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一文詳解IGBT的失效機(jī)制
- IGBT(242707)
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IGBT功率模塊封裝結(jié)構(gòu)及失效機(jī)理
IGBT 功率模塊工作過(guò)程中存在開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，這些損耗以熱的形式耗散，使得在 IGBT 功率模塊封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生溫度梯度。并且結(jié)構(gòu)層不同材料的熱膨脹系數(shù)( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差較大
2022-09-07 10:06:18
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4436引起IGBT失效的原因
IGBT失效場(chǎng)合：來(lái)自系統(tǒng)內(nèi)部，如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機(jī)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)、負(fù)載突變都會(huì)引起過(guò)電壓和過(guò)電流；來(lái)自系統(tǒng)外部，如電網(wǎng)波動(dòng)、電力線感應(yīng)、浪涌等。歸根結(jié)底，IGBT失效主要是由集電極和發(fā)射極的過(guò)壓/過(guò)流和柵極的過(guò)壓/過(guò)流引起。
2022-10-21 09:00:504096
4096詳解IGBT的米勒鉗位電路
當(dāng)出現(xiàn)短路時(shí)IGBT的Vce快速上升，過(guò)高的dVce/dt會(huì)通過(guò)米勒電容給IGBT門(mén)極充電，若不進(jìn)行保護(hù)會(huì)使得門(mén)極電壓過(guò)高而損壞IGBT，門(mén)極鉗位電路主要是在門(mén)極電壓過(guò)高時(shí)起動(dòng)保護(hù)電路動(dòng)作，提供電流瀉放通道抑制門(mén)極電壓升高。
2023-02-23 14:45:093776
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一文詳解IGBT的過(guò)流和短路保護(hù)
IGBT是高頻開(kāi)關(guān)器件，芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過(guò)流或短路故障時(shí)，器件中流過(guò)的大于額定值的電流時(shí)，極易使器件管芯結(jié)溫升高，導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就來(lái)聊聊IGBT的過(guò)流和短路保護(hù)。
2023-04-06 17:31:175483
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淺談IGBT的閂鎖效應(yīng)
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng)，一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng)，是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象，當(dāng)然，閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片本身的構(gòu)造。實(shí)際工作中我們可能很少聽(tīng)到一種失效率，閂鎖失效，今天我們就來(lái)聊一聊什么是閂鎖效應(yīng)。
2023-04-06 17:32:551090
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什么是宇宙射線？宇宙射線導(dǎo)致IGBT失效的機(jī)理
眾所周知，IGBT失效是IGBT應(yīng)用中的難題。大功率IGBT作為系統(tǒng)中主電路部分的開(kāi)關(guān)器件，失效后將直接導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓。宇宙射線作為一個(gè)無(wú)法預(yù)知的因素，可能就是導(dǎo)致IGBT發(fā)生意外故障的關(guān)鍵。
2023-12-27 09:39:34676
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IGBT失效的原因與IGBT保護(hù)方法分析
，器件將失去阻斷能力，柵極控制就無(wú)法保護(hù)，從而導(dǎo)致IGBT失效。實(shí)際應(yīng)用時(shí)，一般最高允許的工作溫度為125℃左右。2、超出關(guān)斷安全工作區(qū)引起擎住效應(yīng)而損壞。擎住效應(yīng)分靜態(tài)擎住效應(yīng)和動(dòng)態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT為
2020-09-29 17:08:58
IGBT模塊高溫反偏老化測(cè)試詳解
3.1 設(shè)備簡(jiǎn)述 IGBT高壓反偏試驗(yàn)是在一定溫度條件（125℃）下，按照規(guī)定的時(shí)間和電壓，對(duì)IGBT施加反偏電壓，從而對(duì)器件進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)和耐久性評(píng)估的一種主要試驗(yàn)方法。EN-320測(cè)試系統(tǒng)是專為
2018-08-29 21:20:11
IGBT的失效機(jī)理
IGBT的失效機(jī)理 半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進(jìn)行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)（Safe Operating Area簡(jiǎn)稱SOA
2017-03-16 21:43:31
IGBT的開(kāi)啟與關(guān)斷
開(kāi)啟IGBT時(shí)IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？關(guān)斷IGBT時(shí)IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？
2021-10-14 09:09:20
IGBT驅(qū)動(dòng)板，IGBT驅(qū)動(dòng)核，IGBT驅(qū)動(dòng)芯，IGBT適配板，IPM之間的區(qū)別
`我需要通過(guò)LC電路產(chǎn)生一個(gè)1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來(lái)進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路
2017-10-10 17:16:20
一文詳解ARM指令與ARM匯編
1、2、3、ARM嵌入式開(kāi)發(fā)之ARM指令與ARM匯編入門(mén)4、ARM嵌入式開(kāi)發(fā)之ARM匯編高級(jí)教程與APCS規(guī)范詳解視頻下載地址：內(nèi)容：01_ARM嵌入式開(kāi)發(fā)之ARM基礎(chǔ)概念介紹...
2021-12-23 06:45:18
一文解讀mosfet與igbt的區(qū)別
1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開(kāi)關(guān)速度可以到
2019-03-06 06:30:00
失效分析常用的設(shè)備及功能
明確其失效模式，失效模式是指失效的外在直觀失效表現(xiàn)形式和過(guò)程規(guī)律，通常指測(cè)試觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式，如開(kāi)路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。要明確失效模式，首先要細(xì)心收集失效現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)。一般情況下失效
2020-08-07 15:34:07
詳解Linux內(nèi)核搶占實(shí)現(xiàn)機(jī)制
本文詳解了Linux內(nèi)核搶占實(shí)現(xiàn)機(jī)制。首先介紹了內(nèi)核搶占和用戶搶占的概念和區(qū)別，接著分析了不可搶占內(nèi)核的特點(diǎn)及實(shí)時(shí)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)內(nèi)核搶占的必要性。然后分析了禁止內(nèi)核搶占的情況和內(nèi)核搶占的時(shí)機(jī)，最后介紹了實(shí)現(xiàn)搶占內(nèi)核所做的改動(dòng)以及何時(shí)需要重新調(diào)度。
2019-08-06 06:16:22
NameNode的工作機(jī)制詳解
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2021-01-05 17:13:29
【轉(zhuǎn)帖】LED芯片失效和封裝失效的原因分析
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2018-02-05 11:51:41
什么是失效分析？失效分析原理是什么？
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2011-11-29 16:39:42
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2018-12-07 14:05:13
求IGBT失效機(jī)理分析
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
IGBT失效分析大概有下面幾個(gè)方面：1、IGBT過(guò)壓失效，Vge和Vce、二極管反向電壓失效等。2、IGBT過(guò)流，一定程度
2012-12-19 20:00:59
淺談一下失效分析
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2019-10-11 09:50:49
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2021-07-22 06:31:40
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2012-09-17 19:22:20
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在一些要求高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合，希望功率半導(dǎo)體器件可以穩(wěn)定運(yùn)行30年以上。為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了X系列高壓IGBT模塊，特別注重了可靠性方面的設(shè)計(jì)，并在實(shí)際的環(huán)境條件下進(jìn)行了驗(yàn)證，結(jié)果顯示失效率可以得到明顯降低。本文著介紹在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
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FMEA失效模式公析表:被分析的項(xiàng)目或操作 潛能失效模態(tài) 潛在的失效效應(yīng) 嚴(yán)重度 失敗的潛能因素/機(jī)制 發(fā)生度 現(xiàn)在的設(shè)計(jì)或制程控制 難檢度 風(fēng)險(xiǎn)數(shù)
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2017-06-05 14:21:1227214
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路原理與設(shè)計(jì)技巧詳解
本文著重介紹三個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動(dòng)IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用
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IGBT安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理
電流Tsc 1、 引言 半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進(jìn)行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)（Safe Operating Area簡(jiǎn)稱SOA）使用引起的。因此全面了解SOA，并在使用中將IGBT的最大直流電流IC和集電極發(fā)射極電壓
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隨著電子信息產(chǎn)品的小型化以及無(wú)鉛無(wú)鹵化的環(huán)保要求，PCB也向高密度高Tg以及環(huán)保的方向發(fā)展。但是由于成本以及技術(shù)的原因，PCB在生產(chǎn)和應(yīng)用過(guò)程中出現(xiàn)了大量的失效問(wèn)題，并因此引發(fā)了許多的質(zhì)量糾紛。為了弄清楚失效的原因以便找到解決問(wèn)題的辦法和分清責(zé)任，必須對(duì)所發(fā)生的失效案例進(jìn)行失效分析。
2018-02-03 09:24:513557
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關(guān)于LED失效的兩種失效模式分析
LED燈珠是一個(gè)由多個(gè)模塊組成的系統(tǒng)。每個(gè)組成部分的失效都會(huì)引起LED燈珠失效。 從發(fā)光芯片到LED燈珠，失效模式有將近三十種，如表1，LED燈珠的失效模式表所示。這里將LED從組成結(jié)構(gòu)上分為芯片和外部封裝兩部分。 那么， LED失效的模式和物理機(jī)制也分為芯片失效和封裝失效兩種來(lái)進(jìn)行討論。
2018-07-12 14:34:007820
7820一文讀懂IGBT封裝失效的機(jī)理
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，最后用塑料殼封裝，IGBT單元
2018-10-18 18:28:03599
599引起IGBT失效的原因與保護(hù)方法
瞬態(tài)過(guò)電流IGBT在運(yùn)行過(guò)程中所承受的大幅值過(guò)電流除短路、直通等故障外，還有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流、緩沖電容器的放電電流及噪聲干擾造成的尖峰電流。這種瞬態(tài)過(guò)電流雖然持續(xù)時(shí)間較短，但如果不采取措施，將增加IGBT的負(fù)擔(dān)，也可能會(huì)導(dǎo)致IGBT失效 。
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7842IGBT的3種短路特性類型
在IGBT的應(yīng)用中，當(dāng)外部負(fù)載發(fā)生故障，或者柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)出現(xiàn)異常，或者某個(gè)IGBT或二極管突然失效，均可能引起IGBT短路，表現(xiàn)為橋臂內(nèi)短路、相同短路及接地短路，由于IGBT在短路狀態(tài)下需要同時(shí)承受
2019-10-07 15:04:0024314
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一文詳解電子元器件失效的分類、檢測(cè)和案例
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3855關(guān)于IGBT的封裝失效機(jī)理的詳細(xì)講解
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1379基于失效機(jī)制的集成電路應(yīng)力測(cè)試鑒定
本文件包含一套基于失效機(jī)制的應(yīng)力測(cè)試，定義了最低應(yīng)力測(cè)試驅(qū)動(dòng)的鑒定要求，并參考了集成電路（IC）鑒定的測(cè)試條件。這些測(cè)試能夠刺激和沉淀半導(dǎo)體器件和封裝故障。其目的是與使用條件相比，以更快的方式發(fā)生
2020-12-10 08:00:003
3故障度量和安全機(jī)制ASIL等級(jí)的詳解
上一篇內(nèi)容,我們討論了系統(tǒng)層面的不同的自檢技術(shù)來(lái)檢測(cè)我們的潛伏失效。本篇將討論故障度量和安全機(jī)制ASIL等級(jí)。01概念介紹1- 單點(diǎn)故障(SPF):一個(gè)要素中的硬件故障,直接導(dǎo)致安全目標(biāo)的違反,并且該元件中的任何故障都不被任何安全機(jī)制所覆蓋
2020-12-24 14:30:132433
2433IGBT失效防護(hù)機(jī)理及電路資料下載
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供IGBT失效防護(hù)機(jī)理及電路資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:50:2222
22詳解IGBT系統(tǒng)資料下載
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2021-04-16 08:40:5535
35詳解貼片電感的失效原因（三）
回流焊時(shí)急冷急熱，使貼片電感內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力，導(dǎo)致有極少部分的內(nèi)部存在開(kāi)路隱患的貼片電感的缺陷變大，造成貼片電感開(kāi)路。從線路板上取下貼片電感測(cè)試，貼片電感失效。如果出現(xiàn)焊接開(kāi)路，失效的產(chǎn)品數(shù)量一般較少，同批次中失效產(chǎn)品一般小于千分級(jí)。
2021-04-21 14:31:102186
2186逆變H橋IGBT單管驅(qū)動(dòng)+保護(hù)
目錄：一、簡(jiǎn)述二、驅(qū)動(dòng)電路三、電流采集電流四、保護(hù)機(jī)制
2021-11-08 14:21:0528
28MEMS(微機(jī)電系統(tǒng)檢測(cè)及失效分析
MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）元件的失效機(jī)制從本質(zhì)上講和與之相對(duì)應(yīng)的宏觀（肉眼可見(jiàn)）元件，具有很大差別并且是獨(dú)特的。本文討論從各種MEMS元件中觀測(cè)到的失效機(jī)制。需要強(qiáng)調(diào)的是，MEMS裝置的組裝使用散裝表面
2021-12-13 09:37:371065
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如何預(yù)防IGBT模塊因?yàn)楦邼?b class="flag-6" style="color: red">失效
接上一篇討論了IGBT應(yīng)用的環(huán)境，在什么條件下算是高濕？而高濕環(huán)境又是如何影響IGBT的可靠性的。本篇內(nèi)容我們接著討論，從用戶端的角度，如何預(yù)防IGBT模塊因?yàn)楦邼?b class="flag-6" style="color: red">失效？
2022-07-10 11:55:271964
1964詳解C/C++堆棧的工作機(jī)制
參數(shù)，事實(shí)上是把參數(shù)壓入堆棧，聽(tīng)起來(lái)，堆棧象一個(gè)大雜燴。那么，堆棧(Stack)到底是如何工作的呢？本文將詳解C/C++堆棧的工作機(jī)制。閱讀時(shí)請(qǐng)注意以下幾點(diǎn)：
2022-07-29 09:09:48786
786FMEDA（失效模式影響和診斷分析） 安全機(jī)制的插入和驗(yàn)證
FMEDA（失效模式影響和診斷分析）利用一系列安全機(jī)制來(lái)評(píng)估安全架構(gòu)，并計(jì)算系統(tǒng)的安全性能。ISO 26262 規(guī)范第 5 部分規(guī)定，硬件架構(gòu)需要根據(jù)故障處理要求進(jìn)行評(píng)估。它要求通過(guò)一套客觀的指標(biāo)
2022-11-18 16:02:322210
2210引起IGBT失效的原因有幾種
IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。
2023-01-13 10:14:581363
1363IGBT失效模式和失效現(xiàn)象
今天梳理一下IGBT現(xiàn)象級(jí)的失效形式。 失效模式根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多，如電源或負(fù)載波動(dòng)、驅(qū)動(dòng)或控制電路故障、散熱裝置故障
2023-02-22 15:05:4319
19IGBT應(yīng)用技術(shù)之有源鉗位詳解
??關(guān)于IGBT的有源鉗位技術(shù)，也有稱Vce鉗位，VceClamp，區(qū)別于有源米勒鉗位。??這里推薦一篇文章，值得一看： IGBT應(yīng)用技術(shù)之有源鉗位詳解??典型的有源鉗位電路通過(guò)TVS直接引入負(fù)反饋
2023-02-22 14:04:2013
13詳解：MOS管和IGBT的區(qū)別
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
下面我們就來(lái)
2023-02-24 10:36:266
6IGBT失效及壽命預(yù)測(cè)
實(shí)際應(yīng)用中，IGBT常見(jiàn)的兩種失效機(jī)理：
突發(fā)失效：即自發(fā)的，不可預(yù)知的失效
漸變失效：可預(yù)測(cè)的失效，隨著時(shí)間推移慢慢產(chǎn)生，制造商起著決定性的作用
1、突發(fā)失效：應(yīng)用工程師的主要任務(wù)是通過(guò)
2023-02-24 15:08:582
2壓接型與焊接式IGBT的失效模式與失效機(jī)理
失效率是可靠性最重要的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)，所以研究IGBT的失效模式和機(jī)理對(duì)提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。
2023-04-20 10:27:041120
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IGBT模塊主要失效形式
隨著IGBT的耗散功率和開(kāi)關(guān)頻率不斷增大，以及工作環(huán)境嚴(yán)苛，使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量，由于模塊內(nèi)的熱量無(wú)法及時(shí)得到釋放，從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25513
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IGBT模塊是如何失效的？
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555
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圖文詳解Linux分頁(yè)機(jī)制
分頁(yè)機(jī)制是 80x86 內(nèi)存管理機(jī)制的第二種機(jī)制，分段機(jī)制用于把虛擬地址轉(zhuǎn)換為線性地址，而分頁(yè)機(jī)制用于把線性地址轉(zhuǎn)換為物理地址。
2023-05-30 09:10:44266
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IGBT模塊是如何失效的？
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29586
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一文講透IGBT 模塊失效的機(jī)理
驅(qū)動(dòng)電路的工作頻率（最小脈寬）相對(duì) IGBT 開(kāi)關(guān)頻率（占空比范圍）不足，或輔助電源平均輸出功率不足，導(dǎo)致的輸出不穩(wěn)定。這個(gè)問(wèn)題導(dǎo)致的后果是，驅(qū)動(dòng)狀態(tài)發(fā)生波動(dòng)，系統(tǒng)最壞情況出現(xiàn)概率增加。
2023-06-16 10:34:23734
734詳解：MOS管和IGBT的區(qū)別
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？下面我們就來(lái)了解一下
2022-07-21 17:53:513005
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瞬態(tài)熱阻抗準(zhǔn)確計(jì)算IGBT模塊結(jié)殼熱阻的方法
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅速發(fā)展以及絕緣柵雙極型晶體管（insulatedgatebipolartranslator，IGBT）模塊的普遍應(yīng)用，電力電子可靠性要求不斷提高，而過(guò)熱失效這一主要失效原因亦成為
2023-04-04 10:14:09965
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IGBT模塊的封裝形式及失效形式
單元，IGBT模塊得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種，其中焊接式發(fā)展成熟，應(yīng)用廣泛。IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:522952
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IGBT逆變電路詳解
IGBT逆變電路詳解 IGBT逆變電路是一種高壓、高功率驅(qū)動(dòng)電路，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空、船舶等領(lǐng)域。本文將為您詳細(xì)介紹IGBT逆變電路的原理、結(jié)構(gòu)、應(yīng)用以及注意事項(xiàng)等內(nèi)容。 一、IGBT逆變電
2023-08-29 10:25:543326
3326半導(dǎo)體器件擊穿原理和失效機(jī)制詳解
在日常的電源設(shè)計(jì)中，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計(jì)是工程師不得不面對(duì)的問(wèn)題，本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機(jī)制，以及在設(shè)計(jì)應(yīng)用中注意事項(xiàng)。
2023-09-19 11:44:382592
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IGBT的失效模式與失效機(jī)理分析探討及功率模塊技術(shù)現(xiàn)狀未來(lái)展望
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機(jī)理的不同，如表1所示。本文針對(duì)兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機(jī)理進(jìn)行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ)，尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07724
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詳解常見(jiàn)的7大晶振失效原因
詳解常見(jiàn)的7大晶振失效原因? 晶振是現(xiàn)代電子設(shè)備中廣泛應(yīng)用的一種元器件，它可以提供基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)，用于設(shè)備的時(shí)序控制和數(shù)據(jù)傳輸。然而，晶振有時(shí)可能會(huì)失效，導(dǎo)致設(shè)備無(wú)法正常工作。下面將詳細(xì)介紹常見(jiàn)的七大
2023-12-18 14:09:25524
524ESD靜電放電有幾種主要的破壞機(jī)制 ESD失效的原因
ESD靜電放電有幾種主要的破壞機(jī)制 ESD失效的原因? 靜電放電(ESD)是由于靜電的積累導(dǎo)致電荷突然放電到不同電勢(shì)的物體上而引起的一系列現(xiàn)象。ESD可能對(duì)電子設(shè)備和電路產(chǎn)生不可逆的破壞，因此對(duì)于
2024-01-03 13:42:481274
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工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論