上一期介紹了共源級放大電路的工作原理,本期利用這個理論知識看看如何設計一個共源級放大電路。
本期內容
設計一個實際的共源級放大電路
1、要求
利用圖Fig. 1所示的拓撲結構設計一個放大倍數為5,輸入阻抗為50kohms,功耗不超過1.5mW的放大器。 晶圓片的參數為:u_n * C_ox = 100 uA/V^2,V_TH = 0.5V,忽略溝道長度變化效應,該放大器的電源VDD=1.5V。
求解過程如下:
這樣,一個滿足所有要求的共源級放大器就設計好了,包括MOSFET溝道長寬比,R_D、R1、R2的取值。 但是值得注意的是,可能這些數值并不是最優(yōu)解,而是理論推導的結果,實際電路中具體的值需要根據實際情況做調整,而且為了保證放大器的一致性,還需要考慮該放大器受溫度,工藝,輸入條件等參數的影響。 如果能做到對這些參數不敏感,那么這個放大器的實用價值就更好。
下一講將介紹如果通過在MOSFET的源級加一個合適的電阻來使放大器對溫度,工藝等參數的影響敏感性減弱。
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