功率MOS管的損壞機(jī)理介紹
此文主要參考renasus功率二極管應(yīng)用說明，考慮大部分人比較懶，有針對性的分成幾個部分，第一個部分是介紹，就是本文，以后會把對策
2009-11-21 10:48:58
2894 2013年，人們對云計算有了更多了解，但同時也涌現(xiàn)出更多的“未解之謎”。 本文為大家揭示云計算的七大未解之謎...
2013-02-16 12:08:58881 P溝道
MOS管和N溝道
MOS管的互補性體現(xiàn)在哪里？？？？？？？？求大神幫助?。。。。。。?/div>
2013-09-24 16:50:43
請較大家，MOS管DS擊穿在什么情況易發(fā)生，最近一產(chǎn)品在家里面用從來沒有壞過！但是拿出去用很容易損壞！條件沒什么特殊的
2012-09-17 13:42:15
如圖，請問一下，如果C1被短路，也就是MOS管的GD短路，最終會擊穿MOS管，使MOS管三個極都導(dǎo)通嗎？其中VCC是13V
2018-02-02 09:59:30
損耗的限制形成一個工作區(qū)域，稱為安全工作區(qū)，如下圖所示。安全工作區(qū)可以避免管子因結(jié)溫過高而損壞。2、器件手冊SOA曲線圖:示波器的測試應(yīng)用非常簡單，使用電壓、電流探頭正常測試開關(guān)管MOS管的VDS
2019-04-08 13:42:38
MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞)，又因
2017-06-01 15:59:30
MOS管為什么會被靜電擊穿？靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎？
2021-02-02 07:46:24
有誰用過IRLML6401，接法如下圖，但是mos管不能導(dǎo)通是什么原因？
2015-12-18 11:19:37
MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOS管導(dǎo)通特性MOS管驅(qū)動及應(yīng)用電路
2021-04-21 06:02:10
一、MOS管并聯(lián)理論：(1)、三極管(BJT)具有負(fù)的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時，導(dǎo)通電阻會變小。(2)、MOS管具有正的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時，導(dǎo)通電阻會逐漸變大。MOS管的這一特性適合并聯(lián)電路中
2021-10-29 07:04:37
MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS管的工作機(jī)制MOS管的驅(qū)動應(yīng)用
2021-03-08 06:06:47
大功率電源的PFC電路中，根據(jù)MOS管的Qg和導(dǎo)通時間計算柵極驅(qū)動電流約5A。按照一般的說法，如果驅(qū)動電流設(shè)計的太大，會引起電壓過沖和振蕩，除此之外，還會有什么不利后果？會損壞MOS管嗎？根據(jù)經(jīng)驗一般最大在多少A比較好？謝謝指教！
2022-05-05 23:01:18
揭秘mos管電路邏輯及mos管參數(shù) 1.開啟電壓VT 開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；·通過工藝上的改進(jìn)
2018-11-20 14:06:31
MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS 管的工作機(jī)制
2020-12-30 07:57:04
現(xiàn)在用全橋輸出拓?fù)漭^多經(jīng)常看見在每個橋臂的MOS管G極前加一個阻值不大但是功率較大的電阻同時和MOS并聯(lián)的還有一個RCD（電阻+二極管+電容）電路現(xiàn)在知道這個RCD電路是用于吸收MOS管的突波或者
2017-08-11 09:20:17
MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時的因基極電流引起的電荷存儲效應(yīng)，因此在開關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開關(guān)速度比三極管快。
2023-03-12 05:16:04
mos管的應(yīng)用場景，你了解么？低壓MOS管可稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，因為低壓MOS管具有良好的開關(guān)特性，廣泛應(yīng)用在電子開關(guān)的電路中。如開關(guān)電源，電動馬達(dá)、照明調(diào)光等！下面銀聯(lián)寶科技就跟大家一起
2018-11-14 09:24:34
MOS管的開通/關(guān)斷原理
2021-03-04 08:28:49
什么是MOS管？MOS管的構(gòu)造MOS管的工作原理MOS管的特性MOS管的電壓極性和符號規(guī)則MOS管和晶體三極管相比的重要特性什么是灌流電路
2021-01-06 07:20:29
張飛電子第四部，MOS管不像三極管的BE有固定壓降，所以不知道怎么計算。運放那邊輸出開路時，MOS管導(dǎo)通，具體是怎么工作的。1、剛開始，三極管基極電流怎么算，可以用15/(7.5K+2K)估計
2021-04-27 12:03:09
今天小編給大家?guī)淼氖遣竭M(jìn)驅(qū)動器MOS管損壞了我們應(yīng)該怎么去解決，這個mos管在步進(jìn)驅(qū)動器上也還是較重要的，一旦這個som管燒毀了步進(jìn)驅(qū)動器外面的保險絲也會被燒毀，整個設(shè)備也會受到影響不能
2017-03-31 14:15:39
MOS管的漏電流是什么意思？MOS管的漏電流主要有什么組成？
2021-09-28 07:41:51
反接，看完之后相信你會恍然大悟。一、MOS管電源反接定義：電源反接，會給電路造成損壞，不過，電源反接是不可避免的。所以，我們就需要給電路中加入保護(hù)電路，達(dá)到即使接反電源，也不會損壞的目的。一般可以
2019-04-17 14:29:44
想請教大家一下MOS管的問題，原來產(chǎn)品上使用一個IRF4905S的MOS管，現(xiàn)在想用其他的替代。設(shè)計要求是120℃的環(huán)境下，最大電流30A能持續(xù)工作。我找了幾個相近的，不知道適不適合，請大家指教。IPD50P04P4-13 ； DMP4010SK3Q ；ATP114 ；有沒有合適的MOS管推薦？
2016-10-12 20:16:45
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 編輯
四個MOS管這么排列，Q3Q4是打開，Q1Q2是關(guān)閉， 電源是12V為啥AB兩點的電壓也有11多V，MOS是如何導(dǎo)通的呢，體二極管也是對立的。
2018-05-31 19:41:07
電源反接，會給電路造成損壞，不過，電源反接是不可避免的。所以，我們就需要給電路中加入保護(hù)電路，達(dá)到即使接反電源，也不會損壞的目的?！ ∫话憧梢允褂迷陔娫吹恼龢O串入一個二極管解決，不過，由于二極管
2021-12-31 07:01:52
什么是 MOS 管?MOS 管一般指 pmos。PMOS 是指 n 型襯底、p 溝道，靠空穴的流動運送電流的 MOS 管。電源反接，會給電路造成損壞，不過，電源反接是不可避免的。所以，我么就需要
2020-11-16 09:22:50
為何不接G極，把mos管設(shè)為initally OFF，打開開關(guān)燈也直接亮了啊
2015-12-31 19:59:06
mos管的驅(qū)動電流如何設(shè)計呢
如果已經(jīng)知道MOS的Qg
恒壓模式下如何設(shè)計驅(qū)動管的電流
恒流模式下設(shè)置多大電流呢
2023-06-27 22:12:29
把這些損耗控制在MOS管承受規(guī)格之內(nèi)，MOS管即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞?！ 《_關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，尤其是PWM沒完全打開，處于脈寬調(diào)制狀態(tài)時（對應(yīng)電動車的起步加速狀態(tài)），而最高
2019-02-28 10:53:29
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:36 編輯
MOS管被擊穿的原因及解決方案如下： 第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或
2012-07-14 15:34:14
N-MOS管是如何接線的？N-MOS管是如何驅(qū)動步進(jìn)電機(jī)的？
2021-10-11 07:49:20
N-MOS管的原理是什么？N-MOS管為什么會出問題？如何去控制步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器？
2021-07-05 07:39:44
想必電路設(shè)計的設(shè)計師在選擇MOS管是都有考慮過一個問題，是該選擇P溝MOS管還是N溝MOS管？作為廠家而言，一定是想要自己的產(chǎn)品能夠以更低的價格來競爭其他的商家，也需要反復(fù)推選。那到底該怎么挑選呢？具有豐富經(jīng)驗的飛虹MOS管廠家這就為大家分享。
2019-01-24 17:48:59
使用ti的tps51621buck控制器，12V輸出1V輸出，高側(cè)的mos管會出現(xiàn)損壞造成12V對地短路的情況，MOS管高側(cè)選用的CSD16322Q5，參數(shù)滿足要求，板子放在機(jī)箱中，測試MOS管的表面溫度也不是很高。
2022-06-01 11:18:44
時產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞?！ 〉湫碗娐罚骸 《?、器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因
2018-10-29 14:07:49
labview事件結(jié)構(gòu)之謎：事件驅(qū)動機(jī)制在圖形化操作系統(tǒng)中被廣泛使用，因為圖形化操作系統(tǒng)需要響應(yīng)鼠標(biāo)或鍵盤等事件。早期的LabVIEW中并沒有引入事件驅(qū)動機(jī)制，事件結(jié)構(gòu)出現(xiàn)在LabVIEW6.1
2011-11-28 10:26:32
管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象，也稱為二次擊穿現(xiàn)象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性，即當(dāng)管溫度（或環(huán)境溫度）上升時，溝道電流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A
2012-08-09 14:45:18
一個簡單的NPN+P_MOS開關(guān)控制，負(fù)載是850nm激光二極管，驅(qū)動MCU是STC15F2?，F(xiàn)在出現(xiàn)mos管容易損壞的情況，本人菜鳥不知道是什么原因造成的，還望各位大神能指點一二
2018-08-29 18:06:20
時，通常會遇到各種電子元器件的損壞，MOS管就是其中的典型代表之一，這就是我們的維修人員如何利用常用的萬用表來檢測判斷MOS管的好壞、優(yōu)劣。在更換MOS管是如果沒有相同廠家及相同型號時，如何代換的問題。一
2019-04-11 12:04:23
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點、實用電路等幾個方面用工程師的話詳細(xì)描述。
2021-03-11 06:11:03
1. 什么是MOS管？MOS管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的簡稱。1.1 如何判斷MOS管的G柵極、D漏極、S源極?（1）引腳一般如上圖所示。（2）萬用表測量，方法如下S源極與D漏極之間應(yīng)該有
2021-12-31 06:20:08
什么是數(shù)碼功放？淺談數(shù)碼功放
2021-06-07 06:06:15
電極短路，以免外電場作用而使管子損壞?！ 。?）焊接時，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵MOS管
2020-06-28 16:41:02
設(shè)計一個mos管作為負(fù)載的電池放電器，如何控制mos管的開關(guān)特性，Vgs又如何控制
2016-03-10 12:02:57
有哪些方法可以獲得MOS變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">管單調(diào)的調(diào)諧特性？MOS變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">管反型與積累型MOS變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">管
2021-04-07 06:24:34
，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗（不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因：過流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過高而燒毀；過壓
2021-07-05 07:19:31
`關(guān)于MOS管一直都是電路設(shè)計的工程師熱衷討論的話題之一，而廠家更想看到的是更換MOS管能夠提高產(chǎn)品效能的作用，而在實際工作中，各種電器設(shè)備時，遇到元器件損壞應(yīng)該采用相同型號的元件進(jìn)行更換。有些時候
2019-02-23 16:23:40
關(guān)于怎樣確定MOS管是否會擊穿的問題。在網(wǎng)上有看到大概兩種說法：1.計算雪崩能量然后進(jìn)行判斷MOS管是否會損壞；2.計算MOS管結(jié)溫然后查出對應(yīng)的擊穿電壓。第一種不知道是要測所有的能量還是只是大于
2018-12-21 10:46:27
兩個mos管，第一個MOS管柵極接單片機(jī)io口，通過io口控制通斷繼而控制第二個mos管通斷，開關(guān)頻率要求不高，對開關(guān)時間和導(dǎo)通電阻有要求，開關(guān)時間和導(dǎo)通電阻都要盡可能小，有沒有推薦的電路圖和MOS管，圖片是我畫的簡單示意圖
2018-10-16 22:40:53
作用是在驅(qū)動IC損壞開路的情況下可以防止MOS管的誤導(dǎo)通。在某些特殊的應(yīng)用場合下，比如對待機(jī)電流有限制的電池保護(hù)板，這個電阻往往取值很大甚至沒有，這樣?xùn)艠O的阻抗會比較高，極易感應(yīng)比較高的靜電損壞MOS
2018-10-12 16:47:54
怎樣去使用MOS管？如何去實現(xiàn)MOS管的精確控制呢？
2021-10-09 08:36:20
這個mos管是如何導(dǎo)通，控制電源開斷
2019-07-02 23:34:55
如何計算MOS管的損耗？
2021-11-01 08:02:22
`推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機(jī)驅(qū)動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代
2019-05-02 22:43:32
通，PMOS柵極為低電平，MOS管導(dǎo)通，電源輸出開啟。并且由于有些電源存在大電容的負(fù)載，如果上電很陡峭的話，會導(dǎo)致瞬間電流會很大，很容易損壞器件。所以我們有時候會要求電源能夠慢慢的從0到VCC，其實我們在上面
2023-02-28 16:32:33
哪位大神能幫忙分析下這個電路，安裝電池的過程中MOS管會有20%的損壞。除開靜電的損壞，還有有其他可能沒有呢?
2018-09-11 13:36:23
揭秘mos管和mos管驅(qū)動電路之間的聯(lián)系 在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許
2018-12-03 14:43:36
有MOS管的電路仿真時，怎么才能找到MOS管的波形圖
2011-12-27 17:41:18
小弟最近在做一個電池切換器，mos頻繁損壞，求助各位。問題如下，使用的管子為AOB290，pd 為250W，vds，Id能達(dá)100以上，三個管子并聯(lián)輸出，但是靠近p-端的三個管子總是會壞，電池電壓
2017-04-23 14:38:09
作用是在驅(qū)動IC損壞開路的情況下可以防止MOS管的誤導(dǎo)通。在某些特殊的應(yīng)用場合下，比如對待機(jī)電流有限制的電池保護(hù)板，這個電阻往往取值很大甚至沒有，這樣?xùn)艠O的阻抗會比較高，極易感應(yīng)比較高的靜電損壞MOS
2018-11-28 12:08:27
` 電源反接，會給電路造成損壞，不過，電源反接是不可避免的。所以，我們就需要給電路中加入保護(hù)電路，達(dá)到即使接反電源，也不會損壞的目的?！ ∫话憧梢允褂迷陔娫吹恼龢O串入一個二極管解決，不過，由于
2019-02-19 11:31:54
BVDSS，即便這個尖峰脈沖電壓的持續(xù)只有幾個或幾十個ns，功率MOS管也會進(jìn)入雪崩從而發(fā)生損壞。 不同于三極管和IGBT，功率MOS管具有抗雪崩的能力，而且很多大的半導(dǎo)體公司功率MOS管的雪崩能量在生
2018-11-19 15:21:57
時產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞?！ 〉湫碗娐? 二、器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域弓|起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因
2018-11-21 13:52:55
可能因為器件開關(guān)瞬間電流的突變而產(chǎn)生漏極尖峰電壓，進(jìn)而損壞MOS管，功率管開關(guān)速度越快，產(chǎn)生的過電壓也就越高。為了防止器件損壞，通常采用齊納二極管鉗位和RC緩沖電路等保護(hù)措施?！ ‘?dāng)電流過大或者發(fā)生
2018-12-10 14:59:16
的MOS管，而不會使用以前的三極管。但是性能再優(yōu)越，也會出現(xiàn)損壞的情況，那作為廠家來說應(yīng)該怎么檢測MOS管是否損壞呢？ 電路中，如何判斷MOS管的完好或失效，與單獨鑒別MOS好壞不完全相同，電路中完好
2018-12-27 13:49:40
上電電機(jī)不轉(zhuǎn)MOS管發(fā)聲隨占空比的增加聲音增加大概 10s鐘冒煙MOS管燒了 求各位大俠 指點?。。。?！
2013-05-04 08:54:57
9V的電壓。更換下方MOS，恢復(fù)正常。器件型號，TVS PESD24S1UB；PMOS DMP510DL。由于問題故障率太大，不能進(jìn)行生產(chǎn)。請各位大大幫忙看看到底為什么會導(dǎo)致MOS損壞。怎么解決？謝謝`
2019-12-30 10:30:50
1. MOS損耗MOS管是開關(guān)電源中常見器件之一，在評估開關(guān)電源效率的時候，對于MOS管的選型十分重要，如果選擇的MOS不合適，電路該部分的發(fā)熱會非常嚴(yán)重，影響效率。因此，在考慮到設(shè)計開關(guān)電源的效率
2021-07-29 06:01:56
的時候，為了測試實際情況，采用空氣開關(guān)，也就是斷路器上電。1、Mos管在啟動的時候，因為柵極平臺電壓時間過長，導(dǎo)致此時電流很大，但是同時Vdc又有110VDC電壓，因此導(dǎo)致MOS管過功率損壞短路。。2
2020-04-26 14:17:30
請教各位老師,我的MOS管經(jīng)常擊穿,是怎么回事.如何保護(hù).MOS管VDS為60V,ID=60A.負(fù)載為24V150W燈.驅(qū)動脈沖100HZ.請看圖片.謝謝!!!
2013-10-24 08:47:33
這個電路，MOS管控制電路的GND怎么接，才能使MOS管導(dǎo)通。
2019-04-23 20:20:48
，為了測試實際情況，采用空氣開關(guān)，也就是斷路器上電。1、Mos管在啟動的時候，因為柵極平臺電壓時間過長，導(dǎo)致此時電流很大，但是同時Vdc又有110VDC電壓，因此導(dǎo)致MOS管過功率損壞短路。。2、還有可能就是
2020-05-20 10:06:20
12V；；；請問各位大佬MOS管的這種損壞屬于什么損壞，是什么導(dǎo)致的，感覺GS有2M應(yīng)該是沒事的，這個管子以前遇到的損壞都是GS直接短路了，這個現(xiàn)象不一樣
2021-05-25 08:21:12
小弟是電子初學(xué)者，經(jīng)常在設(shè)計電路時MOSFET管出現(xiàn)損壞，請問造成MOSFET管損壞有哪些原因？
2019-02-19 10:15:25
工作頻率8Khz，調(diào)節(jié)占空比控制mos管輸出電壓，R10位置接風(fēng)機(jī)
。RC運放濾波得到電壓U1，之后運放是如何反饋控制mos管調(diào)節(jié)U2？
2023-12-06 18:19:11
產(chǎn)品在某一個批次的生產(chǎn)中突然發(fā)現(xiàn)20%的DC-DC芯片不通電，并且都表現(xiàn)為下MOS損壞。外圍硬件設(shè)計，有什么因素可能導(dǎo)致下MOS管損壞呢？如何去分析對比電源IC批次性差異呢？
2023-01-12 17:01:27
什么是高低端MOS管？它們的區(qū)別是什么？請各位大神指教，希望能分享相關(guān)資料，非常感謝！
2016-09-01 09:51:08
主要介紹電源中功率MOS損壞分析，為從事此方面的模擬故障診斷工程師提供參考。
2015-10-28 11:07:23
15 什么是MOS管？它有什么特點？在常見的控制器電路中，MOS管有幾個工作狀態(tài)，而MOS 主要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài)，本文就來探討一下MOS的這些狀態(tài)的原理。MOS的工作狀態(tài)分為：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。
2020-08-09 14:15:005952 ，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在Mos承受規(guī)格之內(nèi)，Mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同Mos這個差距可能很大。 Mos損壞主要原因：
2020-08-14 10:14:093048 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供MOS管損壞之謎：雪崩壞？發(fā)熱壞？內(nèi)置二極管壞？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-29 16:52:5423 mos管的損壞主要圍繞雪崩損壞、器件發(fā)熱損壞、內(nèi)置二極管破壞、由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞、柵極電涌、靜電破壞這五大方面。接下來就由小編針對mos管的損壞原因做以下簡明介紹。
2022-03-11 11:20:172517 
Mos主要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。
2023-01-30 10:48:26805 os是電壓驅(qū)動型器件，只要柵極和源級間給一個適當(dāng)電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻<Rds(on)>。
2023-04-08 10:11:381351 Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種常見的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，在實際應(yīng)用中，MOS管可能會因為各種原因而損壞。本文將對MOS管損壞的原因進(jìn)行分析
2023-12-28 16:09:38416 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論