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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>IGBT 的結(jié)構(gòu)及主要參數(shù)

IGBT 的結(jié)構(gòu)及主要參數(shù)

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2019-08-24 11:13:4613784

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IGBT絕緣柵雙極型晶體管模塊是場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和電力晶體管(GTR)相結(jié)合的產(chǎn)物。
2019-10-07 15:24:0047919

環(huán)行器的主要參數(shù)_環(huán)行器應(yīng)用

本文主要闡述了環(huán)形器的主要參數(shù)及應(yīng)用說明。
2020-01-06 09:14:132274

安規(guī)電容主要參數(shù)_安規(guī)電容壞了有影響嗎

本文首先闡述了安規(guī)電容的主要參數(shù),其次還分析了安規(guī)電容壞了是否有影響。
2020-01-07 09:22:375861

IGBT主要參數(shù),IGBT驅(qū)動電路

IGBT是電壓控制型器件,它只有開關(guān)特性(通和斷兩種狀態(tài)),沒有放大特性。由IGBT等效電路可知,它是以晶體管為主導(dǎo)元件,以MOS管為驅(qū)動元件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)。
2020-11-21 10:17:0037937

詳解二極管的九大主要參數(shù)與型號

二極管相信大家再熟悉不過了,但你能詳細(xì)說得出二極管有哪幾項(xiàng)主要參數(shù)嗎?今天跟大家一起細(xì)數(shù)一下二極管的幾項(xiàng)主要參數(shù)
2021-03-23 09:55:1441744

關(guān)于電容主要參數(shù)的詳細(xì)講解(一)

詳解電容的主要參數(shù)(一) 電容的類別、參數(shù)、技術(shù)細(xì)節(jié)非常多,不同材質(zhì)的電容在技術(shù)參數(shù)上差別很大,所以,在一篇文章里面講明白是非常困難的。下面我就斗膽拋磚引玉,給大家談?wù)勲娙菹嚓P(guān)的一些知識。 首先當(dāng)然
2021-04-06 00:14:3520074

電磁爐的工作原理與維修及IGBT管型號和主要參數(shù)

電磁爐的工作原理與維修及IGBT管型號和主要參數(shù)介紹。
2021-06-21 10:48:2258

場效應(yīng)管的主要參數(shù)及作用

其實(shí),有關(guān)場效應(yīng)管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)
2022-06-14 15:25:0113225

貼片電容的主要參數(shù)該如何判斷

貼片電容是運(yùn)用在電子設(shè)備中的關(guān)鍵電子器件,主要用途普遍,當(dāng)許多對貼片電容不了解的人不了解的時(shí)候,要如何判斷貼片電容的主要參數(shù)才好呢,貼片電容體型小,因?yàn)樗幌衿渌娙萜饕粯幽軌虬?b class="flag-6" style="color: red">主要參數(shù)印在機(jī)殼,那么今天就為大家詳解介紹一下如何來判斷貼片電容的主要參數(shù)的知識吧。
2022-07-04 17:45:054355

IGBT主要參數(shù)與應(yīng)用特點(diǎn)

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種雙極性功率半導(dǎo)體器件,由BJT(雙極型三極管)和MOS管復(fù)合而成,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),特別是50OV以上應(yīng)用中的功率損失相當(dāng)?shù)汀?/div>
2023-02-26 11:13:206521

齒輪的主要參數(shù)以及結(jié)構(gòu)形式

主要參數(shù)有:模數(shù)m、齒數(shù)z、螺旋角β以及齒寬b、中心距a、直徑(分度圓、齒頂圓、齒根圓)、變位系數(shù)、力的大小。
2023-02-28 17:56:571730

IGBT主要參數(shù)和注意事項(xiàng)

簡單描述了一些IGBT主要參數(shù)和注意事項(xiàng)
2023-03-16 14:52:3638

igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt主要參數(shù)有哪些?

IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù),結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294

開關(guān)觸頭的主要參數(shù)

一、觸頭的主要參數(shù) 觸頭有四個(gè)主要參數(shù):開距、超程、初壓力和終壓力。 1、開距 開距即觸頭行程,也稱觸頭斷開距離。 2、超程 超程即觸頭在閉合位置時(shí),動靜觸頭移開時(shí)的距離。 3、初壓力 初壓力
2023-09-24 15:33:581666

晶體管的主要參數(shù)有哪些

晶體管的主要參數(shù)包括以下幾個(gè)方面。
2023-10-25 09:35:39672

電容的原理和主要參數(shù)

“ 電容是電子學(xué)三大基本無源器件之一。電容種類繁多,知識體系更為龐雜,常有因?yàn)閷﹄娙菡J(rèn)識不深,存在一些不正確的使用,造成失效問題。本文系統(tǒng)講解電容的知識,第一部分介紹電容的原理和主要參數(shù);第二部
2023-11-03 16:56:55627

瞬態(tài)抑制二極管(TVS)的主要參數(shù)?|深圳比創(chuàng)達(dá)電子

瞬態(tài)抑制二極管(TVS)的主要參數(shù)?|深圳比創(chuàng)達(dá)電子
2023-12-27 10:36:18207

IGBT的四個(gè)主要參數(shù) | 變頻器igbt工作原理和作用 | 變頻器igbt和pwm的區(qū)別是什么

? ? ??IGBT的四個(gè)主要參數(shù) ? ? ? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,用于控制大電流和高電壓。它的四個(gè)
2024-03-22 08:37:2932

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