mos管的
工作區(qū)域 從之前的文章中可以知道，
mos管有三個(gè)
工作區(qū)域： 截止區(qū)域 線性（歐姆）區(qū)域 飽和區(qū)域 當(dāng) VGS VTH時(shí)，
mos管
工作在截止區(qū)域。在該區(qū)域中，
mos管處于關(guān)斷狀態(tài)，因?yàn)?/div>
2022-12-19 23:35:59
34598 大家都知道三極管是電流控制型元件，三極管工作在放大狀態(tài)下存在Ic=βIb的關(guān)系，怎么理解三極管的放大模型呢?這兒我們拋開三極管內(nèi)部空穴和電子的運(yùn)動(dòng)，還是那句話只談應(yīng)用不談原理，希望通過(guò)下面的“圖解”讓初學(xué)者對(duì)三極管有一個(gè)形象的認(rèn)識(shí)。
2023-02-02 09:44:533127 MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種：增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。
2023-03-30 09:27:491840 根據(jù)上一篇對(duì)CMOS工作原理的分析，我們可以將MOS管的工作狀態(tài)分為以下4個(gè)區(qū)域，以NMOS為例。
2023-04-25 14:23:0014220 
N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)如圖1所示，P型襯底上制作兩個(gè)高摻雜的N區(qū)，引出作為漏極D和源極S，襯底上再制作一塊絕緣層，絕緣層上在制作一層金屬電極，引出作為柵極G，即構(gòu)成了常見(jiàn)的N溝道增強(qiáng)型MOS
2023-10-01 11:40:00526 
10V黑孔地藍(lán)色孔是出自信號(hào)發(fā)生器的0~10V的方波 Q1為MOS管R1短路時(shí)A點(diǎn) （G極）有0/10V的方波信號(hào)R1接通后 電路不能正常工作
2016-04-10 08:02:14
如圖，請(qǐng)問(wèn)一下，如果C1被短路，也就是MOS管的GD短路，最終會(huì)擊穿MOS管，使MOS管三個(gè)極都導(dǎo)通嗎？其中VCC是13V
2018-02-02 09:59:30
的是MOS管作為開關(guān)管的使用。對(duì)于MOS管的選型，注意4個(gè)參數(shù)：漏源電壓（D、S兩端承受的電壓）、工作電流（經(jīng)過(guò)MOS管的電路）、開啟電壓（讓MOS管導(dǎo)通的G、S電壓）、工作頻率（最大的開關(guān)頻率
2021-10-28 07:46:04
MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOS管導(dǎo)通特性MOS管驅(qū)動(dòng)及應(yīng)用電路
2021-04-21 06:02:10
做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用，當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。無(wú)論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由
2018-11-24 11:17:56
工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三極管做開關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開關(guān)
2018-10-31 13:59:26
MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS管的工作機(jī)制MOS管的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
2021-03-08 06:06:47
從根本上理解MOS管的工作原理
2014-09-16 13:53:14
了VDS對(duì)ID的影響，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)，在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間，由于在數(shù)字電路中，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下
2018-11-20 14:06:31
VGS<VTH，則無(wú)法形成導(dǎo)電溝道，不能即源極和漏極連接起來(lái)，此時(shí)即使加上漏極電壓，也不會(huì)有電流因此，導(dǎo)電溝道的形成，是MOS工作的基礎(chǔ)。（注：忽略亞閾區(qū)導(dǎo)電）。2. 柵極電壓越大，縱向電場(chǎng)就越
2012-07-04 17:27:52
VGS<VTH，則無(wú)法形成導(dǎo)電溝道，不能即源極和漏極連接起來(lái)，此時(shí)即使加上漏極電壓，也不會(huì)有電流因此，導(dǎo)電溝道的形成，是MOS工作的基礎(chǔ)。（注：忽略亞閾區(qū)導(dǎo)電）。2. 柵極電壓越大，縱向電場(chǎng)就越
2012-07-06 16:06:52
MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS 管的工作機(jī)制
2020-12-30 07:57:04
mos管的應(yīng)用場(chǎng)景，你了解么？低壓MOS管可稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，因?yàn)榈蛪?b class="flag-6" style="color: red">MOS管具有良好的開關(guān)特性，廣泛應(yīng)用在電子開關(guān)的電路中。如開關(guān)電源，電動(dòng)馬達(dá)、照明調(diào)光等！下面銀聯(lián)寶科技就跟大家一起
2018-11-14 09:24:34
`一、電壓應(yīng)力 在電源電路應(yīng)用中，往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本原則為MOS管實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏源擊穿電壓的90%。即
2019-12-10 17:51:58
靜態(tài)特性 MOS管作為開關(guān)元件，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態(tài)。
2021-04-13 07:50:52
什么是MOS管？MOS管的構(gòu)造MOS管的工作原理MOS管的特性MOS管的電壓極性和符號(hào)規(guī)則MOS管和晶體三極管相比的重要特性什么是灌流電路
2021-01-06 07:20:29
張飛電子第四部，MOS管不像三極管的BE有固定壓降，所以不知道怎么計(jì)算。運(yùn)放那邊輸出開路時(shí)，MOS管導(dǎo)通，具體是怎么工作的。1、剛開始，三極管基極電流怎么算，可以用15/(7.5K+2K)估計(jì)
2021-04-27 12:03:09
MOS管的漏電流是什么意思？MOS管的漏電流主要有什么組成？
2021-09-28 07:41:51
相當(dāng)于與一個(gè)0.1歐姆電阻并聯(lián)放電，瞬間電流從200多A降到幾毫安，mos管關(guān)于電流的參數(shù)主要有兩個(gè)，持續(xù)工作最大電流IDM，最大單次脈沖電流IDM，這兩個(gè)都不太適合來(lái)評(píng)價(jià)我的這種用法是否可行，不知道
2018-11-21 14:47:12
；4、?MOS管最大允許工作溫度–這要滿足系統(tǒng)指定的可靠性目標(biāo)。二、MOS管主要參數(shù)及使用在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等...
2021-11-16 09:06:09
想請(qǐng)教大家一下MOS管的問(wèn)題，原來(lái)產(chǎn)品上使用一個(gè)IRF4905S的MOS管，現(xiàn)在想用其他的替代。設(shè)計(jì)要求是120℃的環(huán)境下，最大電流30A能持續(xù)工作。我找了幾個(gè)相近的，不知道適不適合，請(qǐng)大家指教。IPD50P04P4-13 ； DMP4010SK3Q ；ATP114 ；有沒(méi)有合適的MOS管推薦？
2016-10-12 20:16:45
一、MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述 在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但
2021-11-12 09:19:30
MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)秘籍（工作原理+電路設(shè)計(jì)+問(wèn)題總結(jié)）+FPGA從0到1學(xué)習(xí)資料集錦（開發(fā)指南+電路圖集+例程源碼）鏈接：https://pan.baidu.com/s
2020-07-21 18:52:16
文件名大小MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)秘籍（工作原理+電路設(shè)計(jì)+問(wèn)題總結(jié)）/MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)大全.pdf[/td]MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)秘籍（工作原理+電路設(shè)計(jì)+問(wèn)題總結(jié)）/MOSFET驅(qū)動(dòng)
2020-07-23 17:22:15
(Silicon limited， TC = 25°C)=161A,Continuous Drain Current=22A,我想知道正常工作這個(gè)MOS管的電流到底能夠持續(xù)走多少安培？這個(gè)MOS管型號(hào)是德州儀器的CSD18501Q5A。。求解答。
2018-01-09 12:08:26
MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）的縮寫
2011-06-08 10:43:25
。因此，MOS管有時(shí)被稱為場(chǎng)效應(yīng)管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOS管工作原理MOS管為壓控元件,你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通,它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣...
2021-11-11 09:13:30
1.電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒(méi)有完全
2020-10-10 11:21:32
可以幫忙分析下ncp81704mos管驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部工作原理圖嗎？實(shí)在不理解，求大神支持
2020-08-10 15:06:56
N-MOS管是如何接線的？N-MOS管是如何驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)的？
2021-10-11 07:49:20
N-MOS管的原理是什么？N-MOS管為什么會(huì)出問(wèn)題？如何去控制步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器？
2021-07-05 07:39:44
N溝道耗盡型mos管，電路工作過(guò)程，還望大神指導(dǎo)。
2016-11-12 16:36:00
，電源電壓為6V，那剩下的3V壓降不就在MOS管上了嗎？MOS管工作在開關(guān)狀態(tài)，那輸入輸出電流應(yīng)該是一樣的，也就是說(shuō)MOS管消耗的功率是3V*負(fù)載電流？這么看，與用二極管降壓有何區(qū)別？但這又與MOS管
2017-02-03 17:09:32
MOS管在功率驅(qū)動(dòng)電路中必不可少
2017-05-29 21:23:41
一. 電子開關(guān)設(shè)計(jì)1. 為什么用MOS管做開關(guān)管？2. MOS驅(qū)動(dòng)電路用圖騰柱還是用推挽電路？3. MOS懸浮電壓設(shè)計(jì)思想以及工作原理。二. PWM驅(qū)動(dòng)波形1. 頻率如何設(shè)置？2. 占空比如何調(diào)整
2021-12-28 07:17:04
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。
2021-03-11 06:11:03
設(shè)計(jì)一個(gè)mos管作為負(fù)載的電池放電器，如何控制mos管的開關(guān)特性，Vgs又如何控制
2016-03-10 12:02:57
的第二篇。文章結(jié)合實(shí)際產(chǎn)品的電路剖析工作原理，使用示波器實(shí)際測(cè)量電路中最關(guān)鍵的開關(guān)元器件MOSFET的波形，最終給出MOS管選型的結(jié)論。關(guān)心電源設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)的工程師可以閱讀此文， 在使用電源但沒(méi)有細(xì)致研究過(guò)電
2018-07-02 09:16:47
哪個(gè)幫我分析下MOS管的工作原理，P管不是很懂，哪個(gè)幫我解說(shuō)下謝謝
2016-05-20 10:15:00
是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。 下面是我對(duì)MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路?！ OSFET管FET
2018-12-03 14:43:36
MOS管是什么？NMOS管和PMOS管的工作原理是什么？NMOS管與PMOS管的區(qū)別在哪？
2021-11-03 06:17:26
求各位能幫我分析一下這個(gè)電路圖的電流走向，和各個(gè)MOS管的工作，最好順便告訴我光耦在這電路中起到什么作用，是用來(lái)干嘛的？謝謝各位，謝謝，謝謝。
2018-12-20 15:48:50
`` 本帖最后由 王棟春 于 2018-10-19 21:32 編輯
在當(dāng)今的開關(guān)電源設(shè)備中,當(dāng)電源電壓在200v以下時(shí),主開關(guān)功率器件一般都使用MOS管。所以深入了解MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作
2018-10-19 16:21:14
` 一、電壓應(yīng)力 在電源電路應(yīng)用中，往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本原則為MOS管實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏源擊穿電壓的90%。即
2019-02-21 12:02:20
請(qǐng)問(wèn)三極管和MOS管工作狀態(tài)是怎樣的？
2021-10-26 07:27:01
關(guān)于使用TMC5160芯片控制兩相四線步進(jìn)電機(jī)運(yùn)動(dòng)，用八個(gè)N型MOS管去控制電流流向，那么這幾個(gè)MOS管是怎么工作的，為什么可以做到一端高側(cè)MOS管導(dǎo)通,低側(cè)MOS管截止呢?
2019-01-22 11:20:30
工作頻率8Khz，調(diào)節(jié)占空比控制mos管輸出電壓，R10位置接風(fēng)機(jī)
。RC運(yùn)放濾波得到電壓U1，之后運(yùn)放是如何反饋控制mos管調(diào)節(jié)U2？
2023-12-06 18:19:11
ncp81074a這個(gè)mos管的驅(qū)動(dòng)看不太懂，為啥珊級(jí)要加兩個(gè)電阻，OUTL和OUTH不是是驅(qū)動(dòng)兩個(gè)mos管嗎？只用一個(gè)電阻不行嗎？
2020-08-10 10:34:51
在當(dāng)今的開關(guān)電源設(shè)備中，MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會(huì)對(duì)MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對(duì)電源設(shè)計(jì)工程師至關(guān)重要?！ ∧壳埃绊戦_關(guān)電源電源效率
2016-12-23 19:06:35
什么是高低端MOS管？它們的區(qū)別是什么？請(qǐng)各位大神指教，希望能分享相關(guān)資料，非常感謝！
2016-09-01 09:51:08
一種低功耗高PSRR的基準(zhǔn)電壓源
一般基于自偏置的基準(zhǔn)電路，由于MOS管工作在飽和區(qū)，其工作電流一般在微安級(jí)，雖然可以適用于大部分消費(fèi)類電子芯片的應(yīng)用，但對(duì)于
2009-11-11 10:07:012190 
主要介紹了高效率E類射頻功率振蕩器的原理和設(shè)計(jì)方法，通過(guò)電路等效變換，E類射頻功率振蕩器最終轉(zhuǎn)換成與E類放大器相同的結(jié)構(gòu)，MOS管工作在軟開關(guān)狀態(tài)，漏極高電壓、大電流不會(huì)
2013-07-26 11:21:30
67 在當(dāng)今的開關(guān)電源設(shè)備中，MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會(huì)對(duì)MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對(duì)電源設(shè)計(jì)工程師至關(guān)重要。
2016-11-24 16:02:062330 
電源工程師最怕什么？炸機(jī)！用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問(wèn)題了呢？這一切都和SOA相關(guān)。 我們知道開關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件
2017-11-08 11:42:182 我們知道開關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長(zhǎng)期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過(guò)壓或過(guò)流就會(huì)導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時(shí)，就會(huì)導(dǎo)致器件損壞，甚至可能會(huì)伴隨爆炸，非常危險(xiǎn)。
2018-02-16 09:13:008719 
同時(shí)，如果簡(jiǎn)單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會(huì)出現(xiàn)輸入電壓比較高的時(shí)候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時(shí)候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。
2018-04-25 15:35:1441483 
旭鑫勝的雙路無(wú)線充電方案，支持2臺(tái)手機(jī)同時(shí)充電。工作穩(wěn)定，2臺(tái)手機(jī)無(wú)干擾。采用一顆主控芯片控制+2路MOS單獨(dú)工作模式，成本低，性能穩(wěn)定。規(guī)格：5V/2A輸入此型號(hào)為2個(gè)5W+5W無(wú)線充電輸出帶有溫度保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、異物檢測(cè)功能。
2018-10-29 18:12:06418 旭鑫勝的雙路無(wú)線充電方案，支持2臺(tái)手機(jī)同時(shí)充電。工作穩(wěn)定，2臺(tái)手機(jī)無(wú)干擾。采用一顆主控芯片控制+2路MOS單獨(dú)工作模式，成本低，性能穩(wěn)定。規(guī)格：5V/2A輸入此型號(hào)為2個(gè)5W+5W無(wú)線充電輸出帶有溫度保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、異物檢測(cè)功能。
2018-12-07 14:58:40438 旭鑫勝的雙路無(wú)線充電方案，支持2臺(tái)手機(jī)同時(shí)充電。工作穩(wěn)定，2臺(tái)手機(jī)無(wú)干擾。采用一顆主控芯片控制+2路MOS單獨(dú)工作模式，成本低，性能穩(wěn)定。規(guī)格：5V/2A輸入此型號(hào)為2個(gè)5W+5W無(wú)線充電輸出帶有溫度保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、異物檢測(cè)功能。
2018-12-07 14:58:561046 電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。
2019-06-18 16:49:0335932 器件手冊(cè)一般都會(huì)提供SOA(Safe operating area)數(shù)據(jù)圖表，主要和晶圓的散熱、瞬間電壓和電流的承受能力有關(guān)，通過(guò)IDM和VDS及器件晶圓溝道損耗的限制形成一個(gè)工作區(qū)域，稱為安全工作區(qū)，如下圖所示。安全工作區(qū)可以避免管子因結(jié)溫過(guò)高而損壞。
2019-08-12 10:50:168613 
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2021-04-12 08:46:2011 自舉電容的說(shuō)明在BUCK電路中，經(jīng)常會(huì)看到一個(gè)電容連接在芯片的SW和BOOST管腳之間，這個(gè)電容稱之為自舉電容，關(guān)于這個(gè)電容，在下面對(duì)該電容進(jìn)行說(shuō)明。圖1 LT3840應(yīng)用電路圖1 MOS工作
2021-11-07 11:36:0417 場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱的原因1、電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)電路狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS
2021-11-07 12:50:5912 都正常工作，開漏輸出模式下，只有下面的N-MOS工作，上面的P-MOS不工作。注意：輸出模式?jīng)]有上拉下拉配置。推挽輸出（Push-Pull Output）推挽輸出的結(jié)構(gòu)是由兩個(gè)三極管或者MOS管受到
2022-01-13 16:24:1019 原理： LDO = Low Dropout Regulator，低壓差+線性+穩(wěn)壓器。 「低壓差」：輸出壓降比較低，例如輸入3.3V，輸出可以達(dá)到3.2V。 「線性」 ??：LDO內(nèi)部的MOS管工作于線性電阻。 「穩(wěn)壓器」：說(shuō)明了LDO的用途是用來(lái)給電源穩(wěn)壓。 二、LDO工作原理就一句話：通過(guò)
2022-06-28 17:48:0341887 
MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種：增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。
2022-09-09 10:50:325729 簡(jiǎn) 介： 本文對(duì)于 MOS 管工作在開關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)電源的緩啟動(dòng)。
2022-09-16 09:09:402010 當(dāng) VGS < VTH時(shí)，mos管工作在截止區(qū)域。在該區(qū)域中，mos管處于關(guān)斷狀態(tài)，因?yàn)樵诼O和源極之間沒(méi)有感應(yīng)溝道。
2022-11-16 09:21:055609 MOS管的I/V特性 如前面所說(shuō)，我們研究I/V特性不是為了推導(dǎo)而推導(dǎo)，只是為了讓我們更加清楚地了解MOS管的工作狀態(tài)，在后續(xù)的表達(dá)中可以更加簡(jiǎn)潔精煉。
2022-11-17 15:46:513085 MOS管的3種工作狀態(tài)：截止區(qū)、恒流區(qū)(飽和區(qū))、可變電阻區(qū)，這個(gè)想必大家都知道。但光知道這個(gè)還不太夠，還需要清楚進(jìn)入相應(yīng)工作區(qū)的充分條件。
2023-02-20 09:27:353214 在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì) MOSFET 的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形，套用公式進(jìn)行理論上的近似計(jì)算）。
2023-06-10 09:25:01997 首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到關(guān)斷完成后之漏源電壓 VDS（off_beginning） 、關(guān)斷時(shí)刻前的負(fù)載電流 IDS（on_end） 即圖示之 Ip2 以及 VDS（on_off） （t） 與 IDS（on_off）（t） 重疊時(shí)間 Tx 。
2023-06-24 09:26:00715 MOS管工作在不同的區(qū)域時(shí)的應(yīng)用場(chǎng)景是什么？? MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種電子元器件，也是一種常見(jiàn)的放大器
2023-09-18 18:20:461430 氮化鎵mos管普通的驅(qū)動(dòng)芯片可以驅(qū)動(dòng)嗎？ 當(dāng)涉及到驅(qū)動(dòng)氮化鎵（GaN）MOS管時(shí)，需要考慮多個(gè)因素，包括工作電壓、功率需求、頻率要求以及電路保護(hù)等。通常情況下，GaN MOS管需要專門的驅(qū)動(dòng)芯片
2023-11-22 16:27:58859 MOS管工作狀態(tài)如何判斷？ 歐若奇科技 專業(yè)電路設(shè)計(jì)，PCB復(fù)制，原理圖反推，電子產(chǎn)品優(yōu)化設(shè)計(jì)等 如何判斷mos管工作狀態(tài) MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種：增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分
2024-01-09 09:14:48251 
氮化鎵MOS管（GaN MOSFET）是一種基于氮化鎵材料的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。它結(jié)合了氮化鎵的高電子遷移率和MOS管的優(yōu)良特性，具有高速開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、高溫工作能力等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用
2024-01-10 09:30:59367 控制器溫升快可能是控制器本身消耗的電流增加，一般消耗電流在30～40mA，或者是MOS管工作有問(wèn)題；電動(dòng)機(jī)無(wú)力可能是控制器檢測(cè)過(guò)流的康銅絲焊接不良，導(dǎo)致無(wú)法通過(guò)大電流所致。
2024-03-11 11:27:50191 
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