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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步切入,國(guó)產(chǎn)碳化硅器件存在突圍機(jī)會(huì)

國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步切入,國(guó)產(chǎn)碳化硅器件存在突圍機(jī)會(huì)

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國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)大盤點(diǎn)

從產(chǎn)業(yè)鏈角度看,碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié),但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:03:5612188

碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

二十多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們?cè)絹碓蕉嗟年P(guān)注。與硅相比,碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn),如:碳化硅的禁帶寬度更大,這使碳化硅器件擁有更低的漏電
2022-11-12 10:01:261315

碳化硅器件介紹與仿真

本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
2023-11-27 17:48:06642

國(guó)產(chǎn)碳化硅最新進(jìn)展,功率IDM龍頭低調(diào)入場(chǎng)!

產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展起步早,從襯底到外延片再到芯片的工藝產(chǎn)品相對(duì)成熟,不過近年來國(guó)產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈也取得不小的進(jìn)步。 據(jù)了解,今年以來,華潤(rùn)微電子已經(jīng)切入碳化硅領(lǐng)域,無論從產(chǎn)品線還是技術(shù)研發(fā)等布局來看,這家國(guó)內(nèi)功率IDM龍頭的入局
2020-06-18 11:38:0714789

2023碳化硅產(chǎn)業(yè)趨勢(shì):未來五到十年供應(yīng)都會(huì)緊缺?國(guó)產(chǎn)SiC能成功上主驅(qū)嗎?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)進(jìn)入2023年的第一個(gè)月,碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈就迎來不少好消息。國(guó)內(nèi)多家碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)獲得新的融資,多個(gè)碳化硅上下游的項(xiàng)目有了新進(jìn)展,國(guó)內(nèi)碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈都在春節(jié)前加速突破
2023-01-24 08:17:009285

碳化硅器件步入發(fā)展“快車道”,碳化硅襯底龍頭企業(yè)最新進(jìn)展到哪了?

快速發(fā)展,碳化硅芯片在未來2至3年都將呈現(xiàn)供不應(yīng)求的態(tài)勢(shì)。DIGITIMES Research預(yù)測(cè),2030年全球電動(dòng)汽車銷量有望超越5000萬輛,將帶動(dòng)SiC功率器件于電動(dòng)車市場(chǎng)銷售額突破八成。 ? 5月3日,英飛凌與國(guó)內(nèi)碳化硅公司天科合達(dá)、天岳先進(jìn)簽訂長(zhǎng)期協(xié)
2023-05-24 00:10:003423

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

  碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù)

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù):1 車載電源OBC與最新發(fā)展2 雙向OBC關(guān)鍵技術(shù)3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉(zhuǎn)換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?,具有低的?dǎo)通損耗。  但硅肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn),一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。  二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
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碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了

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2015-06-01 15:38:39

碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅二極管選型表

反向恢復(fù)電流,其關(guān)斷過程很快,開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高,可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域,由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23

碳化硅功率器件可靠性之芯片研發(fā)及封裝篇

要求。測(cè)試新品器件是否合規(guī)比較容易,但判斷器件的物理特征是否會(huì)隨時(shí)間和環(huán)境而變化比較麻煩。本文將從碳化硅芯片研發(fā)和封裝方面探討可靠性問題?! ⌒酒邪l(fā)環(huán)節(jié)的可靠性測(cè)試  衡量可靠性可以從器件的故障率入手
2023-02-28 16:59:26

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45

碳化硅深層的特性

引領(lǐng)碳化硅行業(yè)換代升級(jí),隨著中國(guó)的經(jīng)濟(jì)形勢(shì)向好的方向發(fā)展,碳化硅行業(yè)也會(huì)迎來一定的發(fā)展機(jī)會(huì),注意國(guó)家對(duì)環(huán)境的管制會(huì)越來越嚴(yán)厲。
2019-07-04 04:20:22

碳化硅混合分立器件 IGBT

和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案,可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET,這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間,能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

,熱導(dǎo)率是硅材料的3倍,電子飽和漂移速率是硅的2倍,臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)更是硅的10倍。材料特性對(duì)比如圖(1)所示?! D(1) 4H型碳化硅與硅基材料特性對(duì)比  在硅基半導(dǎo)體器件性能已經(jīng)進(jìn)入瓶頸期時(shí),碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

二十世紀(jì)五十年代后半期,才被納入到固體器件的研究中來。二十世紀(jì)九十年代,碳化硅技術(shù)才真正意義上得到了迅速發(fā)展。SiC材料與目前應(yīng)該廣泛的Si材料相比,較高的熱導(dǎo)率決定了其高電流密度的特性,較高的禁帶寬
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二極管

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2016-11-04 15:50:11

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求。  相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品,基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19

【直播邀請(qǐng)】羅姆 SiC(碳化硅)功率器件的活用

)------------------------------------------------------------------------------------------------會(huì)議主題:羅姆 SiC(碳化硅)功率器件的活用直播時(shí)間:2018
2018-07-27 17:20:31

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

項(xiàng)目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

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創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

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2023-02-28 16:48:24

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環(huán)流損耗并不傳輸能量同時(shí)會(huì)在變壓器、電感以及碳化硅MOSFET上產(chǎn)生導(dǎo)通環(huán)流損耗和溫升等問題。這個(gè)損耗與采用碳化硅器件與否沒有直接關(guān)系,即便采用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)環(huán)流損耗還是依然存在的;當(dāng)工作在諧振
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新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流,謝謝各位!
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  硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面,具體如下
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107 應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!

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碳化硅概念股有哪些?碳化硅國(guó)內(nèi)企業(yè)有哪些?國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤點(diǎn)分析:英飛凌以1.39億美元收購(gòu)初創(chuàng)企業(yè)Siltectra,獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上,進(jìn)一步加碼
2018-12-06 16:08:00138137

簡(jiǎn)述碳化硅襯底的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程

隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領(lǐng)域的爆發(fā),引爆了對(duì)第三代半導(dǎo)體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場(chǎng)需求,國(guó)內(nèi)眾多企業(yè)紛紛通過加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè),今天我們首先
2021-07-29 11:01:184375

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2021-11-29 14:54:087839

國(guó)內(nèi)碳化硅情況介紹

比亞迪作為國(guó)內(nèi)車企,在車上用碳化硅已經(jīng)有差不多5、6 年的歷史,最早是在車載的OBC上用,后面是在車載彈簧、車載電控上面用,目前國(guó)內(nèi)碳化硅車型上,我們用的碳化硅的量是國(guó)內(nèi)最多的,去年算上車載電控
2022-08-26 09:15:131695

碳化硅龍頭擴(kuò)產(chǎn)忙

來源:中國(guó)電子報(bào) 日前,國(guó)際碳化硅大廠安森美宣布,其在捷克Roznov擴(kuò)建的碳化硅工廠落成,未來兩年內(nèi)產(chǎn)能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國(guó)北卡羅來納州建造一座價(jià)值數(shù)十
2022-10-08 17:02:25872

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義,從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因,與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981

碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè)

碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè) 碳化硅市場(chǎng)格局 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié),目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外壟斷,根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示,Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90%的SiC
2023-02-02 15:02:543931

汽車碳化硅技術(shù)原理圖

汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì),隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997

什么是碳化硅?碳化硅功率器件行業(yè)未來可期

碳化硅在半導(dǎo)體芯片中的主要形式為襯底。半導(dǎo)體芯片分為集成電路和分立器件,但不論是集成電路還是分立器件,其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化硅在半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:481086

閃光法測(cè)量高導(dǎo)熱碳化硅圓晶中存在的問題

摘要:對(duì)于高導(dǎo)熱碳化硅(4H-SiC、6H-SiC)圓晶的導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試,目前普遍都采用閃光法,但都存在測(cè)試結(jié)果偏低的現(xiàn)象。本文基于這種高導(dǎo)熱碳化硅特性和閃光法,解釋了這種測(cè)試誤差較大的原因,并通過
2023-02-20 15:55:040

碳化硅模塊上車高濕測(cè)試

碳化硅模塊上車高濕測(cè)試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導(dǎo)體 、派恩杰、中車時(shí)代電氣、基本半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件供應(yīng)商的產(chǎn)品批量應(yīng)用在汽車上,浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項(xiàng)目開始
2023-02-21 09:26:452

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

什么是碳化硅器件

SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。 在眾多半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:564079

碳化硅功率器件在充電樁中的應(yīng)用有哪些?

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53465

碳化硅:第三代半導(dǎo)體之星

按照電學(xué)性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層后進(jìn)一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437

意法半導(dǎo)體供應(yīng)超千萬顆碳化硅器件

意法半導(dǎo)體(ST)宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購(gòu)碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930

碳化硅功率器件的可靠性應(yīng)用

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面。
2023-04-27 14:05:52635

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

碳化硅器件企業(yè)匯總

此前影響碳化硅器件放量的主要約束為成本經(jīng)濟(jì)性問題,現(xiàn)今隨著晶圓生產(chǎn)制造成本下行、與硅基器件價(jià)差持續(xù)縮小,同時(shí)若考慮散熱系統(tǒng)成本節(jié)約、空間節(jié)約、電驅(qū)系統(tǒng)性能提升和整車價(jià)值躍升等附加價(jià)值,碳化硅器件已具有一定競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
2023-06-08 14:50:37782

6.3.2 氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-01-04 14:11:56775

11.6 碳化硅和硅功率器件的性能比較∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

11.6碳化硅和硅功率器件的性能比較第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera
2022-04-24 11:34:51578

國(guó)產(chǎn)碳化硅行業(yè)加速發(fā)展

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié),襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),碳化硅器件的成本構(gòu)成中,襯底、外延、前段、 研發(fā)費(fèi)用和其他分別占比為 47%,23%,19%,6%,5%,襯底+外延合計(jì)約 70%
2023-06-26 11:30:56733

碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有許多優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092319

碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)及發(fā)展趨勢(shì)

隨著國(guó)內(nèi)對(duì)碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入,國(guó)內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升,研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 18:17:49855

不同類型的碳化硅功率器件

目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對(duì)較多,常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場(chǎng)、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件,單元結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對(duì)不同類型的碳化硅功率器件的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行分析。
2023-08-31 14:14:22286

碳化硅功率器件的基本原理及優(yōu)勢(shì)

? 隨著新能源汽車的快速發(fā)展,碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關(guān)速度和更小的尺寸等優(yōu)點(diǎn),因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880

碳化硅新型功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)

碳化硅(SiC)MOS管作為一種新型功率器件,與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,在某些特定條件下具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
2023-09-26 16:59:07475

碳化硅功率器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件,具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)。
2023-09-28 18:19:571220

國(guó)內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤點(diǎn)

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57931

碳化硅器件的生產(chǎn)流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢(shì)?

中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特殊開發(fā),以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實(shí)現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:361191

碳化硅器件在UPS中的應(yīng)用研究

碳化硅器件在UPS中的應(yīng)用研究
2023-11-29 16:39:00240

碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456

碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀

  隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-14 09:14:46241

碳化硅功率器件的原理和應(yīng)用

隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢(shì)。
2023-12-16 10:29:20360

碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件

碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢(shì),主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件存在一些挑戰(zhàn)
2023-12-21 11:27:09286

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)應(yīng)及發(fā)展趨勢(shì)

隨著科技的不斷進(jìn)步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿?,將在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)
2024-01-06 14:15:03353

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅器件封裝與模塊化的關(guān)鍵技術(shù)

碳化硅(Silicon Carbide,簡(jiǎn)稱SiC)器件封裝與模塊化是實(shí)現(xiàn)碳化硅器件性能和可靠性提升的關(guān)鍵步驟。
2024-01-09 10:18:27114

碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用

隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問題的日益突出,高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)特性,正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基功率器件,引領(lǐng)著電力電子技術(shù)的發(fā)展方向。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用以及面臨的挑戰(zhàn)和未來的發(fā)展趨勢(shì)。
2024-02-22 09:19:21170

2023年國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

碳化硅襯底長(zhǎng)期供貨協(xié)議。ST還與三安合資建設(shè)碳化硅器件工廠,并由三安配套供應(yīng)碳化硅襯底。 ? 另一方面產(chǎn)能擴(kuò)張速度也較快,今年以來國(guó)內(nèi)碳化硅襯底產(chǎn)能逐步落地,多家廠商的擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目都在2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)或是在產(chǎn)能爬坡過程中。與之
2024-01-08 08:25:342171

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