo)體了。在化學(xué)周期表中通常具有正四價(jià)的物質(zhì)那就可以當(dāng)作半導(dǎo)體來(lái)用了比如說(shuō)硅鍺等,它們的原子結(jié)構(gòu)的最外層
2011-03-26 20:36:16
構(gòu)成的半導(dǎo)體,其中對(duì)硅、錫的研討比擬早。它是由相同元素組成的具有半導(dǎo)體特性的固體資料,容易遭到微量雜質(zhì)和外界條件的影響而發(fā)作變化。目前,只要硅、鍺性能好,運(yùn)用的比擬廣,硒在電子照明和光電范疇中應(yīng)用。硅在
2020-03-26 15:40:25
、3-三極管 第二部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí):A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí):A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料
2021-05-25 08:01:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 編輯
為什么就不能在半導(dǎo)體中摻雜四價(jià)元素或六價(jià)元素?
2012-11-25 13:30:00
5倍的晶體管速度。硅仍然是最廣泛使用的半導(dǎo)體材料,然而,鍺砷化物是專門用于高速,非常大規(guī)模集成電路(VLSI)設(shè)計(jì)。鍺還被用于某些用途。這三種材料---- 硅、鍺和砷化鎵---- 是最常用的半導(dǎo)體材料
2022-04-04 10:48:17
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用?對(duì)此,業(yè)界存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類,元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍,非常適合
2019-07-29 07:16:49
正方形子組件可能僅包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個(gè)電路,例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。劃刻并切割用于生產(chǎn)電子元件(如二極管
2021-07-23 08:11:27
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場(chǎng)測(cè)量以及利用磁場(chǎng)作為媒介對(duì)位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測(cè)量中,半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
(SiC)和氮化鎵(GaN)是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比,兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流,從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外,SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年,無(wú)論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配,基站功放使用氮化鎵。氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
芯片和cpu制造流程芯片芯片屬于半導(dǎo)體,半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一類物質(zhì)。元素周期表中的硅、鍺、硒的單質(zhì)都屬于半導(dǎo)體。除了這些單質(zhì),通過(guò)摻雜生成的一些化合物,也屬于半導(dǎo)體的范疇。這些化合物在
2021-07-29 08:32:53
類型包括硅鍺雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(BiCMOS)和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(SiGe HBTs)。DTRA關(guān)注的其他設(shè)備類型還包括45納米絕緣硅(SOI)芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaAn HFET)功率半導(dǎo)體和其他抗輻射微電子和光子器件,用于當(dāng)前和未來(lái)軍事系統(tǒng),如衛(wèi)星和導(dǎo)彈。
2012-12-04 19:52:12
安森美半導(dǎo)體已成為主要汽車半導(dǎo)體技術(shù)的一個(gè)全球領(lǐng)袖。 安森美半導(dǎo)體是自動(dòng)駕駛系統(tǒng)的圖像傳感器、電源管理和互通互聯(lián)領(lǐng)域的一個(gè)公認(rèn)的佼佼者。此外,公司的廣泛電源方案組合,包括模塊和碳化硅(SiC)/氮化鎵
2018-10-11 14:33:43
半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)更重要,因?yàn)檫@將是公司最近收購(gòu)Fairchild半導(dǎo)體以來(lái)的首次展示。即使在行業(yè)氣候中,通過(guò)收購(gòu)來(lái)合并正成為一種常見(jiàn)路線,而安森美半導(dǎo)體擴(kuò)展的業(yè)務(wù)中,中高壓器件領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容大大增強(qiáng),令公司在
2018-10-23 09:14:38
全球汽車市場(chǎng)發(fā)展整體向好,汽車中的半導(dǎo)體含量將持續(xù)增長(zhǎng),尤其是動(dòng)力系統(tǒng)、照明、主動(dòng)安全和車身應(yīng)用領(lǐng)域。新能源汽車推動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中半導(dǎo)體成分增高約5倍。燃油經(jīng)濟(jì)性、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、便利及信息娛樂(lè)系統(tǒng),以及占全球汽車銷售比例50%以上的新興市場(chǎng),推動(dòng)全球汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)同比增長(zhǎng)7%。
2020-05-04 06:30:06
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些?
2021-11-02 07:13:30
`砷化鎵GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類,元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7倍,非常適合
2016-09-15 11:28:41
行業(yè)的“傳奇定律”——摩爾定律就此誕生,它不僅揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度,更在接下來(lái)的半個(gè)實(shí)際中,猶如一只無(wú)形大手般推動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的變革。
2019-07-01 07:57:50
,以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1:氮化鎵技術(shù)很新且還沒(méi)有經(jīng)過(guò)驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體,于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
群“芯”閃耀的半導(dǎo)體行業(yè)行業(yè)全接觸——電子技術(shù)與半導(dǎo)體行業(yè) 半導(dǎo)體半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。主要的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵、硅鍺復(fù)合材料等。半導(dǎo)體器件可以通過(guò)結(jié)構(gòu)和材料上
2008-09-23 15:43:09
模擬電子復(fù)習(xí)總結(jié)(一):半導(dǎo)體二極管一、半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)1.半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導(dǎo)體----純凈的具有
2019-07-10 19:15:30
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用,氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新,其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響,并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來(lái),橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊,市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料,目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等,作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表,因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
,載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。8、N型半導(dǎo)體是在硅或鍺的晶體中摻入磷(或其他五價(jià)元素),半導(dǎo)體中的自由電子數(shù)目大量增加,自由電子導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式,也稱作電子半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中
2016-10-07 22:07:14
知識(shí)點(diǎn)1:導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體電阻率半導(dǎo)體的電阻率為10-3~10-9 歐.cm。 典型的半導(dǎo)體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。導(dǎo)體是相對(duì)的。知識(shí)點(diǎn)2:本征半導(dǎo)體——化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體。制造
2020-01-08 10:52:03
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái),橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
,有望占據(jù)主要市場(chǎng)份額;在其他對(duì)輸出功率要求相對(duì)較低的領(lǐng)域,將形成GaAs和GaN共同主導(dǎo)的格局?,F(xiàn)階段在整個(gè)射頻市場(chǎng),LDMOS、GaAs和GaN幾乎三分天下,但未來(lái)LDMOS的市場(chǎng)份額會(huì)逐漸縮小
2019-04-13 22:28:48
和電池就好比是人的心臟。而功率器件就好比是人的血液和神經(jīng)系統(tǒng)。而三代半導(dǎo)體就是在這個(gè)領(lǐng)域在未來(lái)取代部分的硅器件為整個(gè)系統(tǒng)提供更加優(yōu)良的解決方案的核心材料。經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展,硅材料已經(jīng)接近完美晶體,對(duì)于
2017-05-15 17:09:48
或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等,而硅更是各種半導(dǎo)體材料中,在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。物質(zhì)存在的形式多種多樣,固體、液體、氣體
2020-04-22 11:55:14
有著極為密切的關(guān)連。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等,而硅更是各種半導(dǎo)體材料中,在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。物質(zhì)存在的形式多種多樣,固體、液體、氣體、等離子體等。我們通常把導(dǎo)電性差的材料,如煤
2020-02-18 13:23:44
的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等,而硅更是各種半導(dǎo)體材料中,在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。 半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2016-11-27 22:34:51
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
,元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線通信的發(fā)展,高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣,今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布著11種具有半導(dǎo)性的元素,下表的黑框中即這11種元素半導(dǎo)體,其中C表示金剛石。C、P、Se具有絕緣體與半導(dǎo)體兩種形態(tài);B、Si、Ge、Te具有半導(dǎo)性;Sn、As、Sb具有半導(dǎo)體與金屬兩種形態(tài)。P的熔點(diǎn)與沸點(diǎn)太低,Ⅰ的蒸汽壓太高、容易分解,所以它們的實(shí)用價(jià)值不大。
2018-03-08 10:47:1827358 在電子學(xué)領(lǐng)域中,半導(dǎo)體扮演著至關(guān)重要的角色。然而,為何它們被稱為“半導(dǎo)體”而不是“全導(dǎo)體”呢?本文將詳細(xì)探討半導(dǎo)體的定義、特性及其應(yīng)用,以揭示這一命名背后的奧秘。
2023-12-08 11:01:59547 半導(dǎo)體材料是一種在電子行業(yè)中使用廣泛的材料,在元素周期表中它們的位置屬于一些特定的元素群。半導(dǎo)體材料的特殊性使其成為電子設(shè)備制造中不可或缺的材料之一。本文將詳盡地探討半導(dǎo)體材料在元素周期表中的位置
2024-01-15 16:55:19666
評(píng)論
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