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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>淺談MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵細(xì)節(jié)

淺談MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵細(xì)節(jié)

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2018-01-05 09:14:1327575

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2023-04-28 12:23:386460

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MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)秘籍(工作原理+電路設(shè)計(jì)+問題總結(jié))

文件名大小MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)秘籍(工作原理+電路設(shè)計(jì)+問題總結(jié))/MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)大全.pdf[/td]MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)秘籍(工作原理+電路設(shè)計(jì)+問題總結(jié))/MOSFET驅(qū)動(dòng)
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2017-10-19 16:02:3723

柵極關(guān)斷阻抗的驅(qū)動(dòng)電路

和開爾文結(jié)構(gòu)封裝的串?dāng)_問題分別進(jìn)行分析,柵漏極結(jié)電容的充放電電流和共源寄生電感電壓均會(huì)引起處于關(guān)斷狀態(tài)開關(guān)管的柵源極電壓變化。提出一種用于抑制串?dāng)_問題的驅(qū)動(dòng)電路,該驅(qū)動(dòng)電路具有柵極關(guān)斷阻抗低、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于控制的特點(diǎn)。分析該驅(qū)動(dòng)電路的工作原理,提供主
2018-01-10 15:41:223

基于SiC的MOSFET器件在電源與電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的特點(diǎn)分析

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。
2019-12-03 07:50:004184

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生振蕩的原因及如何解決

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的振蕩現(xiàn)象
2019-04-18 06:16:0024537

主要部件選型:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路

主要部件選型:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路
2019-07-02 15:06:293454

如何使用柵極電荷設(shè)計(jì)功率MOSFET和IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)電路

 不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設(shè)計(jì)人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值,從而開始驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。基于柵極對(duì)源電容的RC值通常會(huì)導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)嚴(yán)重不足。雖然柵極對(duì)源電容是一個(gè)重要
2020-03-09 08:00:0024

柵極驅(qū)動(dòng)器是什么?羅姆有哪些產(chǎn)品

來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 柵極驅(qū)動(dòng)器的作用 柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電源如MOSFET,JFET等,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET有個(gè)柵極電容,在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電,當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987

基于IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)方案

本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分;驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003144

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器揭秘

摘要 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820

LTC4441:N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表

LTC4441:N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545

ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET

ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830

高壓柵極驅(qū)動(dòng)器自舉電路設(shè)計(jì)

關(guān)于高壓柵極驅(qū)動(dòng)器自舉電路設(shè)計(jì)方法介紹。
2021-06-19 10:14:0476

探究羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器以及超級(jí)結(jié)MOSFET PrestoMOS

ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC,還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器,再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512409

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)論文

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)論文
2021-11-22 15:57:3784

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的基本原理

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763

MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)總結(jié)

MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)總結(jié)
2021-12-17 15:43:2263

意法半導(dǎo)體雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化并簡(jiǎn)化SiC和IGBT開關(guān)電路

意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)
2022-02-15 14:23:261103

LN8362 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)芯片概述、應(yīng)用及特點(diǎn)

LN8362 是一款可驅(qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)芯片,可用于同步降壓、升降壓和半橋拓?fù)渲小?/div>
2022-06-23 14:20:2611814

淺談柵極驅(qū)動(dòng)器和電源環(huán)路的布線

并聯(lián)MOSFET可實(shí)現(xiàn)高功率設(shè)計(jì)(如交錯(cuò)式升壓轉(zhuǎn)換器),并且可以在多個(gè)級(jí)別完成。在為并聯(lián)MOSFET實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)器時(shí),其柵極不應(yīng)直接連接在一起,而應(yīng)將柵極電阻分別施加到每個(gè)柵極。
2022-10-19 10:03:241017

強(qiáng)魯棒性低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南

強(qiáng)魯棒性低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南
2022-10-28 11:59:551

關(guān)鍵隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格

關(guān)鍵隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格
2022-11-01 08:25:250

門極柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方法

門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方法
2022-11-09 17:28:410

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算和柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算

本文介紹了三個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET工作時(shí)的功率計(jì)算 以及通過實(shí)例進(jìn)行計(jì)算 輔助MOSFET電路驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中電流的計(jì)算 不是mosfet導(dǎo)通電流 是mosfet柵極驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算和驅(qū)動(dòng)功耗計(jì)算
2022-11-11 17:33:0335

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)電路案例分析

MOSFET柵極和源極之間添加一個(gè)外部齊納二極管,可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意,齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
2023-01-02 06:54:00771

SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作

本文將針對(duì)上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行解說。
2023-02-08 13:43:23491

以雙極性方式驅(qū)動(dòng)單極柵極驅(qū)動(dòng)

如果特定功率器件需要正極和負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)人員無需尋找專門處理雙極性操作的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器。使用這個(gè)簡(jiǎn)單的技巧使單極性柵極驅(qū)動(dòng)器提供雙極性電壓!
2023-02-16 11:04:58518

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路學(xué)習(xí)筆記之柵極驅(qū)動(dòng)參考

柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中,驅(qū)動(dòng)主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0017

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路之高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)

高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng) 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動(dòng)器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)可按照所驅(qū)動(dòng)的器件類型或涉及的驅(qū)動(dòng)電路類型來分類。相應(yīng)地,無論是
2023-02-23 15:35:241

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的基本原理學(xué)習(xí)

1.PWM直接驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)主開關(guān)晶體管柵極的最簡(jiǎn)單方法是利用 PWM 控制器的柵極驅(qū)動(dòng)輸出,如圖(1)如 圖 8中所示,PWM 控制器和 MOSFET 之間可能有較大距離。由于柵極驅(qū)動(dòng)和接地環(huán)路跡線
2023-02-24 10:45:172

MOSFET 中設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)安全可靠的柵極驅(qū)動(dòng)操作-AN90001

MOSFET 中設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)安全可靠的柵極驅(qū)動(dòng)操作-AN90001
2023-03-01 18:38:548

強(qiáng)魯棒性低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南

????? 在開關(guān)電源的組成中,柵極驅(qū)動(dòng)器作為連接控制級(jí)與功率級(jí)的橋梁,對(duì)系統(tǒng)的正常運(yùn)行至關(guān)重要。在新能源汽車市場(chǎng),尤其是關(guān)乎人身安全的車載充電器應(yīng)用中,對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器的可靠性的要求越來越高。本文以低側(cè)驅(qū)動(dòng)器為例,列舉出在柵極驅(qū)動(dòng)器的潛在失效風(fēng)險(xiǎn)以及對(duì)應(yīng)的設(shè)計(jì)指南,以便提高柵極驅(qū)動(dòng)器的可靠性。
2023-03-16 10:13:32964

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)技巧

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391005

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹和選型指南

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。 為了操作 MOSFET,通常須將一個(gè)電壓施加于柵極(相對(duì)于源極或發(fā)射極)。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:391475

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用有哪些

常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:54:02518

柵極驅(qū)動(dòng)器和MOSFET兼容性

介紹 在設(shè)計(jì)電源開關(guān)系統(tǒng)(例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電源)時(shí),設(shè)計(jì)人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求?什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機(jī)或變壓器?以及哪種柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430

使用MD7120 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的D類功率音頻放大器電路設(shè)計(jì)

這是使用IC MD7120作為MOSFET驅(qū)動(dòng)器的D類功率音頻放大器的電路設(shè)計(jì)。 MD7120 用于驅(qū)動(dòng)在 H 橋開關(guān)兩側(cè)運(yùn)行的四個(gè) N 溝道 MOSFET 晶體管。它由控制器邏輯電路、電平轉(zhuǎn)換器
2023-07-28 16:20:50801

MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用?

MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用? MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中,柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),關(guān)鍵元件該怎么選?

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),關(guān)鍵元件該怎么選?
2023-11-30 18:02:38294

SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作

SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
2023-12-07 15:52:38185

MOSFET柵極電路常見作用有哪些?MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?

MOSFET柵極電路常見的作用有哪些?MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響? MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種非常重要的電子器件,廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET柵極電路
2023-11-29 17:46:40571

適配MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)GaN FETs

GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì),為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而,GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器和控制器的發(fā)展。因此,電路設(shè)計(jì)師經(jīng)常轉(zhuǎn)向?yàn)楣鐼OSFETs設(shè)計(jì)的通用柵極驅(qū)動(dòng)器,這就需要仔細(xì)考慮多個(gè)因素以實(shí)現(xiàn)最佳性能。
2024-02-29 17:54:08190

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