【導(dǎo)讀】與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。 這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。 為了知道每個(gè)芯片的溫度
2023-02-24 17:05:24
685 為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測(cè)試,建立了 一種準(zhǔn)確計(jì)算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測(cè)試對(duì)影響 IGBT 開關(guān)損耗的參數(shù)( Eon
2023-03-06 15:02:511536 IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì)，還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。
2023-07-07 16:11:303816 
在不同工作頻率下的損耗進(jìn)行了理論計(jì)算、PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證對(duì)比分析。PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證的結(jié)果不僅證明了估算公式的正確性，還直觀的體現(xiàn)了SiC和IGBT兩類模塊在不同開關(guān)頻率下工作的熱損耗趨勢(shì)。從文中可以看出，使用SiC替 代IGBT可以顯著地提高變換器的工作頻率和功率密度。
2023-12-14 09:37:05472 
及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動(dòng)器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時(shí)參考。 IGBT 的開關(guān)特性主要取決于
2012-07-25 09:49:08
損耗最佳值約為-8～10V。柵極參數(shù)對(duì)電路的影響 IGBT內(nèi)部的續(xù)流二極管的開關(guān)特性也受柵極電阻的影響，并也會(huì)限制我們選取柵極阻抗的最小值。IGBT的導(dǎo)通開關(guān)速度實(shí)質(zhì)上只能與所用續(xù)流二極管反向恢 復(fù)
2011-08-17 09:26:02
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì)，還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計(jì)算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關(guān)注的焦點(diǎn)。由最基本的計(jì)算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計(jì)算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18
=P△（Rjc+Rcs+Rsa）《Tjm 式中Tj－IGBT的工作結(jié)溫 P△－損耗功率 Rjc－結(jié)－殼熱阻vkZ電子資料網(wǎng) Rcs－殼－散熱器熱阻 Rsa－散熱器－環(huán)境熱阻 Tjm－IGBT
2011-08-17 09:46:21
一種載流子參與導(dǎo)電，則稱為單極性晶體管，如MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、SBD（肖特基二極管）等。若電子和空穴都參與了導(dǎo)電，則稱為雙極性晶體管，如BJT（雙極結(jié)型晶體管）、IGBT等
2023-02-10 15:36:04
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。
2020-03-24 09:01:13
，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低
2012-07-09 14:14:57
）時(shí)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)：如原系統(tǒng)功率模塊使用 IGBT，現(xiàn)考慮用 Mosfet 功率模塊替換，原系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)需注意的事項(xiàng)如下：1.適當(dāng)減小柵極電阻，以減小開關(guān)損耗，以維持相近的溫升，同時(shí)可進(jìn)一步降低誤導(dǎo)通的可能性
2022-09-16 10:21:27
集電極、發(fā)射極擊穿或造成柵極、發(fā)射極擊穿。IGBT保護(hù)方法當(dāng)過流情況出現(xiàn)時(shí)，IGBT必須維持在短路安全工作區(qū)內(nèi)。IGBT承受短路的時(shí)間與電源電壓、柵極驅(qū)動(dòng)電壓以及結(jié)溫有密切關(guān)系。為了防止由于短路故障
2020-09-29 17:08:58
終止IGBT芯片的飽和電壓VCEsat都隨著結(jié)溫升高而增加，呈現(xiàn)正溫度系數(shù)特性。圖2為300A溝槽場(chǎng)終止芯片在15V柵極電壓條件下不同結(jié)溫時(shí)的飽和電壓特性。這表明并聯(lián)IGBT的靜態(tài)均流可動(dòng)態(tài)地自我調(diào)節(jié)
2018-12-03 13:50:08
dv/dt限制，過小的柵極電阻可能會(huì)導(dǎo)致震蕩甚至造成IGBT或二極管的損壞?！ 艠O電阻的大小影響開關(guān)速度，即后邊介紹的開通關(guān)斷時(shí)間，進(jìn)而影響IGBT的開關(guān)損耗，datasheet上驅(qū)動(dòng)電阻對(duì)開關(guān)損耗
2021-02-23 16:33:11
至關(guān)重要。除了軟度，IGBT的開關(guān)速度還取決于結(jié)溫。提高結(jié)溫意味著增大IGBT的軟度。不過，必須給出器件在低溫條件下（如25 °C）的適當(dāng)特性。圖4顯示了在Tvjop=25 °C條件下1200V/150A
2018-12-07 10:23:42
，開關(guān)損耗增大，原件發(fā)熱加劇。因此，根據(jù)額定損耗，開關(guān)損耗所產(chǎn)生的熱量，控制器件結(jié)溫（Tj）在 150oC以下（通常為安全起見，以125oC以下為宜），請(qǐng)使用這時(shí)的集電流以下為宜。特別是用作高頻開關(guān)
2021-08-31 16:56:48
通常流過
IGBT的電流較大，開關(guān)頻率較高，故器件的
損耗較大。若熱量不能及時(shí)散掉，器件的
結(jié)溫將會(huì)超過最大值125℃ ，
IGBT就可能損壞。因此需采用有效的散熱措施對(duì)其進(jìn)行過熱保護(hù)?！ ∩嵋话闶遣捎?/div>
2012-06-01 11:04:33
特性相匹配的過電壓、過電流、過熱等保護(hù)電路?！ ?.4散熱設(shè)計(jì) 取決于IGBT模塊所允許的最高結(jié)溫(Tj),在該溫度下，首先要計(jì)算出器件產(chǎn)生的損耗，該損耗使結(jié)溫升至允許值以下來選擇散熱片。在散熱
2012-06-19 11:17:58
詳細(xì)閱讀模塊參數(shù)數(shù)據(jù)表，了解模塊的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo);根據(jù)模塊各項(xiàng)技術(shù)參數(shù)確定使用方案，計(jì)算通態(tài)損耗和開關(guān)損耗，選擇相匹配的散熱器及驅(qū)動(dòng)電路。 (二) IGBT模塊散熱器的使用 1.防止靜電 IGBT
2012-06-19 11:20:34
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點(diǎn)？IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢？
2021-11-02 07:39:10
是IGBT模塊控制的平均電流與電源電壓的 乘積。由于IGBT模塊散熱器是大功率半導(dǎo)體器件，損耗功率使其發(fā)熱較多，加之IGBT模塊散熱器的結(jié)溫不能超過125℃，不宜長期工作在較高溫度下，因此要采取恰當(dāng)
2012-06-19 11:26:00
等設(shè)計(jì)比較好，就可以使用較低耐壓的IGBT模塊承受較高的直流母線電壓。2、IGBT電流的選擇 半導(dǎo)體器件具有溫度敏感性，因此，IGBT模塊標(biāo)稱電流與溫度的關(guān)系比較大。隨著殼溫的上升，IGBT模塊可利用
2022-05-10 10:06:52
IGBT模塊進(jìn)行高溫反偏試驗(yàn)而進(jìn)行設(shè)計(jì),是IGBT出廠檢測(cè)的重要設(shè)備。該試驗(yàn)系統(tǒng)可對(duì)相應(yīng)的IGBT器件進(jìn)行適配器匹配。測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)符合MIL-STD-750，IEC60747。本設(shè)備采用計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制系統(tǒng)
2018-08-29 21:20:11
1、拓?fù)湔f明 基于逆變器的拓?fù)溥M(jìn)行IGBT的損耗計(jì)算，如下為三相全橋結(jié)構(gòu)帶N線的方式。調(diào)制方式為SPWM波形，針對(duì)IGBT2和DIODE2分析，輸出電流為正弦波形，輸出電壓為電網(wǎng)電壓。其中二
2023-02-24 16:47:34
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)
2021-09-09 07:16:43
;——IGBT 集電極與發(fā)射極之間的電壓;——流過IGBT 集電極－發(fā)射極的電流;——IGBT 的結(jié)溫。如果IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅(qū)動(dòng)電壓過低,則IGBT 不能穩(wěn)定正常地工作,如果過高超過柵極
2018-10-18 10:53:03
開啟IGBT時(shí)IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？關(guān)斷IGBT時(shí)IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？
2021-10-14 09:09:20
這里以單個(gè)IGBT管為例（內(nèi)含阻尼二極管），IGBT管的好壞可用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將IGBT管三只引腳短路放電，使IGBT的CE腳在關(guān)閉狀態(tài)下，避免
2012-04-18 16:15:53
`我需要通過LC電路產(chǎn)生一個(gè)1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來進(jìn)行開關(guān)控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路
2017-10-10 17:16:20
我要做個(gè)HCPL316J驅(qū)動(dòng)IGBT的電路，我不懂那個(gè)門極電流的峰值怎么計(jì)算，還有門極電阻怎么取值！希望賜教！非常感謝！{:soso_e121:}
2012-03-26 10:52:38
想要igbt的相關(guān)資料
2023-09-13 19:57:26
誰能仔細(xì)闡述一下igbt是什么嗎？
2019-08-22 15:20:53
：IKW30N60H3；IKW15N120H3Infineon 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 前往了解特性：一流的開關(guān)性能：可實(shí)現(xiàn)低于500μJ的總開關(guān)損耗最高結(jié)溫：175°C包裝類型：PG-TO247-3
2019-06-10 09:23:54
。2傳導(dǎo)損耗需謹(jǐn)慎在比較額定值為600V的器件時(shí)，IGBT的傳導(dǎo)損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應(yīng)該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測(cè)，并在指明最差情況下的工作結(jié)溫下進(jìn)行
2018-08-27 20:50:45
應(yīng)用。同時(shí)，圖5中顯示了傳導(dǎo)損耗在CCM (連續(xù)電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結(jié)溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400 Vdc直流輸出電壓的工作模式下的比較曲線。圖中，MOSFET-IGBT的曲線
2021-06-16 09:21:55
7顯示了集電極電流ICE和結(jié)溫Tj的函數(shù)Eoff，其曲線在大多數(shù)IGBT數(shù)據(jù)表中都有提供。這些曲線基于鉗位感性電路且測(cè)試電壓相同，并包含拖尾電流能量損耗。 圖2顯示了用于測(cè)量IGBTEoff的典型
2020-06-28 15:16:35
損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應(yīng)該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測(cè)，并在指明最差情況下的工作結(jié)溫下進(jìn)行的。例如，F(xiàn)GP20N6S2 SMPS2 IGBT
2018-09-28 14:14:34
。通過優(yōu)化的高速切換，可以提高門控和降低開關(guān)損耗。集成具有低正向電壓的軟式、快速共包續(xù)流二極管，可以節(jié)省電路板空間?！ “采腊雽?dǎo)體TO-247-4L IGBT的目標(biāo)應(yīng)用是太陽能逆變器、不間斷電源
2020-07-07 08:40:25
, 同時(shí),開關(guān)速度不隨結(jié)溫變化。PT 型IGBT 的開關(guān)速度則隨溫度升高而降低。高頻工作時(shí)可以考慮選擇NPT型IGBT?！ ? 總結(jié) 文中介紹的損耗測(cè)量分析方法簡(jiǎn)單而有效, 可以使設(shè)計(jì)者對(duì)IGBT
2018-10-12 17:07:13
圖中所示的窄通道，即Lgap所指區(qū)域。這樣就增加了電子電流流通路徑上的電阻，有效抑制了snapback現(xiàn)象，并且比傳統(tǒng)RC-IGBT具有更小的下降時(shí)間和關(guān)斷損耗。圖7 具有半超結(jié)的RC-IGBT圖7為
2019-09-26 13:57:29
時(shí)的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流過尾電流，因此相應(yīng)的開關(guān)損耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）的組合與IGBT＋FRD（快速恢復(fù)二極管）的關(guān)斷損耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
BJT的少數(shù)載流子有關(guān)。圖7顯示了集電極電流ICE和結(jié)溫Tj的函數(shù)Eoff，其曲線在大多數(shù)IGBT數(shù)據(jù)表中都有提供。 這些曲線基于鉗位感性電路且測(cè)試電壓相同，并包含拖尾電流能量損耗。圖2顯示了用于測(cè)量
2017-04-15 15:48:51
隨之上升，從而大幅增加器件的損耗與溫升。技能：低飽和壓降，正溫度系數(shù)，125℃工作結(jié)溫，高魯棒性正溫度系數(shù)，利于并聯(lián)。名號(hào)：DLC，KF2C，S4…等等，好像混進(jìn)了什么奇怪的東西！沒寫錯(cuò)！S4真的不是
2021-05-26 10:19:23
需謹(jǐn)慎在比較額定值為600V的器件時(shí)，IGBT的傳導(dǎo)損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應(yīng)該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測(cè)，并在指明最差情況下的工作結(jié)溫下進(jìn)行的。例如
2019-03-06 06:30:00
Fullpack和TO247）和芯片面積。最終給出了一組完整的公式，來計(jì)算結(jié)溫。利用本文的結(jié)果，設(shè)計(jì)工程師將能夠準(zhǔn)確而輕松地計(jì)算器件的真實(shí)結(jié)溫。導(dǎo)言對(duì)于電子器件原型的評(píng)估通常包括對(duì)功率晶體管和二極管最大結(jié)溫
2018-12-05 09:45:16
內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞* ? SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”）的高速開關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
。 最后，與IGBT相比，功率MOSFET的通態(tài)損耗低，尤其是在低電流時(shí)更為顯著;關(guān)斷能耗低，但導(dǎo)通能耗較高。加快體硅二極管的反向恢復(fù)速度與所用技術(shù)工藝有關(guān)。 3 意法半導(dǎo)體的電機(jī)控制功率開關(guān)技術(shù) 為
2018-11-20 10:52:44
的功率耗散也不同，各自要求單獨(dú)計(jì)算。此外，每個(gè)裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣測(cè)量兩個(gè)元件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計(jì)算平均結(jié)溫及峰值結(jié)溫。 圖1： 貼裝在
2018-09-30 16:05:03
Q1。如何計(jì)算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來操作感性開關(guān)負(fù)載。開關(guān)頻率：- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發(fā)射極電壓：- 24V。平均最大電流：- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會(huì)有什么影響？
2023-01-04 09:00:04
我如何計(jì)算VIPER37HD / LD的結(jié)溫 以及頻率（60k，115k hz）如何影響結(jié)溫？
2019-08-05 10:50:11
就功率半導(dǎo)體而言，高規(guī)格輔助電源發(fā)展中最有前途的方向之一與使用基于硅IGBT和SiC肖特基二極管的“混合”半導(dǎo)體開關(guān)有關(guān)。肖特基二極管的使用可以大幅降低二極管中功率損耗的頻率相關(guān)分量，減少IGBT中
2023-02-22 16:53:33
IGBT的工作原理IGBT極性判斷IGBT好壞的判斷
2021-03-04 07:18:28
測(cè)量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-11-02 08:30:41
△（Rjc+Rcs+Rsa）《Tjm 式中Tj－IGBT的工作結(jié)溫 P△－損耗功率 Rjc－結(jié)－殼熱阻vkZ電子資料網(wǎng) Rcs－殼－散熱器熱阻 Rsa－散熱器－環(huán)境熱阻 Tjm－IGBT的最高結(jié)
2011-10-28 15:21:54
通過電流和電壓探頭以及標(biāo)準(zhǔn)的示波器進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄和獲得。在逆變器運(yùn)行過程中，芯片的結(jié)溫很少通過實(shí)驗(yàn)方法確定。熱處理通常是供應(yīng)商提供典型值或最差值（如IGBT模塊和冷卻板的熱阻）與仿真產(chǎn)生的損耗情況結(jié)合
2018-12-07 10:19:13
摘要相對(duì)于第二代NPT芯片技術(shù)，最新的3.3kV IGBT3系列包含兩款優(yōu)化開關(guān)特性的L3和E3芯片，其在開關(guān)軟度和關(guān)斷損耗之間實(shí)現(xiàn)折衷，以適應(yīng)不同的應(yīng)用。最大工作結(jié)溫可升高至150℃，以便提升輸出
2018-12-06 10:05:40
電磁感應(yīng)加熱的原理是什么？有什么方法可以將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低嗎？
2021-05-10 06:41:13
之間的E4芯片。表1簡(jiǎn)要介紹了IGBT4的3個(gè)折中點(diǎn)，并指出相應(yīng)的電流范圍。表1表1：英飛凌1200V IGBT4 簡(jiǎn)介IGBT和二極管的動(dòng)態(tài)損耗為研究和比較這三款芯片在雜散電感范圍為23nH至
2018-12-10 10:07:35
上表現(xiàn)為過溫。3、IGBT過溫，計(jì)算壽命，與焊點(diǎn)、材料的熱膨脹系數(shù)等有關(guān)。4、求助上面幾個(gè)失效模式的分析，也可以大家討論一下，共同進(jìn)步
2012-12-19 20:00:59
時(shí)，為獲得最小導(dǎo)通壓降，應(yīng)選取Ugc≥(1.5～3)Uge(th)，當(dāng)Uge增加時(shí)，導(dǎo)通時(shí)集射電壓Uce將減小，開通損耗隨之減小，但在負(fù)載短路過程中Uge增加，集電極電流Ic也將隨之增加，使得IGBT
2016-11-28 23:45:03
時(shí)，為獲得最小導(dǎo)通壓降，應(yīng)選取Ugc≥(1.5～3)Uge(th)，當(dāng)Uge增加時(shí)，導(dǎo)通時(shí)集射電壓Uce將減小，開通損耗隨之減小，但在負(fù)載短路過程中Uge增加，集電極電流Ic也將隨之增加，使得IGBT
2016-10-15 22:47:06
測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法
2021-03-17 07:00:20
和MOSFET的關(guān)斷損耗差不多。MOSFET開關(guān)損耗與溫度關(guān)系不大，但IGBT每增加100度，損耗增加2倍。 開通損耗IGBT平均比MOSFET略小，而且二者都對(duì)溫度比較敏感，且呈正溫度
2009-05-12 20:44:23
摘要：本文介紹了分立IGBT和二極管的結(jié)和塑封料（MC）之間溫度差異的總體相關(guān)性。我們以引線架背面為基準(zhǔn)，通過分立功率器件的相關(guān)參數(shù)說明這種差異。這些參數(shù)包括封裝類型（TO220，To220
2018-12-03 13:46:13
芯片在開關(guān)損耗和軟特性上得到進(jìn)一步優(yōu)化。另外它的最高允許工作結(jié)溫達(dá)到了150℃, 比前幾代的IGBT提高了25℃，這使得模塊的功率密度可以做得更高。眾所周知，功率半導(dǎo)體的總損耗主要是由通態(tài)損耗
2018-12-03 13:47:57
我的IGBT輸出正常，為什么經(jīng)過了升壓變壓器后就功率衰減很厲害。IGBT輸出有120KW，經(jīng)過變壓器后僅有60KW，查了很久，都沒發(fā)現(xiàn)這60KW的功率損耗到了哪里？并且就算是損耗，我認(rèn)為也不會(huì)有器件能承受得這60kw的功率，這種是什么情況呢。阻抗匹配嗎？
2012-08-15 09:36:35
高壓的二極管相串聯(lián)，但是，串聯(lián)的二極管引起通態(tài)壓降的增大，增加了損耗。而RB-IGBT是一種新型的IGBT，具有反向耐壓能力，相對(duì)于傳統(tǒng)串聯(lián)二極管的模式，減少器件的同時(shí)，還降低了通態(tài)壓降和損耗。兩種
2020-12-11 16:54:35
不同，兩個(gè)裸片的功率耗散也不同，各自要求單獨(dú)計(jì)算。此外，每個(gè)裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣量測(cè)兩個(gè)組件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計(jì)算平均結(jié)溫及峰值結(jié)溫。 功率計(jì)算
2018-10-08 14:45:41
的功率耗散也不同，各自要求單獨(dú)計(jì)算。此外，每個(gè)裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣測(cè)量兩個(gè)元件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計(jì)算平均結(jié)溫及峰值結(jié)溫。圖1： 貼裝在
2014-08-19 15:40:52
感應(yīng)加熱等應(yīng)用的理想之選。汽車應(yīng)用是IGBT的另一個(gè)增長領(lǐng)域。固有結(jié)溫高達(dá)175°C的分立式器件，是目前某些電動(dòng)汽車（例如特斯拉電動(dòng)汽車）的逆變器的組件之一。未來封裝技術(shù)的進(jìn)步，以及持續(xù)不斷的成本改善
2018-12-03 13:47:00
二極管急變的諧振頻率所導(dǎo)致的振蕩等寄生效應(yīng)，將產(chǎn)生電磁干擾，這也必須在應(yīng)用中加以考慮。HS3 IGBT具備低損耗/高輸出電流 為分析不同切換頻率的裝置效能，使用IPOSIM仿真變頻器效能。為了能夠進(jìn)行
2018-10-10 16:55:17
IGBT損耗計(jì)算和損耗模型研究：器件的損耗對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當(dāng)重要。損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構(gòu)的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學(xué)方法的IG
2009-06-20 08:33:53
96 ），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴(kuò)展系列產(chǎn)品的功率范圍。硅片結(jié)溫可高達(dá)1
2023-01-10 11:29:08
新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。
2010-05-25 09:05:201169 
器件的損耗對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當(dāng)重要遙損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構(gòu)的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學(xué)方法的IGBT損耗模型遙對(duì)近年來的各種研究
2011-09-01 16:38:4565 針對(duì)目前PWM 逆變器中廣泛使用的IGBT，提出了一種快速損耗計(jì)算方法。該方法只需已知所使用的IGBT 器件在額定狀態(tài)下的特性參數(shù)，就可以快速估算各種條件下的功率損耗。該方法的計(jì)算
2011-09-01 16:42:33111 電子資料論文：基于IGBT功率逆變器損耗準(zhǔn)建模方法
2016-07-06 15:14:4727 在任何裝置中使用IGBT 都會(huì)遇到IGBT 的選擇及熱設(shè)計(jì)問題。當(dāng)電壓應(yīng)力和電流應(yīng)力這2 個(gè)直觀參數(shù)確定之后， 最終需要根據(jù)IGBT 在應(yīng)用條件下的損耗及熱循環(huán)能力來選定IGBT。通常由于使用條件
2017-09-22 19:19:3730 提出了一種設(shè)計(jì)變頻器散熱系統(tǒng)的實(shí)用方法，建立了比較準(zhǔn)確且實(shí)用的變頻器中 IGBT（絕緣柵型雙極晶體管）模塊的通態(tài)損耗和開關(guān)損耗的計(jì)算方法，考慮了溫度對(duì)各種損耗的影響，采用熱阻等效電路法推導(dǎo)得出
2017-10-12 10:55:2423 為精確計(jì)算光伏逆變器的IGBT損耗，指導(dǎo)系統(tǒng)熱設(shè)計(jì)，提出了一種IGBT損耗精確計(jì)算的實(shí)用方法。以可視化的T程計(jì)算T具M(jìn)athCAD為載體，基于SVPWM矢量控制原理，建立了光伏逆變器IGBT實(shí)際
2017-12-08 10:36:0264 IGBT 的熱計(jì)算
2022-11-15 19:55:194 與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度，有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-01 09:47:271916 今天作者就幫大家打開這個(gè)黑盒子，詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識(shí)。
2023-02-07 15:32:381759 
IGBT結(jié)溫估算（算法+模型），多年實(shí)際應(yīng)用，準(zhǔn)確度良好 能夠同時(shí)對(duì)IGBT內(nèi)部6個(gè)三極管和6個(gè)二極管溫度進(jìn)行估計(jì)，并輸出其中最熱的管子對(duì)應(yīng)溫度。 可用于溫度保護(hù)，降額，提高
2023-02-23 09:45:057 IGBT結(jié)溫估算
2023-02-23 09:23:148 IGBT結(jié)溫估算模型。
2023-02-24 10:48:425 開通、導(dǎo)通和關(guān)斷損耗構(gòu)成了 IGBT 芯片損耗的總和。關(guān)斷狀態(tài)損耗可以忽略不計(jì)，不需要計(jì)算。為了計(jì)算 IGBT 的總功率損耗，須將這三個(gè)能量之和乘以開關(guān)頻率。
2023-03-01 17:52:451204 前邊介紹了IGBT/Diode損耗的計(jì)算，那么得到了損耗之后，如何轉(zhuǎn)化為溫升呢？
2023-05-26 11:24:31860 
學(xué)過的基本高等數(shù)學(xué)知識(shí)。今天作者就幫大家打開這個(gè)黑盒子，詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識(shí)。我們先來看一個(gè)IGBT的完整工作波形：IGB
2023-01-14 10:05:301070 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗
2023-12-05 16:31:25240 
IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關(guān)損耗。開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
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