相較于基于硅(Si)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)之類的傳統(tǒng)技術(shù),碳化硅(SiC)元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn),因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。但是使用 SiC 器件進(jìn)行參數(shù)設(shè)計(jì)并不是一個(gè)很簡單的過程。無論是開發(fā)新產(chǎn)品還是升級此前的設(shè)計(jì),最好在確定拓?fù)浜推骷x擇之前的早期設(shè)計(jì)階段對器件進(jìn)行仿真和優(yōu)化。
SpeedFit 設(shè)計(jì)仿真軟件是一款基于 PLECS 的在線系統(tǒng)級電路仿真軟件,旨在多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域提供幫助,例如器件間比較和拓?fù)浔容^、并聯(lián)設(shè)計(jì)配置、熱管理,以及評估硬件性能(如半導(dǎo)體損耗和電感器/變壓器波形),以幫助適應(yīng)特定的電路拓?fù)浠?a target="_blank">芯片組。
** #1 **
SpeedFit 開關(guān)和導(dǎo)通損耗建模
對于 SiC MOSFET 來說,可以分析三種典型的損耗源。首先是開啟時(shí)的損耗 (Eon),其次是關(guān)斷時(shí)的損耗 (Eoff),最后是“導(dǎo)通”時(shí)的導(dǎo)通損耗(表示為 Pconduction)。因此,總功率損耗可以表示為:
Ptotal = ((Eon + Eoff) × Fsw) + Pconduction
圖 1 顯示了柵極信號(hào)脈沖以及 Vds、Ids 和 Ploss 與信號(hào)在開關(guān)狀態(tài)下的關(guān)系。
▲ 圖 1:SiC MOSFET 開關(guān)和功率損耗波形
在導(dǎo)通狀態(tài)下,導(dǎo)通功率損耗取決于結(jié)溫(TJ)和漏極電流(ID)。查找表中保存了不同 VDS 與 ID 在不同溫度下的曲線,可通過插值法得到“導(dǎo)通”電壓。由于漏電流非常低,因此在關(guān)斷狀態(tài)下的功率損耗可以忽略。
開關(guān)損耗取決于 VDS、IDS、TJ 和外部柵極電阻(RG)。開關(guān)損耗三維查找表(作為 ID、關(guān)斷狀態(tài)下電壓以及溫度之間的函數(shù)),用來確定在每個(gè)開關(guān)事件下的 Eon 和 Eoff 值。之后根據(jù)所選定的外部柵極電阻(RG)對這些值進(jìn)行調(diào)整。在測量器件整體平均總損耗時(shí),一般的目標(biāo)是計(jì)算在一個(gè)開關(guān)周期內(nèi)的整體導(dǎo)通和開關(guān)能量損耗,然后在下一周期內(nèi)輸出為平均功率脈沖。這可以使用探頭測量并觀察周期平均值(導(dǎo)通損耗)和周期性脈沖平均值(開關(guān)損耗)的模塊來實(shí)現(xiàn),之后算出結(jié)果的平均值(見圖 2)。
▲ 圖 2:測定整體器件平均損耗的概念圖和實(shí)施方式
SpeedFit 能夠模擬電氣和熱特性,之后使用查找表來確定當(dāng)前開關(guān)周期的損耗,并將其添加到熱電路(包括散熱器)中。對于電路來說,仿真將計(jì)算在開關(guān)上施加的電流和電壓,然后在每次開關(guān)事件之后將數(shù)據(jù)提供給損耗查找表。在熱域中,根據(jù)此前的周期和當(dāng)前的周期損耗估算并更新 TJ。得出的結(jié)果 TJ 被反饋回查找表,進(jìn)行下一周期。圖 3 顯示了這種模擬。
▲ 圖 3:SpeedFit 模擬電氣和熱模型
** #2 **
如何運(yùn)行設(shè)置和仿真
當(dāng)使用 SpeedFit 開始應(yīng)用仿真時(shí),用戶需要選擇 Application(應(yīng)用) 、 Input(輸入) 運(yùn)行參數(shù)和拓?fù)?、選擇 Device(器件) 、設(shè)定 Thermal(熱) 參數(shù),運(yùn)行 Simulation(仿真) ,然后打印 Summary(摘要) 報(bào)告。我們提供了用戶指南,其中包含每個(gè)拓?fù)涞膶?shí)用技巧和范圍限制。
在選擇 Application(應(yīng)用) 時(shí),可以選擇幾種轉(zhuǎn)換器類型(DC/DC、AC/DC 以及 DC/AC)。對于有源前端之后是 CLLC DC/DC 級這樣的多級轉(zhuǎn)換器,應(yīng)該分別對每一級進(jìn)行單獨(dú)仿真。
在 Input(輸入) 運(yùn)行參數(shù)時(shí)(見圖 4),首先選擇需要的拓?fù)洌ㄈ粢阎?,或直接輸入輸?輸出參數(shù),查看匹配的電路。用戶看到的參數(shù)可能會(huì)根據(jù)所選的拓?fù)涠淖?,并且“基于諧振”的拓?fù)鋼碛心軌蜃詣?dòng)導(dǎo)入建議諧振器件值的按鈕,實(shí)現(xiàn)簡單的配置方式。
▲ 圖 4:SpeedFit 輸入運(yùn)行參數(shù)和選擇拓?fù)浯翱?/strong>
在確定電壓和電流額定值后, Device(器件) 選項(xiàng)卡將顯示建議器件的簡短列表,同時(shí)提供所有可選器件的較長/完整列表(MOSFET、二極管、模塊)。在此過程中,用戶可以調(diào)整并聯(lián)器件的數(shù)量以及柵極電阻。此外,在 AC/DC 或 DC/AC 應(yīng)用中使用分立式 MOSFET 時(shí),可以為 MOSFET 并聯(lián)添加肖特基二極管,以減少開關(guān)過程中的損耗。
在設(shè)置 Thermal(熱) 參數(shù)時(shí),將自動(dòng)包含內(nèi)部熱結(jié)電阻(Rth,JC);然而,用戶需要輸入熱界面電阻 (Rth,ch)。界面電阻在每次開關(guān)時(shí)都會(huì)計(jì)算。含多個(gè)開關(guān)位置的功率模塊將根據(jù)模塊中開關(guān)的數(shù)量包含兩個(gè)、四個(gè)或六個(gè)以及更多的并聯(lián) Rth,ch。熱阻值可以是變量或固定值,這取決于具體應(yīng)用??勺兩崞骺山閷χ車h(huán)境的熱阻抗(Tamb),并包含時(shí)間常數(shù)。若選擇固定散熱器選項(xiàng),必須指定散熱器溫度。對于包含一次測和二次側(cè) SiC 器件拓?fù)?,需要為每?cè)使用單獨(dú)(但相同)的散熱器。
Simulate(仿真) 選項(xiàng)卡會(huì)顯示用戶指定的拓?fù)?、散熱器配置以及關(guān)鍵參數(shù)(見圖 5)。在仿真之前,電路中的無源元件參數(shù)可以根據(jù)設(shè)計(jì)來調(diào)整,以調(diào)整設(shè)計(jì)來匹配應(yīng)用,并進(jìn)一步優(yōu)化結(jié)果。在仿真之后,將顯示波形和源極電壓、負(fù)載電壓、輸入電流、負(fù)載電流以及二極管 / MOSFET 電壓和電流。系統(tǒng)概述表會(huì)顯示功率、開關(guān)頻率、效率,而器件概述表會(huì)顯示示出損耗和估計(jì)的結(jié)溫。器件概述表中顯示的損耗是所有此類器件的損耗之和。例如,在圖 5 中,所有 4 個(gè)一次側(cè) SiC MOSFET 的損耗之和為 54.54 W。
▲ 圖 5:SpeedFit 模擬頁面顯示拓?fù)洹⒉ㄐ我约岸鄠€(gè)數(shù)字讀數(shù)
用戶可以運(yùn)行相同拓?fù)涞钠渌?,從而比較結(jié)果,優(yōu)化設(shè)計(jì)。首先,用戶點(diǎn)擊仿真選項(xiàng)卡中的“hold result(保留結(jié)果)”按鈕,以保存此前的結(jié)果以供參考,之后輸入另一個(gè)的工作點(diǎn),或評估替代的器件,然后重新仿真新條件。
最后, Summary(摘要) 選項(xiàng)卡提供多次仿真運(yùn)行(叫作“變量”)的詳細(xì)結(jié)果,并顯示并排比較結(jié)果。同時(shí) User Guide(用戶指南) 選項(xiàng)卡會(huì)提供每種拓?fù)涞倪\(yùn)行限制表,同時(shí)解釋每個(gè)選項(xiàng)卡中的參數(shù)。還會(huì)提供示例數(shù)據(jù),可在不同的熱條件下使用,在熱阻抗還未確定的情況下,能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)新系統(tǒng)提供良好的初次近似值。
** #3 **
SpeedFit 應(yīng)用示例
讓我們運(yùn)行一個(gè)示例應(yīng)用:45 kW 三相逆變器,采用風(fēng)冷方式,供電為 800 V 母線供電,輸出 480 V,開關(guān)頻率為 10 kHz。目標(biāo)是評估 Wolfspeed 的 WolfPACK SiC MOSFET 半橋模塊以及分立式 SiC MOSFET。
在本例中,在幾分鐘之內(nèi)便輕松評估采用多種可能方案的四種選項(xiàng)(兩項(xiàng)分立式和兩項(xiàng)模塊式),所有的效率都 >99%。方案包含:
- 2 × C3M0016120K (16 mΩ TO-247-4)
- 2 × C3M0021120K (21 mΩ TO-247-4)
- CAB011M12FM3 (11 mΩ FM3 WolfPACK)
- CAB016M12FM3 (16 mΩ FM3 WolfPACK)
在衡量安裝尺寸、溫度裕量、功率密度/布局和成本等多種因素時(shí),這些結(jié)果可為進(jìn)行完整的系統(tǒng)架構(gòu)評估提供參考意見。圖 6 顯示了仿真結(jié)果,并演示了比較包含分立式和模塊化 MOSFET 的不同方案是多么地快速和容易。
▲ 圖 6:45 kW 三相逆變器仿真結(jié)果示例
另一個(gè)示例是雙向 CLLC DC/DC 車載充電系統(tǒng),運(yùn)行功率為 22 kW(可用于電動(dòng)汽車充電應(yīng)用)。由于其將用于電動(dòng)汽車,輸入電壓在 380 - 900 VDC 之間,而輸出應(yīng)該在 480 - 800 VDC 之間。本示例測試了三種功率水平,以評估效率和結(jié)溫。三種輸出分別為 400 V、480 V 和 610 V,全都以 36 A 的輸出電流運(yùn)行。所選的拓?fù)涫侨珮?CLLC 諧振轉(zhuǎn)換器,工作頻率在 135 - 250 kHz 之間。這里的計(jì)劃是運(yùn)行仿真、查看結(jié)果,然后根據(jù)需要進(jìn)行微調(diào),從而優(yōu)化設(shè)計(jì)??梢栽趨⒖荚O(shè)計(jì) CRD-22DD12N 中看到具體的示例。
首次在“Input(輸入)”選項(xiàng)卡(見圖 7)進(jìn)行首次運(yùn)行,用戶輸入輸入電壓、輸出電壓、輸出功率 Lm/Lr、Fsw 和 Fres。開始時(shí)建議 Fsw = Fres (190 kHz)。剩下的數(shù)值會(huì)自動(dòng)填充。
▲ 圖 7:22 kW CLLC DC/DC 轉(zhuǎn)換器****在“Input(輸入)”
選項(xiàng)卡中的示例
在“Device(器件)”選項(xiàng)卡中,一次側(cè)和二次側(cè)均選擇 32 mΩ 1,200 V MOSFET,以達(dá)到最高效率。柵極電阻如果高于默認(rèn)設(shè)定值,會(huì)導(dǎo)致開關(guān)損耗增加,但能夠在測試階段帶來設(shè)計(jì)靈活性。Rg 應(yīng)根據(jù)電路實(shí)驗(yàn)來確定,以達(dá)到期望的電壓過沖裕量以及電磁干擾性能。
對于熱性能,選擇隔離的液冷散熱器,能夠?qū)⑸崞鳒囟缺3衷?65 ?C。兩側(cè)均帶涂有導(dǎo)熱硅脂的高性能氮化鋁隔離器,能夠?yàn)?TO-247 解決方案提供良好的隔熱和低熱阻(用戶指南顯示為 0.6 K/W)。
在仿真過程中,首次運(yùn)行的結(jié)果顯示輸出功率過低。根據(jù) CLLC 轉(zhuǎn)換器的基本原則,較低的工作頻率會(huì)提升輸出電壓(和輸出功率),因此采用較低的開關(guān)頻率(降至 170 kHz)重新進(jìn)行模擬。這能夠?qū)⑤敵龉β侍嵘量山邮艿闹?,并提供可用的方案(如圖 8 所示)。
▲ 圖 8:CLLC DC/DC 轉(zhuǎn)換器的第二次運(yùn)行仿真結(jié)果示例
在本例中,用戶可以比較幾個(gè)額外工況點(diǎn)的運(yùn)行結(jié)果:點(diǎn)擊“hold result(保留結(jié)果)”選項(xiàng),之后返回“Input(輸入)”選項(xiàng)卡,然后輸入新數(shù)據(jù)。在重新仿真之后,必要時(shí)調(diào)整 Fsw,以微調(diào)所需的輸出,然后為剩余的工況點(diǎn)重復(fù)該流程。系統(tǒng)將生成摘要,其中包含每仿真結(jié)果,以便進(jìn)行相鄰工況比較。該方法也可用于驗(yàn)證在所有工作條件下的安全工作溫度。
▲ 圖 9
** #4 **
結(jié)論
多種配置的仿真,并取得優(yōu)化結(jié)果之后,設(shè)計(jì)人員可以顯著獲益。SpeedFit 是一款基于 PLECS 平臺(tái)的易用軟件,能夠取代頗費(fèi)時(shí)間的人工數(shù)據(jù)表比較和計(jì)算。設(shè)計(jì)人員可以找到合適的 SiC MOSFET 和 SiC 二極管、在不同的工況點(diǎn)下評估性能(和損耗)、確定系統(tǒng)的熱要求、評估多種不同類型的拓?fù)洳@取波形以優(yōu)化電容器和與電磁相關(guān)的設(shè)計(jì),從而顯著獲益。
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