概述
上文和大家討論了PMOS的負載開關(guān)電路,使用PMOS來控制后繼電路的開關(guān)。然而在日常應(yīng)用中PMOS可供選擇的類型較少,價格也相對昂貴。因此選用NMOS作為開關(guān)電路選型范圍較多,成本也更加劃算,尤其針對一些低壓1V、1.8V、3.3V大電流應(yīng)用中更有優(yōu)勢。
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如下圖搭建NMOS開關(guān)電路
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其中Q1、Q2為控制電路R3端口加入3.3V脈沖激勵源作為使能EN信號,使能信號高有效,當(dāng)脈沖為高電平時NPN三極管Q1導(dǎo)通,PNP三極管Q2導(dǎo)通,NMOSQ3的基極電壓為R5和R6分壓所得,R7為假負載用于下電輸出電容放電,R8為模擬的后級負載,當(dāng)控制導(dǎo)通時V_out為3.3V。
R5、C1組成緩啟動電路可以控制NMOS開關(guān)Q3的啟動時間,C1和C3分別為被控制電源輸入和輸出濾波電容。
當(dāng)配置R5、C1為10K和100nF啟動時間為1.3ms左右啟動波形如下;
下電波形:
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當(dāng)配置R5、C1為100K和100nF啟動時間為30ms左右,啟動波形如下;
下電波形
設(shè)置后級1000uF電容負載測量Q3啟動沖擊電流,R5、C1為10K和100nF組合沖擊電流最大尖峰約為5.5A波形如下:
設(shè)置后級1000uF電容負載測量Q3啟動沖擊電流,R5、C1為10K和1uF組合沖擊電流最大尖峰約為0.6A波形如下:
結(jié)論
NMOS也可作為電源開關(guān)電路使用,緩啟動電路參數(shù)需要根據(jù)實際電路容性負載大小和MOS的SOA曲線配置。
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