等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié),如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng),容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效,因此發(fā)這篇文章將柵極常見的電路整理出來供大家參考討論,也歡迎大家提出自己的觀點(diǎn)。
2018-01-05 09:14:1327575 MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。本文探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。
2016-12-15 16:00:3417031 MOSFET的柵極電阻有什么關(guān)鍵作用?
2019-05-11 09:32:1113279 為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關(guān)損耗,柵極驅(qū)動(dòng)器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓,以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:002391 等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié),如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng),容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效,因此發(fā)這篇文章將柵極常見的電路整理出來供大家參考討論,也歡迎大家提出自己的觀點(diǎn)。
2022-08-23 09:27:541525 在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個(gè)外部齊納二極管,可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意,齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
2023-03-15 09:44:34470 首先說一下電源IC直接驅(qū)動(dòng),下圖是我們最常用的直接驅(qū)動(dòng)方式,在這類方式中,我們由于驅(qū)動(dòng)電路未做過多處理,因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化。如縮短IC至MOSFET的柵極走線長(zhǎng)度,增加走線寬度,盡量將Rg放置在離MOSFET柵極較進(jìn)的位置,從而達(dá)到減少寄生電感,消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:386460 等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié),如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng),容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效,因此發(fā)這篇文章將柵極常見的電路整理出來供大家參考討論,也歡迎大家提出自己的觀點(diǎn)。
2023-05-04 09:43:01735 常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:52:08748 MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后,設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動(dòng)器。在這篇文章中,我們討論了SiC MOSFET器件的特點(diǎn)以及它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求,然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級(jí)考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 上一篇文章我們介紹過,為了使MOS管完全導(dǎo)通,需要盡量提高柵極的驅(qū)動(dòng)電流。那是不是柵極驅(qū)動(dòng)電流越大越好呢,即驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)阻越小越好?
2023-08-14 09:34:182447 雖然數(shù)字邏輯電路在太陽能收集設(shè)計(jì)中提供關(guān)鍵的監(jiān)控和控制功能,但功率晶體管為電力輸送提供了基礎(chǔ)。在這些數(shù)字和電源域之間,柵極驅(qū)動(dòng)器提供關(guān)鍵接口功能,在太陽能解決方案中驅(qū)動(dòng)高功率MOSFET和IGBT
2019-01-23 08:23:004168 MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動(dòng)方式
2021-03-29 07:29:27
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC4441資料下載內(nèi)容主要介紹了:LTC4441功能和特點(diǎn)LTC4441引腳功能LTC4441內(nèi)部方框圖LTC4441典型應(yīng)用電路LTC4441電氣參數(shù)
2021-03-29 06:26:56
MOSFET驅(qū)動(dòng)電路中自舉電容如何發(fā)揮作用?為何漏極48V導(dǎo)通后柵極就變成63V了?
2015-07-30 14:49:53
MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)參考
2016-06-21 18:27:30
MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)
2021-02-25 06:05:27
`MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)大全`
2012-08-06 12:23:46
`MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)大全`
2012-08-17 15:47:18
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
電路設(shè)計(jì)中的11個(gè)細(xì)節(jié)
2021-03-18 07:24:14
CPU-供電的MOSFET-自舉驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
2016-06-21 18:21:47
/1OZElvRExflrRnDHOXTD3Xg提取碼:aueoMOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)秘籍(工作原理+電路設(shè)計(jì)+問題總結(jié))/MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)大全.pdfMOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)秘籍(工作原理+電路設(shè)計(jì)+問題總結(jié)
2020-07-21 18:52:16
文件名大小MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)秘籍(工作原理+電路設(shè)計(jì)+問題總結(jié))/MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)大全.pdf[/td]MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)秘籍(工作原理+電路設(shè)計(jì)+問題總結(jié))/MOSFET驅(qū)動(dòng)
2020-07-23 17:22:15
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進(jìn)行替換時(shí),還需要探討柵極驅(qū)動(dòng)器電路。與Si-MOSFET的區(qū)別:內(nèi)部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身(芯片)的內(nèi)部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比,SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
本文從MOSFET技術(shù)和開關(guān)運(yùn)行概述入手,按照由易而難的順序,對(duì)各類問題進(jìn)行了闡述。詳細(xì)介紹了解接地參考和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)流程,以及交流耦合和變壓器隔離解決方案。
2019-05-22 07:00:00
和漏極電荷Qgs:柵極和源極電荷柵極電荷測(cè)試的原理圖和相關(guān)波形見圖1所示。在測(cè)量電路中,柵極使用恒流源驅(qū)動(dòng),也就是使用恒流源IG給測(cè)試器件的柵極充電,漏極電流ID由外部電路提供,VDS設(shè)定為最大
2017-01-13 15:14:07
[size=13.63636302948px]BUCK電路里面如果用MOSFET做開關(guān)管,TL494做脈沖寬度調(diào)制 (Pwm) 控制電路,請(qǐng)問怎么驅(qū)動(dòng)MOSFET,,,加在柵極上的電壓好像要很高。。 求大神解答!
2014-11-15 16:35:11
發(fā)一個(gè)大家都說好的 基于功率MOSFET和柵極驅(qū)動(dòng)芯片IR2130的無刷直流電機(jī)功率驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
2016-01-14 11:05:36
您好,我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器,但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問題。首先,是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
摘要:針對(duì)橋式拓?fù)涔β?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET因柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)振蕩產(chǎn)生的橋臂直通問題,給出了計(jì)及各寄生參數(shù)的驅(qū)動(dòng)電路等效模型,對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)振蕩的機(jī)理進(jìn)行了深入研究,分析了驅(qū)動(dòng)電路各參數(shù)與振蕩的關(guān)系,并以此為依據(jù)
2018-08-27 16:00:08
模擬電路設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)有哪些
2021-03-11 06:26:51
更能充分認(rèn)識(shí)器件,同時(shí)通過詳細(xì)解說讓讀者學(xué)會(huì)輕松讀懂MOSFET數(shù)據(jù)表,文末分享了模塊電源中常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路,對(duì)于電路的要求和關(guān)鍵設(shè)計(jì)都作出了詳細(xì)教程,放標(biāo)讀者參考。目錄:線性電源與開關(guān)電源
2019-03-06 16:20:14
認(rèn)作業(yè)應(yīng)該有所幫助。因而,最終選定MOSFET。到此,至于柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路和電流檢測(cè)電阻將在“主要部件的選定-MOSFET相關(guān) 其2”中說明。關(guān)鍵要點(diǎn):?選定開關(guān)晶體管(MOSFET)主要考量漏極-源
2018-11-27 16:58:28
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
高速MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南
2019-03-08 22:39:53
`<font face="Verdana">高速MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用指南<br/>&
2009-03-27 16:08:33
功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路分析:針對(duì)功率MOSFET的特點(diǎn),介紹由多個(gè)—概管組成的組臺(tái)式驅(qū)動(dòng)電路.在逆變焊接電源上做了實(shí)驗(yàn).驗(yàn)證了該方法的合理性。關(guān)鍵詞:功率MOSFET,半橋式電路,
2010-04-12 08:36:5470 摘要:介紹了一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅(qū)動(dòng)電路。該電路通過循環(huán)儲(chǔ)存在柵極電容中的能量來實(shí)現(xiàn)減少驅(qū)動(dòng)功率損耗的目的,從而保證了此驅(qū)動(dòng)電路可以在較高的頻率下工作。
2010-05-04 08:38:1253 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT 應(yīng)用中的關(guān)鍵問題。本文闡明構(gòu)成IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)電路的注意事項(xiàng),基本電路參數(shù)的選擇原則,還介紹丁幾種驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例。
2010-08-31 16:33:41213 功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)電路
2009-04-02 23:36:182182 單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國(guó)IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 MOSFET與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理及應(yīng)用
下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS管的
2009-12-29 10:41:099784 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 MOSFET管開關(guān)電路設(shè)計(jì)MOSFET管開關(guān)電路設(shè)計(jì)
2015-12-23 15:03:45204 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器,可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)參考,感興趣的小伙伴們可以看看。
2016-07-29 18:08:19135 的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比,IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用,因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路:
2017-10-19 16:02:3723 和開爾文結(jié)構(gòu)封裝的串?dāng)_問題分別進(jìn)行分析,柵漏極結(jié)電容的充放電電流和共源寄生電感電壓均會(huì)引起處于關(guān)斷狀態(tài)開關(guān)管的柵源極電壓變化。提出一種用于抑制串?dāng)_問題的驅(qū)動(dòng)電路,該驅(qū)動(dòng)電路具有柵極關(guān)斷阻抗低、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于控制的特點(diǎn)。分析該驅(qū)動(dòng)電路的工作原理,提供主
2018-01-10 15:41:223 商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)。
2019-12-03 07:50:004184 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的振蕩現(xiàn)象
2019-04-18 06:16:0024537 主要部件選型:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路
2019-07-02 15:06:293454 不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設(shè)計(jì)人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值,從而開始驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。基于柵極對(duì)源電容的RC值通常會(huì)導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)嚴(yán)重不足。雖然柵極對(duì)源電容是一個(gè)重要
2020-03-09 08:00:0024 來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 柵極驅(qū)動(dòng)器的作用 柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電源如MOSFET,JFET等,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET有個(gè)柵極電容,在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電,當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分;驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003144 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 LTC4441:N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 關(guān)于高壓柵極驅(qū)動(dòng)器自舉電路設(shè)計(jì)方法介紹。
2021-06-19 10:14:0476 ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC,還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器,再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)論文
2021-11-22 15:57:3784 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)總結(jié)
2021-12-17 15:43:2263 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-15 14:23:261103
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