雙極功率晶體管的電流放大倍數(shù)和通態(tài)特性會(huì)隨著電壓級(jí)別的增加而迅速降低，因此抑制了其在電壓高于2kV 牽引設(shè)備（如電力機(jī)車(chē)） 應(yīng)用中的發(fā)展。在直流電路中，將晶閘管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)成利用柵極信號(hào)就可以控制開(kāi)啟
2024-01-17 09:42:29
356 
當(dāng)開(kāi)關(guān)的，從圖中我們可以看到它也像三極管一樣有三個(gè)腳，這三個(gè)腳分別叫做柵極(G)、源極(S)和漏極(D)，mpn中的貼片元件示意圖是這個(gè)樣子：1腳就是柵極，這個(gè)柵極就是控制極，在柵極加上電壓和不加
2021-05-25 06:00:00
上升到2Vdc，而電容C限制了集電極電壓的上升速度，同時(shí)減小了上升電壓和下降電流的重疊，從而減低了開(kāi)關(guān)管Q的損耗。而在下次開(kāi)關(guān)關(guān)斷之前，C必須將已經(jīng)充滿(mǎn)的電壓2Vdc放完，放電路徑為C、Q、R。 假設(shè)
2018-11-21 16:22:57
）開(kāi)關(guān)導(dǎo)通期間驅(qū)動(dòng)電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導(dǎo)通。（3）關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。（4）驅(qū)動(dòng)電路
2017-01-09 18:00:06
柵極與源極之間加一個(gè)電阻，這個(gè)電阻起到什么作用？一是為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
了一種獨(dú)特但簡(jiǎn)單的柵極脈沖驅(qū)動(dòng)電路，為快速開(kāi)關(guān)HPA提供了另一種方法，同時(shí)消除了與漏極開(kāi)關(guān)有關(guān)的電路。實(shí)測(cè)切換時(shí)間小于200 ns，相對(duì)于1 s的目標(biāo)還有一些裕量。其他特性包括：解決器件間差異的偏置編程
2019-02-27 08:04:56
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為集電極
2021-01-27 07:59:24
，而放電則會(huì)使器件關(guān)斷，漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。當(dāng)柵極電容充電且器件剛好可以導(dǎo)通時(shí)的最小電壓就是閾值電壓(VTH)。為將IGBT/功率MOSFET用作開(kāi)關(guān)，應(yīng)在柵極和源極/發(fā)射極引腳之間施加一
2021-07-09 07:00:00
FSA2380是一種雙刀三擲（DP3T）多路轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)，它在單對(duì)選擇腳的控制下可訪(fǎng)問(wèn)3組雙通道數(shù)據(jù)或聲頻源。FSA2380在其管腳1A和2A上具有一個(gè)專(zhuān)用電路可實(shí)現(xiàn)電源關(guān)斷功能。去除VCC上的電源且在
2011-03-07 22:16:43
，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電壓為零時(shí)，開(kāi)關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過(guò)器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱(chēng)之為漏電流，即IDSS.第一步
2019-07-03 07:00:00
，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電壓為零時(shí)，開(kāi)關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過(guò)器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱(chēng)之為漏電流，即IDSS.第一步
2019-07-05 08:00:00
，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電壓為零時(shí)，開(kāi)關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過(guò)器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱(chēng)之為漏電流，即IDSS.第一步
2019-07-05 07:30:00
與源極S的電壓，即柵極低于電源一定電壓就導(dǎo)通，而非相對(duì)于地的電壓。但是因?yàn)镻MOS導(dǎo)通內(nèi)阻比較大，所以只適用低功率的情況。大功率仍然使用N溝道MOS管。N溝道m(xù)os管開(kāi)關(guān)電路NMOS的特性，Vgs大于
2019-01-28 15:44:35
MOS管開(kāi)關(guān)電路的定義MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種?！ ∫话闱闆r下普遍用于
2021-10-29 06:54:59
傳說(shuō)中的米勒電容?！ ∵@三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們并不是獨(dú)立的，而是相互影響，其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個(gè)電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化，同時(shí)會(huì)影響柵極和源
2023-03-15 16:55:58
普通N MOS管給柵極一個(gè)高電壓 ，漏極一個(gè)低電壓，漏源極就能導(dǎo)通。這個(gè)GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個(gè)4-10V的電壓，漏源極不能導(dǎo)通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
MOS管的開(kāi)關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級(jí)間電阻R6是怎么計(jì)算的？在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開(kāi)關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
在使用9014和PMOS管2305搭配的電源開(kāi)關(guān)電源中，控制24V電源；在PMOS導(dǎo)通時(shí)，24V可以通過(guò)去，電壓也正常；但是在開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)，PMOS管的漏極仍有0.7V左右的電壓，不知道是什么原因？
2020-04-01 09:00:29
PMOS高邊開(kāi)關(guān)控制電路如下圖：
輸入側(cè)使用15KW整流模塊，輸出側(cè)固定8歐姆負(fù)載電阻。
整流模塊設(shè)置為40V/5A，模塊空載情況下輸出為100V/0A。此時(shí)PMOS可以正常開(kāi)關(guān)，波形紅色為VGS
2024-02-05 15:54:27
有助于在應(yīng)用程序中節(jié)省空間。 這些MOSFET具有出色的高速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻。查看詳情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低壓驅(qū)動(dòng)；提供大電流Vds-漏源極
2021-02-02 09:55:16
）、柵極－源極（發(fā)射極）間的Cgs（Cge）、漏極（集電極）－源極（發(fā)射極）間的Cds（Cce）這些寄生電容。其中與低邊柵極電壓升高相關(guān)的是Cgd和Cgs。下面的左圖表示Cgd（Cgc）、Cgs（Cge
2018-11-30 11:31:17
應(yīng)用角度來(lái)看，驅(qū)動(dòng)回路和功率回路共用了源極的管腳。MOSFET是一個(gè)電壓型控制的開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)通關(guān)斷行為由施加在柵極和源極之間的電壓（通常稱(chēng)之為VGS）來(lái)決定?！ 膱D1模型來(lái)看，有幾個(gè)參數(shù)是我們需要
2023-02-27 16:14:19
、NMOSNMOS是柵極低電平（|Vgs| >Vt)導(dǎo)通，高電平斷開(kāi)，可以用來(lái)控制與電源之間的導(dǎo)通。對(duì)于NMOS來(lái)說(shuō)，一般是源極接在電源負(fù)極（低電位），而柵極接電源正極。3、MOS開(kāi)關(guān)損失NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后存在導(dǎo)通電阻，電流會(huì)在電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小
2021-10-29 07:07:07
過(guò)二極管，放電功率不受限制，故此情況下mos管開(kāi)啟速度較關(guān)斷速度慢，形成硬件死區(qū)。限流當(dāng)使用含內(nèi)部死區(qū)的驅(qū)動(dòng)或不需要硬件死區(qū)時(shí)，是否可以省去柵極電阻呢？答案是不行。當(dāng)開(kāi)啟mos管為結(jié)電容充電瞬間，驅(qū)動(dòng)電路電壓源近似短接到地，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電驢電壓源等價(jià)電源內(nèi)阻較小時(shí)，存在過(guò)流燒毀驅(qū)動(dòng)（可能是三態(tài)門(mén)三
2021-11-16 08:27:47
Q1的基極鉗位約5ms，這應(yīng)足夠長(zhǎng)以關(guān)閉大多數(shù)P溝道MOSFET。在上述電流脈沖結(jié)束時(shí)，存儲(chǔ)在C2上的電壓將大致等于電源電壓+ Vs. 如果沒(méi)有二極管D1，該電壓將保持Q1導(dǎo)通，從而防止開(kāi)關(guān)關(guān)斷。當(dāng)
2019-04-28 16:37:50
Q1的基極鉗位約5ms，這應(yīng)足夠長(zhǎng)以關(guān)閉大多數(shù)P溝道MOSFET。在上述電流脈沖結(jié)束時(shí)，存儲(chǔ)在C2上的電壓將大致等于電源電壓+ Vs. 如果沒(méi)有二極管D1，該電壓將保持Q1導(dǎo)通，從而防止開(kāi)關(guān)關(guān)斷。當(dāng)
2019-05-20 14:53:07
高于VG1S：VG1S1》VGS，LS的感應(yīng)電壓導(dǎo)致上管的實(shí)際關(guān)斷速度變慢，關(guān)斷時(shí)間變長(zhǎng)，關(guān)斷損耗增大?！ D4：上管源極寄生電感的關(guān)斷特性 2、下管源極寄生電感對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響 下管工作于
2020-12-08 15:35:56
測(cè)器件，而上管開(kāi)關(guān)用作dv/dt發(fā)生器。當(dāng)上管器件導(dǎo)通時(shí)，下管器件的漏源極電壓不斷上升，dvDS/dt導(dǎo)致產(chǎn)生柵極電壓上升；并且，柵極關(guān)斷電阻越小，發(fā)生寄生導(dǎo)通的概率越低。本試驗(yàn)旨在為給定的測(cè)試用例
2023-02-27 13:53:56
TG傳輸門(mén)電路中。當(dāng)C端接+5，C非端接0時(shí)。源極和襯底沒(méi)有連在一起，為什么當(dāng)輸入信號(hào)改變時(shí)，其導(dǎo)通程度怎么還會(huì)改變？導(dǎo)電程度不是由柵極和襯底間的電場(chǎng)決定的嗎？而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導(dǎo)通程度應(yīng)該與輸入信號(hào)變化無(wú)關(guān)?。《鴷?shū)上說(shuō)起導(dǎo)通程度歲輸入信號(hào)的改變而改變？為什么?求詳細(xì)解釋?zhuān)≈x謝！
2012-03-29 22:51:18
使用低Uth類(lèi)型的PMOS管（如Uth=-2V）做開(kāi)關(guān)當(dāng)5V沒(méi)接入時(shí)，PMOS管的柵極通過(guò)電阻R1下拉到地（0V），鋰電池BAT（3.7~4.2V）通過(guò)MOS管的內(nèi)部體二極管到達(dá)源極，源極電壓為（3
2021-10-29 08:43:39
的最大額定值。②是在柵極-源極間增加外置電容器，降低阻抗，抑制柵極電位升高的方法。這里需要注意的是CGS也會(huì)造成損耗，因而需要適當(dāng)?shù)碾娙?。③是?b class="flag-6" style="color: red">柵極-源極間增加米勒鉗位用MOSFET的方法。通過(guò)在
2018-11-27 16:41:26
保持電源電壓VDD不變，當(dāng)VGS電壓減小到0時(shí)，這個(gè)階段結(jié)束，VGS電壓的變化公式和模式1相同。在關(guān)斷過(guò)程中，t6~t7和t7~t8二個(gè)階段電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū)，因此產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗。關(guān)斷損耗可以用下面
2017-03-06 15:19:01
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
CCM模式時(shí)，由于初級(jí)電感Lp兩端電壓縮小，二極管D開(kāi)始承受反偏電壓關(guān)斷，引起反向恢復(fù)電流，該電流經(jīng)變壓器耦合到原邊側(cè)，也會(huì)形成流經(jīng)開(kāi)關(guān)管和Vin的電流尖峰。在開(kāi)關(guān)管開(kāi)通階段，二極管D截止，電容Cp
2018-10-10 20:44:59
場(chǎng)效應(yīng)管si2301（p溝道）柵極D1接單片機(jī)引腳，電源接源極（s），輸出端漏極（d）接一個(gè)DCDC然后接負(fù)載。問(wèn)題是，單片機(jī)引腳低電平時(shí)，輸出端(d)確實(shí)為高電壓，但是單片機(jī)引腳高電平時(shí)。輸出端為0.69v，并沒(méi)有完全關(guān)斷。這是場(chǎng)效應(yīng)管的原因還是電路的設(shè)計(jì)問(wèn)題？怎么讓場(chǎng)效應(yīng)管完全關(guān)斷呢？
2017-12-09 18:46:35
時(shí)，光耦輸出三極管集電極為低電平，功放電路中三極管Q1截止、Q2導(dǎo)通，施加在IGBT柵極與發(fā)射極之間電壓為-9V，IGBT關(guān)斷。4、電源試驗(yàn)圖5（a）、（b）分別是輸出電流45A時(shí)全橋變換器兩個(gè)橋臂中點(diǎn)A
2018-10-19 16:38:40
開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá) 26%?！ ‰娏?b class="flag-6" style="color: red">源驅(qū)動(dòng)器 （CSD） 和電壓源驅(qū)動(dòng)器 （VSD）： 圖1顯示了柵極驅(qū)動(dòng)器BM61M41RFV-C（傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動(dòng)器）與BM60059FV-C（電流源驅(qū)動(dòng)器）的框圖。還
2023-02-21 16:36:47
電路分析：場(chǎng)效應(yīng)管從左到右依次為柵極，漏極，源極，開(kāi)關(guān)為輕觸開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)沒(méi)有按下時(shí)，柵極被500K下拉電阻接地，柵極無(wú)電壓，漏極和源極之間沒(méi)有電流通過(guò)，燈泡不亮。當(dāng)按下輕觸開(kāi)關(guān)時(shí)，12V電經(jīng)輕觸開(kāi)關(guān)向
2021-05-25 07:10:31
通過(guò)負(fù)載電流感應(yīng)。該電流將通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器下拉阻抗和柵源環(huán)路電感轉(zhuǎn)換為非零柵極電壓。如果該電壓高于閾值電壓，半橋的高端和低側(cè)開(kāi)關(guān)之間將產(chǎn)生交叉電流。低柵極環(huán)路電感僅在功率級(jí)和柵極驅(qū)動(dòng)器的單芯片協(xié)積分中
2023-02-24 15:09:34
1、關(guān)于伏秒平衡伏秒平衡是針對(duì)電感而言的不是針對(duì)變壓器原邊副邊繞組而言的。反激開(kāi)關(guān)電源反射電壓Vor有兩種理解方式開(kāi)關(guān)關(guān)斷后，磁芯的磁通量不變，并且開(kāi)始減小，在副邊線(xiàn)圈中感應(yīng)除副邊電壓E2,此時(shí)原副
2021-10-29 09:25:02
如何用MATLAB實(shí)現(xiàn)反激開(kāi)關(guān)電源原邊開(kāi)關(guān)的準(zhǔn)諧振開(kāi)通與關(guān)斷的仿真呢？求助大神
2016-04-22 08:57:25
Buck電路原理Vin輸出為直流，經(jīng)Q1的不斷導(dǎo)通和關(guān)斷，Vsw這里將為方波，Vsw在開(kāi)關(guān)電源中被稱(chēng)之為節(jié)點(diǎn)。Vsw上的方波需經(jīng)過(guò)電感電容的過(guò)濾，才能變成最終的直流輸出電壓Vout。我們用PWM波來(lái)
2021-12-28 06:05:50
瞬態(tài)操作。圖1所示為硬開(kāi)關(guān)關(guān)斷瞬態(tài)下，理想MOSFET的工作波形和工作順序。 圖1 升壓轉(zhuǎn)換器中的MOSFET的典型關(guān)斷瞬態(tài)波形 當(dāng)驅(qū)動(dòng)器發(fā)出關(guān)斷信號(hào)后，即開(kāi)始階段1 [t=t1]操作，柵極與源極之間
2018-10-08 15:19:33
5A的驅(qū)動(dòng)能力和最大30V的驅(qū)動(dòng)電壓，高速低延遲的開(kāi)關(guān)特性。能有效驅(qū)動(dòng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)等功率開(kāi)關(guān) 。在UCC27524A-Q1的應(yīng)用案例中
2022-11-03 08:28:01
童詩(shī)白 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第四版 41頁(yè) 有一段話(huà)這樣說(shuō)的：若U[sub]DS[/sub]>0V，則有電流i從漏極流向源極，從而使溝道中各點(diǎn)與柵極間的電壓不再相等，而是沿溝道從源極到漏極逐漸
2012-02-22 11:22:26
的控制電流流通器件從而可達(dá)到用較低的控制功率來(lái)控制高電流。IGBT的工作原理和作用通俗易懂版：IGBT就是一個(gè)開(kāi)關(guān)，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當(dāng)柵源極加+12V(大于6V
2019-06-27 09:00:00
關(guān)斷時(shí)，柵源極同電位。在上管開(kāi)通過(guò)程中，設(shè)上管開(kāi)通時(shí)間為ton，直流母線(xiàn)電壓為E，由于開(kāi)通過(guò)程時(shí)間很短，其漏源極電壓迅速由直流母線(xiàn)電壓下降到近似零，相當(dāng)于在下管V2漏源極間突加一個(gè)電壓E，形成很高的dv
2018-08-27 16:00:08
是Qgd，它描述了柵極漏極開(kāi)關(guān)和開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)間關(guān)斷所需的電荷。這兩個(gè)參數(shù)指示關(guān)斷能力和損耗，從而指示最大工作頻率和效率。關(guān)斷時(shí)間toff通常不顯示在晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè)中，但可以根據(jù)參考書(shū)［1］在給定的開(kāi)關(guān)電壓
2023-02-27 09:37:29
Vgs(in)的振動(dòng)電壓，由于超出柵極-源極間額定電壓導(dǎo)致柵極破壞，或者接通、斷開(kāi)漏極-源極間電壓時(shí)的振動(dòng)電壓通過(guò)柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導(dǎo)致正向反饋，因此可能會(huì)由于誤動(dòng)作引起振蕩破壞
2019-03-13 06:00:00
極，D極，S極。G極控制mosfet的開(kāi)通，關(guān)斷，給GS極之間加正向電壓（高電平）[url=13/]，達(dá)到導(dǎo)通電壓門(mén)檻值之后就能導(dǎo)通。同理，[url=15/]給一個(gè)低電壓（低電平）mosfet就能關(guān)斷
2019-01-08 13:51:07
大于驅(qū)動(dòng)電壓Vgs(in)的振動(dòng)電壓，由于超出柵極-源極間額定電壓導(dǎo)致柵極破壞,或者接通、斷開(kāi)漏極-源極間電壓時(shí)的振動(dòng)電壓通過(guò)柵極漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導(dǎo)致正向反饋，因此可能會(huì)由于誤動(dòng)作弓起振蕩破壞
2018-11-21 13:52:55
的可靠性。功率MOS管保護(hù)電路主要有以下幾個(gè)方面： 1)防止柵極di／dt過(guò)高：由于采用驅(qū)動(dòng)芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動(dòng)功率管會(huì)引起驅(qū)動(dòng)的功率管快速的開(kāi)通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩
2018-12-10 14:59:16
SiCMOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
到所需值，保證開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且不存在上升沿的高頻振蕩。（2） 開(kāi)關(guān)導(dǎo)通期間驅(qū)動(dòng)電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導(dǎo)通。（3） 關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET
2020-03-13 09:55:37
）相當(dāng)于接地，柵極（G）和源極（S）間有負(fù)壓-5V，mos管導(dǎo)通，漏極（D）有5V輸出。當(dāng)PW_1為低電平輸出狀態(tài)時(shí)，三極管Q1不導(dǎo)通，mos管的柵極和源極直接無(wú)壓差，mos管關(guān)斷，漏極...
2021-10-28 09:02:17
，這三個(gè)腳分別叫做柵極(G)、源極(S)和漏極(D)，mpn中的貼片元件示意圖是這個(gè)樣子：1腳就是柵極，這個(gè)柵極就是控制極，在柵極加上電壓和不加上電壓來(lái)控制2腳和3腳的相通與不相通，N溝道的，在柵極加上電壓
2016-02-02 11:27:12
本帖最后由 sirtan養(yǎng)樂(lè)多 于 2019-7-4 10:45 編輯
這個(gè)電路只用于電機(jī)通斷控制，開(kāi)關(guān)頻率間隔在五秒以上，不用來(lái)調(diào)速。用開(kāi)關(guān)進(jìn)行柵極電壓控制就沒(méi)有問(wèn)題，把開(kāi)關(guān)換成如圖所示
2019-07-04 09:26:17
關(guān)斷，或者從關(guān)斷到導(dǎo)通的）轉(zhuǎn)換的時(shí)間。2. MOSFET壓控性器件，BJT流控型器件。BJT的驅(qū)動(dòng)要求實(shí)際上更容易滿(mǎn)足，N溝道MOSFET的柵極電壓必須比源極電壓高幾伏。3. 最簡(jiǎn)單的自舉電路...
2021-10-29 06:24:06
MOSFET的柵極電荷特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程
2021-04-14 06:52:09
柵極施加一個(gè)為零或負(fù)的偏置電壓時(shí)，器件進(jìn)入關(guān)斷過(guò)程。首先，隨著門(mén)極電壓的減小，由N+源區(qū)經(jīng)MOS溝道注入到N-基區(qū)的電子電流逐漸減少，而此時(shí)外部的集電極電流受負(fù)載電感影響保持不變，因此IGBT模塊內(nèi)部
2023-02-13 16:11:34
電壓，由于超出柵極—源極間額定電壓導(dǎo)致柵極破壞，或者接通、斷開(kāi)漏極—源極間電壓時(shí)的振動(dòng)電壓通過(guò)柵極—漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導(dǎo)致正向反饋，因此可能會(huì)由于誤動(dòng)作引起振蕩破壞。第五種：柵極電涌、靜電
2021-11-10 07:00:00
請(qǐng)教一下大神LED5000內(nèi)部低邊開(kāi)關(guān)的作用是什么呢？
2023-01-06 07:54:55
插入電池，打開(kāi)開(kāi)關(guān)后U3A導(dǎo)通，那不是漏極拉低，把U3A的柵極拉低？互相矛盾嗎
2020-04-02 10:22:38
，G極電壓拉低，PMOS導(dǎo)通；而無(wú)負(fù)電， 即0V時(shí)，NPN關(guān)斷，G極應(yīng)為6V，PMOS截止。但在仿真中，如附件所示，仿真結(jié)果不符。查詢(xún)datasheet，采用的IRF9130 PMOS管的開(kāi)啟電壓Vth為 -4~-2V，仿真壓差在應(yīng)當(dāng)是符合的吧，但結(jié)果不符是為什么呢？
2019-11-06 01:33:07
Q1的柵極、源極間電阻R1并聯(lián)追加電容器C2， 并緩慢降低Q1的柵極電壓，可以緩慢地使RDS(on)變小，從而可以抑制浪涌電流?！鲐?fù)載開(kāi)關(guān)等效電路圖關(guān)于Nch MOSFET負(fù)載開(kāi)關(guān)ON時(shí)的浪涌電流應(yīng)對(duì)
2019-07-23 01:13:34
脈沖測(cè)試結(jié)果。High Side（HS）是將RG_EXT連接于源極引腳或驅(qū)動(dòng)器源極引腳，并僅使用體二極管換流工作的電路。Figure 6是導(dǎo)通時(shí)的漏極-源極間電壓VDS和漏極電流ID的波形。這是驅(qū)動(dòng)條件
2020-07-01 13:52:06
（現(xiàn)在大約等于+ V S）被轉(zhuǎn)移到Q2的柵極。由于Q2的柵極 - 源極電壓現(xiàn)在大致為零，因此MOSFET關(guān)斷，負(fù)載電壓降至零。Q1的基極 - 發(fā)射極電壓也降至零，晶體管關(guān)斷。因此，當(dāng)開(kāi)關(guān)被釋放時(shí)，沒(méi)有
2018-08-18 11:01:37
脈沖結(jié)束時(shí)，C2上的電壓將大致等于電源電壓+Vs。如果沒(méi)有二極管D1，該電壓將保持Q1導(dǎo)通，從而防止開(kāi)關(guān)關(guān)斷。有了D1，阻斷動(dòng)作將允許開(kāi)關(guān)正常關(guān)斷，這樣當(dāng)Q2關(guān)斷時(shí)，C2上的電壓將通過(guò)R6-D2-R7
2021-10-22 07:00:00
流動(dòng)，而放電則會(huì)使器件關(guān)斷，漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。當(dāng)柵極電容充電且器件剛好可以導(dǎo)通時(shí)的最小電壓就是閾值電壓(VTH)。為將IGBT/功率MOSFET用作開(kāi)關(guān)，應(yīng)在柵極和源極/發(fā)射極引腳之間
2018-10-25 10:22:56
通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng)，而放電則會(huì)使器件關(guān)斷，漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。當(dāng)柵極電容充電且器件剛好可以導(dǎo)通時(shí)的最小電壓就是閾值電壓(VTH)。為將IGBT/功率MOSFET用作開(kāi)關(guān)
2018-11-01 11:35:35
引腳，并僅使用體二極管換流工作的電路。Figure 6 是導(dǎo)通時(shí)的漏極 - 源極間電壓 VDS 和漏極電流 ID 的波形。這是驅(qū)動(dòng)條件為 RG_EXT＝10Ω、VDS＝800V，ID 約為 50A
2020-11-10 06:00:00
所示的電路圖進(jìn)行了雙脈沖測(cè)試，在測(cè)試中，使低邊（LS）的MOSFET執(zhí)行開(kāi)關(guān)動(dòng)作。高邊（HS）MOSFET則通過(guò)RG_EXT連接柵極引腳和源極引腳或驅(qū)動(dòng)器源極引腳，并且僅用于體二極管的換流工作。在電路圖
2022-06-17 16:06:12
7637測(cè)試中主要波形，本實(shí)例中主要分析繼電器斷開(kāi)后高邊開(kāi)關(guān)吸收的能量，以VNQ7050為例：第一步：開(kāi)關(guān)導(dǎo)通過(guò)程中存儲(chǔ)的能量,此時(shí)電感電壓上正下負(fù)：負(fù)載電流：存儲(chǔ)能量：時(shí)間常數(shù)：第二步：開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，繼電器
2022-12-22 18:48:54
這些電路的效率。減少體二極管導(dǎo)通使這種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)最大化。讓我們考慮一個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器。當(dāng)高側(cè)FET關(guān)斷并且電感器中仍然存在電流時(shí)，低側(cè)FET的體二極管變?yōu)檎蚱?。小死區(qū)時(shí)間對(duì)避免直通很有必要。在此之后
2019-03-08 06:45:10
本文介紹一款單片高速(fSW高達(dá)100kHz)四通道低邊開(kāi)關(guān)。該產(chǎn)品能夠驅(qū)動(dòng)任何類(lèi)型的負(fù)載(阻性負(fù)載、感性負(fù)載和容性負(fù)載)，開(kāi)關(guān)一側(cè)連接電源電壓(Vcc)。
2019-08-01 08:13:02
硬開(kāi)關(guān)斬波電路中的IGBT的關(guān)斷電壓波形電路
2010-02-17 23:08:171878 
1 前言
用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常
2011-08-10 11:16:025529 和開(kāi)爾文結(jié)構(gòu)封裝的串?dāng)_問(wèn)題分別進(jìn)行分析，柵漏極結(jié)電容的充放電電流和共源寄生電感電壓均會(huì)引起處于關(guān)斷狀態(tài)開(kāi)關(guān)管的柵源極電壓變化。提出一種用于抑制串?dāng)_問(wèn)題的驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路具有柵極關(guān)斷阻抗低、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于控制的特點(diǎn)。分析該驅(qū)動(dòng)電路的工作原理，提供主
2018-01-10 15:41:22
3 當(dāng)柵極和源極之間的偏置電壓超過(guò)開(kāi)關(guān)閾值電壓時(shí)，梁上的觸點(diǎn)便接觸漏極，源極和漏極之間的電路閉合，開(kāi)關(guān)接通。移除偏置電壓后，即柵極上為0V時(shí)，懸臂梁像彈簧一樣，產(chǎn)生足夠大的恢復(fù)力，使源極和漏極之間的連接斷開(kāi)，從而電路開(kāi)路，開(kāi)關(guān)關(guān)斷。
2019-04-15 14:02:255994 將定時(shí)器、光電耦合器、橋式可控硅交流開(kāi)關(guān)和雙向可控硅組合在一起，構(gòu)成開(kāi)關(guān)斷開(kāi)長(zhǎng)延時(shí)電路。
2020-05-06 16:33:3610909 
從本文開(kāi)始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線(xiàn)路中。
2023-02-08 13:43:22250 
本文將針對(duì)上一篇文章中介紹過(guò)的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行解說(shuō)。
2023-02-08 13:43:23491 
在上一篇文章中，對(duì)SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行了解說(shuō)。
2023-02-08 13:43:23291 
上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開(kāi)關(guān)工作帶來(lái)的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作情況。
2023-02-08 13:43:23300 
上一篇文章中介紹了LS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作：下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:23399 
的接地參考示例中，柵極驅(qū)動(dòng)在 -VCL和 VDRV-VCL電平之間，而不是驅(qū)動(dòng)
器的初始輸出電壓電平 0V和 VDRV 之間。
電壓 VCL由二極管鉗斷網(wǎng)絡(luò)決定，在耦合電容器上形成。此技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是能夠以簡(jiǎn)單的方法在開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)和關(guān)斷狀態(tài)下為柵極提供負(fù)偏置，從而
2023-02-23 15:31:242 了帶負(fù)載后的電壓跌落，并帶有隨時(shí)關(guān)斷，可保證開(kāi)關(guān)動(dòng)作圈在通電后隨時(shí)切斷，避免線(xiàn)圈燒毀，工作穩(wěn)定可靠。適用于電力部門(mén)做各種開(kāi)關(guān)低電壓動(dòng)作試驗(yàn)及分、合閘試驗(yàn)。面板：二、技術(shù)
2021-11-16 17:19:54367 
后的電壓跌落，并帶有隨時(shí)關(guān)斷，可保證開(kāi)關(guān)動(dòng)作圈在通電后隨時(shí)切斷，避免線(xiàn)圈燒毀，工作穩(wěn)定可靠。適用于電力部門(mén)做各種開(kāi)關(guān)低電壓動(dòng)作試驗(yàn)及分、合閘試驗(yàn)。面板：二、技術(shù)指標(biāo)：電
2021-11-17 18:17:00328 
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
2023-12-05 14:46:22153 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:17223 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論