。 晶體管中的每個(gè)層都附有引線。由此產(chǎn)生的端子稱(chēng)為發(fā)射極、基極和集電極。底座始終是中間層。 工作原理 晶體管基本上是一個(gè)電子開(kāi)關(guān)。電源電壓和負(fù)載通過(guò)集電極和發(fā)射極端子接線。在沒(méi)有對(duì)基極端子施加電壓
2023-02-16 18:22:30
一、晶體管開(kāi)關(guān)電路：是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開(kāi)晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開(kāi)關(guān)使用的電路，此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí)，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來(lái)
2021-10-29 09:25:31
本帖最后由 elecfans電子發(fā)燒友 于 2017-10-24 22:44 編輯
在四種常用晶體管開(kāi)關(guān)電路（2種NMOS，2種PMOS）一文中，介紹了晶體管構(gòu)成的開(kāi)關(guān)電路。這里我們使用所述
2016-08-30 04:32:10
列出使用VBE的測(cè)試方法。VBE測(cè)定法 硅晶體管的情況下 基極-發(fā)射極間電壓：VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測(cè)量電路由此，通過(guò)測(cè)定VBE，可以推測(cè)結(jié)溫。通過(guò)圖1的測(cè)定電路，對(duì)晶體管輸入封裝功率：PC
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)?。?！
2016-06-07 23:27:44
"。功率計(jì)算的積分公式計(jì)算基于電流I和電壓V的a-b間的積分功率導(dǎo)通電阻元件溫度計(jì)算方法什么是晶體管？目錄晶體管?由來(lái)概略晶體管數(shù)字晶體管的原理MOSFET特性導(dǎo)通電阻安全使用晶體管的選定方法元件溫度計(jì)算方法負(fù)載開(kāi)關(guān)常見(jiàn)問(wèn)題
2019-04-15 06:20:06
）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣?！ “垂δ芎陀猛痉诸?lèi) 晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開(kāi)關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過(guò)的電子開(kāi)關(guān)使用晶體管也可以作為電子開(kāi)關(guān)使用。但這個(gè)開(kāi)關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
、電壓／電流反饋放大電路、晶體管／FET開(kāi)關(guān)電路、模擬開(kāi)關(guān)電路、開(kāi)關(guān)電源、振蕩電路等。上冊(cè)則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路、功率放大器的設(shè)計(jì)與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
太多，可靠性較差，運(yùn)算速度不快，價(jià)格昂貴，體積龐大，這些都使計(jì)算機(jī)發(fā)展受到限制。于是，晶體管開(kāi)始被用來(lái)作計(jì)算機(jī)的元件。晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，而且開(kāi)關(guān)速度可以非?？欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)
2021-01-13 16:23:43
時(shí)，先將hFE/ICEO選擇開(kāi)關(guān)置于ICEO檔，選擇晶體管的極性，將被測(cè)晶體管的三個(gè)引腳插個(gè)測(cè)試孔，然后按下ICEO鍵，從表中讀出反向擊穿電流值即可。2．放大能力的檢測(cè) 晶體管的放大能力可以用萬(wàn)用表
2012-04-26 17:06:32
晶體管截止失真飽和失真原理及解決方法
2012-11-18 11:17:11
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
晶體管放大器設(shè)計(jì)掌握晶體管放大器靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置與調(diào)整方法、放大器基本性能指標(biāo)的測(cè)試方法、負(fù)反饋對(duì)放大器性能的影響及放大器的安裝與調(diào)試技術(shù)。[重點(diǎn)與難點(diǎn)]重點(diǎn)：阻容耦合共射極放大器的靜態(tài)工作的設(shè)置
2009-03-20 10:02:58
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開(kāi)關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺(jué)這兩本書(shū)挺好的，發(fā)上來(lái)給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開(kāi)關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書(shū)籍！`
2016-11-08 14:12:33
的設(shè)計(jì)，運(yùn)算放大電路的設(shè)計(jì)與制作。下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等。本書(shū)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)。1．1 學(xué)習(xí)晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
晶體管開(kāi)關(guān)能力的方法。在這樣的大功率電路中，存在的主要問(wèn)題是布線。很高的開(kāi)關(guān)速度能在很短的連接線上產(chǎn)生相當(dāng)高的干擾電壓。簡(jiǎn)單和優(yōu)化的基極驅(qū)動(dòng)造就的高性能今日的基極驅(qū)動(dòng)電路不僅驅(qū)動(dòng)功率晶體管，還保護(hù)功率
2018-10-25 16:01:51
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分類(lèi)主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號(hào)晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。ROHM的小信號(hào)晶體管可以說(shuō)是業(yè)界第一的。小信號(hào)晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶體管的分類(lèi) Si晶體管的分類(lèi)根據(jù)不同分類(lèi)角度，有幾種不同的分類(lèi)方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類(lèi)如下。其中，本篇的主題“功率類(lèi)”加粗/涂色表示。 雙極晶體管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
不同分類(lèi)角度，有幾種不同的分類(lèi)方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類(lèi)如下。其中，本篇的主題“功率類(lèi)”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號(hào)型，IGBT原本是為處理大功率而開(kāi)發(fā)
2018-11-28 14:29:28
是"增幅"和"開(kāi)關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào)，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號(hào)的情況，但是
2019-07-23 00:07:18
是"增幅"和"開(kāi)關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào)，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號(hào)的情況，但是
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱(chēng)為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
型號(hào)的晶體管。 5．開(kāi)關(guān)三極管的選用小電流開(kāi)關(guān)電路和驅(qū)動(dòng)電路中使用的開(kāi)關(guān)晶體管，其最高反向電壓低于100V，耗散功率低于1W，最大集電極電流小于1A，可選用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
列出使用VBE的測(cè)試方法。VBE測(cè)定法 硅晶體管的情況下 基極-發(fā)射極間電壓：VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測(cè)量電路由此，通過(guò)測(cè)定VBE，可以推測(cè)結(jié)溫。通過(guò)圖1的測(cè)定電路，對(duì)晶體管輸入封裝功率：PC
2019-05-09 23:12:18
電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上  
2010-08-12 13:57:39
【不懂就問(wèn)】圖中的晶體管驅(qū)動(dòng)電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極管D2，說(shuō)D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時(shí)使得變壓器次級(jí)產(chǎn)生的的正脈沖通過(guò)D2，直接驅(qū)動(dòng)MOSFET管Q2，達(dá)到提高導(dǎo)
2018-07-09 10:27:34
AM81214-030晶體管產(chǎn)品介紹AM81214-030報(bào)價(jià)AM81214-030代理AM81214-030咨詢(xún)熱線AM81214-030現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司ASI為UHF，航空
2018-07-17 15:08:03
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開(kāi)關(guān)速度
2019-05-06 05:00:17
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開(kāi)關(guān)速度
2019-03-27 06:20:04
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
集電極提前有一定的電流。當(dāng)輸入基極電流變小時(shí)，可以減小集電極電流;當(dāng)輸入基極電流增加時(shí)，集電極電流增加。減少的信號(hào)和增加的信號(hào)都可以放大。3） NPN晶體管開(kāi)關(guān)讓我們談?wù)勊_圖拉晶體管的模式。如上圖所示
2023-02-08 15:19:23
。晶體管NPN型和PNP型結(jié)晶體管工作狀態(tài)晶體管的工作原理類(lèi)似于電子開(kāi)關(guān)。它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過(guò)改變流經(jīng)第二個(gè)通道的較小電流的強(qiáng)度來(lái)控制通過(guò)一個(gè)通道的電流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
NPT2020射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT2020報(bào)價(jià)NPT2020代理NPT2020咨詢(xún)熱線NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, MACOM公司的開(kāi)關(guān)和衰減器專(zhuān)用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
、PNP晶體管的應(yīng)用PNP晶體管用于源出電流，即電流流出集電極。PNP 晶體管用作開(kāi)關(guān)。這些用于放大電路。當(dāng)我們需要通過(guò)按下按鈕關(guān)閉某些東西時(shí)，就會(huì)使用 PNP 晶體管。即緊急關(guān)閉。用于達(dá)林頓對(duì)電路。用于
2023-02-03 09:44:48
繼前篇內(nèi)容，繼續(xù)進(jìn)行各功率晶體管的比較。本篇比較結(jié)構(gòu)和特征。功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較下圖是各功率晶體管的結(jié)構(gòu)、耐壓、導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度的比較。使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補(bǔ)充
2018-11-30 11:35:30
。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中
2010-08-13 11:36:51
的晶體管功率開(kāi)關(guān) 晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加晶體管開(kāi)關(guān)能力的方法。 在這樣的大功率電路中，存在的主要問(wèn)題是布線。很高的開(kāi)關(guān)速度能在很短的連接線上產(chǎn)生相當(dāng)高的干擾電壓。 
2010-08-13 11:38:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
放大電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)
2017-07-25 15:29:55
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開(kāi)關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05
，GaN完勝。塊體GaN電子遷移率是硅的兩倍多，而二維電子氣形態(tài)的GaN電子遷移率則是硅的四倍。正如GaN具有高臨界擊穿電場(chǎng)和高熱導(dǎo)率，GaN也具有遠(yuǎn)高于硅的載流子飽和速度?！ ⊥该?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的障礙
2020-11-27 16:30:52
模塊正確匹配。這并不難，事實(shí)上，有一種有點(diǎn)傳統(tǒng)或至少是典型的方法，如下所述。晶體管效應(yīng)晶體管是用作微型繼電器的半導(dǎo)體器件，用于固態(tài)電子設(shè)備的分立式開(kāi)/關(guān)傳感器應(yīng)用。它們放大非常小的信號(hào)，例如接近開(kāi)關(guān)
2023-02-03 09:50:59
。我更喜歡共發(fā)射極方法，因?yàn)槲矣X(jué)得它更直觀，但如果你想避免倒置，也就是說(shuō)，如果你想要更高的照度產(chǎn)生更高的輸出電壓，你可能會(huì)喜歡共收集放大器。您可以使用共集電極或共發(fā)射極放大器配置，將光電晶體管變成照度
2022-04-21 18:05:28
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管優(yōu)勢(shì) 更好地控制通道 抑制短通道效應(yīng) 更低的靜態(tài)漏電流 更快的開(kāi)關(guān)速度 更高的漏極電流（每個(gè)封裝的驅(qū)動(dòng)電流更大） 更低的開(kāi)關(guān)電壓 低功耗 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管缺點(diǎn) 難以
2023-02-24 15:25:29
光敏晶體管日光開(kāi)關(guān)電路
2019-03-12 11:44:10
電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)。本書(shū)作為下冊(cè)主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)
2017-06-22 18:05:03
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
的一種電源芯片，從而實(shí)現(xiàn)DC/AC、DC/DC電壓變換，以及輸出電壓可調(diào)和自動(dòng)穩(wěn)壓。作為在開(kāi)關(guān)電源芯片中起穩(wěn)壓作用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，應(yīng)該具備低電荷、低反向傳輸電容以及開(kāi)關(guān)速度快的特性，才能使電源發(fā)揮最好
2019-04-01 11:54:28
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！⒔Y(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說(shuō)是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
做了一個(gè)單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個(gè)問(wèn)題請(qǐng)教于各位高手。1：開(kāi)關(guān)初始時(shí)刻是閉合的時(shí)候，點(diǎn)擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時(shí)刻，開(kāi)關(guān)打開(kāi)，點(diǎn)擊仿真后，點(diǎn)擊開(kāi)關(guān)閉合，二極管開(kāi)始閃爍。按照道理來(lái)說(shuō)。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會(huì)有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱(chēng)這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱(chēng)這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
“晶體管開(kāi)關(guān)”，是使用晶體管控制電路通斷的開(kāi)關(guān)。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景，也稱(chēng)“模擬開(kāi)關(guān)（Analog Switch）”或“邏輯開(kāi)關(guān)（Logic Switch）”。它或許是一些電子發(fā)燒友們DIY時(shí)遇到
2016-08-30 01:01:44
晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開(kāi)關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)于低直流開(kāi)/關(guān)開(kāi)關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測(cè)晶體管的性能？怎樣去檢測(cè)特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱(chēng)為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來(lái)講，負(fù)載太大壽命會(huì)縮短，最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。為防止這種情況，需要檢查實(shí)際使用狀態(tài)，并確認(rèn)在使用上是否有問(wèn)題。這里說(shuō)明一下具體的判定方法。為
2019-05-05 09:27:01
。 如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度？——可以從器件設(shè)計(jì)和使用技術(shù)兩個(gè)方面來(lái)加以考慮。（1）晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間：晶體管的開(kāi)關(guān)波形如圖1所示。其中開(kāi)啟過(guò)程又分為延遲和上升兩個(gè)過(guò)程，關(guān)斷過(guò)程又分為存儲(chǔ)和下降兩個(gè)過(guò)程
2019-09-22 08:00:00
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過(guò)什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
有誰(shuí)可以解答一下如何通過(guò)晶體管去提高倍壓器的精度嗎？
2021-04-20 07:27:55
。 如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度？——可以從器件設(shè)計(jì)和使用技術(shù)兩個(gè)方面來(lái)加以考慮。（1）晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間：晶體管的開(kāi)關(guān)波形如圖1所示。其中開(kāi)啟過(guò)程又分為延遲和上升兩個(gè)過(guò)程，關(guān)斷過(guò)程又分為存儲(chǔ)和下降兩個(gè)過(guò)程
2019-08-19 04:00:00
的開(kāi)關(guān)動(dòng)作關(guān)于數(shù)字晶體管的用語(yǔ)選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式。■數(shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
等效的提高開(kāi)關(guān)速度的方法，較小R1值也會(huì)加快輸出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶體管開(kāi)關(guān)速度的另外一種方法，我們熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的數(shù)字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
有沒(méi)有關(guān)于晶體管開(kāi)關(guān)的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
的IC。2. 按功率分類(lèi)主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號(hào)晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。ROHM的小信號(hào)晶體管可以說(shuō)是業(yè)界第一的。小信號(hào)晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場(chǎng)上確立了自己的地位，但在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對(duì)效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
求一個(gè)晶體管開(kāi)關(guān)時(shí)間的測(cè)試搭建電路，有脈沖發(fā)生器，直流電源，示波器。
2020-03-05 22:57:43
其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)
2016-01-26 16:52:08
` 引言 在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場(chǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景中，提升效率極限一或兩個(gè)百分點(diǎn)依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
絕緣柵雙極型晶體管檢測(cè)方法
2009-12-10 17:18:39
的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。IGBT 晶體管采用了這兩種類(lèi)型的晶體管的最好的部分，高輸入阻抗和高開(kāi)關(guān)速度的 MOSFET 與低飽和電壓的雙極性晶體管，并結(jié)合在一起，產(chǎn)生另一種晶體管開(kāi)關(guān)設(shè)備，能夠處理大集
2022-04-29 10:55:25
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個(gè)晶體管為什么是開(kāi)關(guān)管的作用，還有電流方向是怎樣的？
2018-12-28 15:41:49
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的晶體管由于電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt而產(chǎn)生瞬態(tài)過(guò)電流和瞬態(tài)過(guò)電壓，這種現(xiàn)象稱(chēng)為電應(yīng)力。電應(yīng)力的本質(zhì)是瞬時(shí)功耗的集中。這種電壓和電流過(guò)沖形成的尖峰和毛刺，很容易
2020-11-26 17:26:39
如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度？
2023-11-27 14:23:47
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有什么方法可以提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度呢？ 電子行業(yè)一直在尋求提高晶體管速度的方法，以滿(mǎn)足高速和高性能計(jì)算需求。下面將詳細(xì)介紹幾種可以提高晶體管開(kāi)關(guān)速度的方法： 1. 尺寸縮?。?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的尺寸越小，電子
2024-01-12 11:18:22365
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