電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>氮化鎵是什么半導(dǎo)體材料 氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵是什么半導(dǎo)體材料 氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

65W氮化電源原理圖

65W氮化電源原理圖
2022-10-04 22:09:30

8英寸!第四代半導(dǎo)體再突破,我國(guó)氧化研究取得系列進(jìn)展,產(chǎn)業(yè)化再進(jìn)一步

氧化是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料,是被國(guó)際普遍關(guān)注并認(rèn)可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。與碳化硅、氮化等第三代半導(dǎo)體相比,氧化的禁帶寬度遠(yuǎn)高于后兩者,其禁帶寬度達(dá)到4.9eV,高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59

氮化(GaN)功率集成電路集成和應(yīng)用

氮化(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19

氮化: 歷史與未來

的存在。1875年,德布瓦博德蘭(Paul-émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎被發(fā)現(xiàn),并以他祖國(guó)法國(guó)的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54

氮化充電器

是什么氮化(GaN)是氮和化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58

氮化充電器為什么充電效率高?

是什么因素導(dǎo)致充電器充電效率高,功率大的
2023-09-27 06:25:41

氮化GaN 來到我們身邊竟如此的快

被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料氮化GaN。早期的氮化材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求,氮化產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中,尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來,以下是采用了氮化的快
2020-03-18 22:34:23

氮化GaN技術(shù)促進(jìn)電源管理的發(fā)展

的節(jié)能。這些電力足以為30多萬個(gè)家庭提供一年的電量。 任何可以直接從電網(wǎng)獲得電力的設(shè)備(從智能手機(jī)充電器到數(shù)據(jù)中心),或任何可以處理高達(dá)數(shù)百伏高電壓的設(shè)備,均可受益于氮化等技術(shù),從而提高電源管理系統(tǒng)的效率和規(guī)模。(白皮書下載:GaN將能效提高到一個(gè)新的水平。)
2020-11-03 08:59:19

氮化GaN技術(shù)助力電源管理革新

的選擇。  生活更環(huán)?! 榱舜蚱瞥杀竞痛笠?guī)模采用周期,一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì),使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25

氮化一瓦已經(jīng)不足一元,并且順豐包郵?聯(lián)想發(fā)動(dòng)氮化價(jià)格戰(zhàn)伊始。

度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能,被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力,甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26

氮化功率芯片如何在高頻下實(shí)現(xiàn)更高的效率?

氮化為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化的典型開關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化器件提升到的 200kHz。 氮化電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02

氮化功率芯片的優(yōu)勢(shì)

時(shí)間。 更加環(huán)保:由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成,氮化功率芯片制造時(shí)的二氧化碳排放量,比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上,基于氮化充電器,從制造和運(yùn)輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡,只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41

氮化發(fā)展評(píng)估

`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用,氮化的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新,其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響,并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34

氮化技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)中處于什么位置?

從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40

氮化技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新

封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個(gè)很有前景的選擇。 生活更環(huán)保 為了打破成本和大規(guī)模采用周期,一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)氮化為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì)
2019-03-14 06:45:11

氮化激光器的技術(shù)難點(diǎn)和發(fā)展過程

  激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一,半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器,具有體積小、成本低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì),是應(yīng)用最多的激光器類別。氮化激光器(LD)是重要的光電子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53

氮化的卓越表現(xiàn):推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)?;⒐?yīng)安全和快速應(yīng)對(duì)能力

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42

氮化能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?

GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)?氮化能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?
2021-06-17 10:56:45

氮化芯片未來會(huì)取代硅芯片嗎?

氮化 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí),GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18

ETA80G25氮化合封芯片支持90-264V輸入,支持27W功率輸出

數(shù)量,實(shí)現(xiàn)了高度集成的充電器設(shè)計(jì)。鈺泰半導(dǎo)體ETA80G25采用SSOP10封裝,內(nèi)置650V耐壓,850mΩ D-mode氮化開關(guān)管。內(nèi)部開關(guān)管漏極連接大面積銅箔散熱,可實(shí)現(xiàn)良好的散熱并滿足絕緣耐壓要求
2021-11-28 11:16:55

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)介紹

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化)
2023-06-19 11:00:42

IFWS 2018:氮化功率電子器件技術(shù)分會(huì)在深圳召開

,傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關(guān)速度以及最高工作溫度已逼近其極限,使得寬禁帶半導(dǎo)體氮化成為應(yīng)用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學(xué)教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報(bào)告,該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成
2018-11-05 09:51:35

MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化推入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用

本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯 整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38

MACOM:硅基氮化器件成本優(yōu)勢(shì)

應(yīng)用。MACOM的氮化可用于替代磁控管的產(chǎn)品,這顆功率為300瓦的硅基氮化器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化器件來替代磁控管帶來好處很多:半導(dǎo)體器件可靠性更高,氮化器件比磁控管驅(qū)動(dòng)電壓
2017-09-04 15:02:41

MACOM:適用于5G的半導(dǎo)體材料硅基氮化(GaN)

的射頻器件越來越多,即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同,我們可以將成本做到很低,在全球市場(chǎng)都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代,需要的器件越來越多,價(jià)格越來越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化
2017-07-18 16:38:20

Micsig光隔離探頭實(shí)測(cè)案例——氮化GaN半橋上管測(cè)試

測(cè)試背景地點(diǎn):國(guó)外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè),深圳氮化實(shí)驗(yàn)室測(cè)試對(duì)象:氮化半橋快充測(cè)試原因:因高壓差分探頭測(cè)試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管,需要對(duì)半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測(cè)試測(cè)試探頭:麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23

SGN2729-250H-R氮化晶體管

)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化晶體管SGN1214-220H-R氮化晶體管
2021-03-30 11:14:59

SGN2729-600H-R氮化晶體管

)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化晶體管SGN1214-220H-R氮化晶體管
2021-03-30 11:24:16

TWS充電倉方案

封應(yīng)用的市場(chǎng)空白,推出了一款內(nèi)置D-mode氮化功率管的合封芯片ETA80G25。據(jù)悉,這款芯片主打超高性價(jià)比,價(jià)格與同規(guī)格超結(jié)開關(guān)管幾乎持平,讓小功率的充電器,也能吃上氮化的紅利。同時(shí)合封芯片還大大簡(jiǎn)化
2021-12-27 15:02:50

Transphorm聯(lián)手Salom推出符合高通Quick Charge 5標(biāo)準(zhǔn)的100瓦 USB-C PD PPS充電器

第四季度上市。新型USB-C供電(USB-C PD)充電器將搭載Quick Charge 5技術(shù),可使智能手機(jī)在5分鐘內(nèi)將電量從0%充至50%。*該產(chǎn)品是一款通用型適配器,可提供傳統(tǒng)供電模式和3.0
2021-08-12 10:55:49

aN2 Pro氮化充電器的選購過程和使用

由于換了三星手機(jī),之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機(jī)電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器,這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化發(fā)展技術(shù)

書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化發(fā)展技術(shù)編號(hào):JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20

【技術(shù)干貨】氮化IC如何改變電動(dòng)汽車市場(chǎng)

速度。這些功能對(duì)于牽引逆變器來說是最佳的,因?yàn)樗鼈冃枰g歇地將大量能量傳輸回電池。與此同時(shí),硅上氮化開關(guān)為從低kW到10kW寬范圍的供電系統(tǒng)帶來了益處,即交流到直流板載充電器(OBC)、直流到直流輔助
2018-07-19 16:30:38

為什么氮化(GaN)很重要?

的設(shè)計(jì)和集成度,已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體,其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì),如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心,都升級(jí)為使用氮化功率芯片器件,那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44

為什么氮化比硅更好?

。 在器件層面,根據(jù)實(shí)際情況而言,歸一化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG)乘積得出的優(yōu)值系數(shù),氮化比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑,氮化充電器將能實(shí)現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16

為何碳化硅比氮化更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

應(yīng)用范圍也越來越廣。據(jù)報(bào)道,美國(guó)特斯拉公司的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器使用的是碳化硅半導(dǎo)體。另外,很多讀者都已經(jīng)在電器市場(chǎng)上看到了使用了氮化半導(dǎo)體的微型 AC轉(zhuǎn)換器。采用寬禁帶材料制作的電力半導(dǎo)體,其內(nèi)部電路在高壓
2023-02-23 15:46:22

什么是氮化功率芯片?

。 氮化功率芯片可以使充電器充電速度提高 3 倍,但體積和重量只有傳統(tǒng)硅器件充電器的一半。或者在不增加體積或重量的情況下,提高充電器 3 倍的充電功率。
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化功率芯片?

通過SMT封裝,GaNFast? 氮化功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

什么是氮化技術(shù)

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22

什么是氮化(GaN)?

氮化南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化。氮化憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03

什么是氮化(GaN)?

具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì),氮化充電器充電器件運(yùn)行速度,比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。 更重要的是,氮化相比傳統(tǒng)的硅,可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng),同時(shí)提供更快的開關(guān)速度。此外,氮化比硅基半導(dǎo)體器件,可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16

什么阻礙氮化器件的發(fā)展

=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化技術(shù)是5G的絕配,基站功放使用氮化。氮化(GaN)、砷化(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

組件連手改變電力電子產(chǎn)業(yè)原本由硅組件主導(dǎo)的格局。氮化材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性,能為高頻電源設(shè)計(jì)帶來效率提升、體積縮小與提升功率密度的優(yōu)勢(shì),因此在服務(wù)器、通訊電源及便攜設(shè)備充電器等領(lǐng)域
2021-09-23 15:02:11

光隔離探頭應(yīng)用場(chǎng)景之—— 助力氮化(GaN)原廠FAE解決客戶問題

客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域,但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問題,和芯片沒有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化
2023-02-01 14:52:03

如何學(xué)習(xí)氮化電源設(shè)計(jì)從入門到精通?

的測(cè)試,讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過程中的諸多細(xì)節(jié)問題,泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化電源設(shè)計(jì)從入門到精通“8節(jié)系列直播課,氮化電源設(shè)計(jì)從入門到
2020-11-18 06:30:50

如何實(shí)現(xiàn)小米氮化充電器

如何實(shí)現(xiàn)小米氮化充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個(gè)口不可以充電,它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化
2021-09-14 06:06:21

如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化性能

導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能,并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29

如何設(shè)計(jì)GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?

如何設(shè)計(jì)GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55

將低壓氮化應(yīng)用在了手機(jī)內(nèi)部電路

半導(dǎo)體,相比常規(guī)的硅材料,開關(guān)速度更快,具有更高的耐壓。在降低電阻的同時(shí),還能提供更高的過電壓保護(hù)能力,防止過壓造成的損壞。OPPO使用一顆氮化開關(guān)管取代兩顆串聯(lián)的硅MOS,氮化低阻抗優(yōu)勢(shì)可以
2023-02-21 16:13:41

展嶸電子助力布局氮化適配器方案攜手智融SW351X次級(jí)協(xié)議45W69W87W成熟方案保駕護(hù)航

、努比亞、魅族在內(nèi)的六款氮化快充充電器。加上華為在P40手機(jī)發(fā)布會(huì)上,也發(fā)布了一款65W 1A1C氮化快充充電器,成為第七家入局氮化快充的手機(jī)廠商。從各大知名手機(jī)品牌的布局來看,氮化快充普及趨勢(shì)
2021-04-16 09:33:21

微波射頻能量:工業(yè)加熱和干燥用氮化

這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過程相結(jié)合,以更低的成本進(jìn)行廣泛使用,從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比,射頻能量使用更少的能量,而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28

拆解報(bào)告:橙果65W 2C1A氮化充電器

2C1A二合一氮化超極充、綠聯(lián)140W 2C1A氮化充電器,英集芯的其它系列快充芯片已被小米、華為、三星等大品牌的產(chǎn)品使用,性能質(zhì)量獲得客戶的高度認(rèn)可。 輸出VBUS開關(guān)管均來自威兆半導(dǎo)體
2023-06-16 14:05:50

摩爾定律對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩

榨取摩爾定律在制造工藝上最后一點(diǎn)“剩余價(jià)值”外,尋找硅(Si)以外新一代的半導(dǎo)體材料,也就成了一個(gè)重要方向。在這個(gè)過程中,氮化(GaN)近年來作為一個(gè)高頻詞匯,進(jìn)入了人們的視野。GaN和SiC同屬
2019-07-05 04:20:06

有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見錯(cuò)誤觀念

充電器。隨后電動(dòng)自行車、無人機(jī)和機(jī)器人很快采納了氮化器件來減輕重量、縮小尺寸、降低成本和減少EMI。48 V DC/DC 轉(zhuǎn)換器、車前照燈、車內(nèi)風(fēng)扇、座椅加熱器和車載充電器等車載應(yīng)用都在轉(zhuǎn)為采用氮化
2023-06-25 14:17:47

硅基氮化與LDMOS相比有什么優(yōu)勢(shì)?

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34

硅基氮化在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55

納微集成氮化電源解決方案和應(yīng)用

納微集成氮化電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07

請(qǐng)問氮化GaN是什么?

氮化GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

請(qǐng)問candence Spice能做氮化器件建模嗎?

candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化器件的建模,有可能實(shí)現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02

誰發(fā)明了氮化功率芯片?

雖然低電壓氮化功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強(qiáng)大的高壓氮化功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08

迄今為止最堅(jiān)固耐用的晶體管—氮化器件

無可爭(zhēng)議的冠軍。它已經(jīng)在雷達(dá)和5G無線技術(shù)中得到了應(yīng)用,很快將在電動(dòng)汽車的逆變器中普及。你甚至可以買到基于氮化的USB壁式充電器,它們體積小且功率非常高。不過,還有比它更好的東西嗎?有能讓射頻放大器變得
2023-02-27 15:46:36

高壓氮化的未來分析

就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26

高壓氮化的未來是怎么樣的

會(huì)產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說,當(dāng)你筆記本電腦的電源變熱時(shí),其原因在于流經(jīng)電路開關(guān)內(nèi)的電子會(huì)產(chǎn)生熱量,并且降低了它的效率。由于氮化是一款更好、效率更高的半導(dǎo)體材料,它的發(fā)熱量更低,所以
2018-08-30 15:05:50

/ 氮化是什么,什么是氮化充電器

充電器Ga
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2022-10-21 14:28:17

氮化測(cè)試

氮化
jf_00834201發(fā)布于 2023-07-13 22:03:24

半導(dǎo)體的未來超級(jí)英雄:氮化和碳化硅的奇幻之旅

半導(dǎo)體氮化
北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-08-29 09:37:38

#GaN #氮化 #第三代半導(dǎo)體 為什么說它是第三代半導(dǎo)體呢?什么是GaN?

半導(dǎo)體氮化
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-07 17:14:51

#氮化 #英飛凌 8.3億美元!英飛凌完成收購氮化系統(tǒng)公司 (GaN Systems)

半導(dǎo)體氮化
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-25 16:11:22

氮化充電器是什么_氮化充電器優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵是一種新型半導(dǎo)體材料,它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性,在早期廣泛運(yùn)用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信,被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。隨著技術(shù)突破成本得到控制,目前氮化鎵還被廣泛運(yùn)用到消費(fèi)類電子等領(lǐng)域,充電器便是其中一項(xiàng)。
2020-04-08 17:28:3376498

氮化充電器的發(fā)展前景_氮化充電器概念股

氮化充電器前景非常明朗,大概率會(huì)取代傳統(tǒng)充電器。 氮化充電器為何能夠取代傳統(tǒng)的充電器呢,或者說氮化充電器都有哪些優(yōu)勢(shì)?下面給給大家進(jìn)行解答。
2020-04-09 08:51:585128

氮化充電器優(yōu)缺點(diǎn)簡(jiǎn)介

鎵是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-11-07 13:36:0043

氮化充電器的優(yōu)勢(shì) 氮化充電器和普通充電器區(qū)別

與普通半導(dǎo)體的硅材料相比,氮化鎵的帶隙更寬且導(dǎo)熱好,能夠匹配體積更小的變壓器和大功率電感,所以氮化充電器有體積小、效率高、更安全等優(yōu)勢(shì)。
2023-02-05 14:33:2017007

硅基氮化充電器的原理 有哪些優(yōu)缺點(diǎn)

  硅基氮化充電器是一種利用硅基氮化材料作為電池正極材料充電器,具有高功率密度、高安全性和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-02-14 15:41:072250

氮化充電器:手機(jī)充電新時(shí)代的開啟

現(xiàn)代生活離不開手機(jī),但是低效率和漫長(zhǎng)的充電時(shí)間卻讓人煩惱不已。現(xiàn)在,有一種新型的氮化充電器能夠解決這些問題。氮化充電器采用了最新的半導(dǎo)體材料技術(shù),使得手機(jī)充電時(shí)間更短、更高效,同時(shí)還更加安全
2023-05-04 09:58:04625

氮化充電器的優(yōu)點(diǎn)?氮化充電器和普通充電器的區(qū)別?

氮化充電器什么意思?氮化充電器的優(yōu)點(diǎn)?氮化充電器和普通充電器的區(qū)別是什么? 氮化充電器是一種使用氮化鎵(GaN)材料制造的充電器。GaN是一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高電子遷移率、高熱
2023-11-21 16:15:24983

氮化充電器傷電池嗎?氮化充電器怎么選?

氮化充電器傷電池嗎?氮化充電器怎么選? 氮化鎵(GaN)充電器被廣泛認(rèn)為是下一代充電器技術(shù)的關(guān)鍵。與傳統(tǒng)充電器相比,氮化充電器具有很多優(yōu)勢(shì),比如高效率、高功率密度和小尺寸等。然而,有些人擔(dān)心
2023-11-21 16:15:271669

氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別

,氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢(shì),同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵芯片的定義、優(yōu)缺點(diǎn),以及與硅芯片的區(qū)別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化材料制造的集成電路芯片。氮化鎵(GaN)是一種半導(dǎo)體
2023-11-21 16:15:302315

氮化充電器原理 氮化充電器原理圖

隨著科技的發(fā)展,電子產(chǎn)品已經(jīng)成為了我們生活中的必需品。而為了保持這些產(chǎn)品的正常運(yùn)行,需要一種高效、快速、安全的充電方式。氮化充電器就是一種基于氮化半導(dǎo)體材料的先進(jìn)充電技術(shù)。下面我們將詳細(xì)介紹氮化
2023-11-24 10:57:461251

氮化充電器和普通充電器的區(qū)別

充電器通常擁有更高的充電速度和效率。這是因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">充電過程中,氮化材料能夠更好地利用電源,并將更多的電能轉(zhuǎn)換成電磁波,從而實(shí)現(xiàn)更快的充電速度。同時(shí),由于氮化材料的低電阻特性,使得充電器的熱效率更高,減少了熱損失
2023-11-24 11:00:565207

倍思氮化充電器怎么樣

倍思氮化充電器是一款優(yōu)秀的充電器,具有高效、快速、安全、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。下面我們將詳細(xì)介紹倍思氮化充電器優(yōu)缺點(diǎn)、使用體驗(yàn)和與其他產(chǎn)品的比較,幫助您更好地了解這款充電器。 一、倍思氮化充電器的優(yōu)點(diǎn)
2023-11-24 11:18:44561

氮化充電器好還是原裝充電器

氮化充電器和原裝充電器是兩種不同類型的充電器,它們的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)都有所不同。要判斷哪種更好,需要從不同的角度進(jìn)行比較和分析。 首先,從充電效率方面來看。氮化充電器采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體材料和技術(shù),具有
2024-01-09 16:01:111910

oppo氮化充電器和普通充電器區(qū)別

氮化半導(dǎo)體材料,通過提高電源轉(zhuǎn)換效率來提供更高的充電速度。而普通充電器則通常采用硅材料,其轉(zhuǎn)換效率較低。 氮化鎵是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電子性能和熱導(dǎo)性能。相對(duì)硅材料而言,氮化鎵的電子遷移率更高,能夠提供更
2024-01-10 10:00:39477

相同功率氮化充電器和普通充電器區(qū)別

相同功率的氮化充電器與普通充電器之間存在著一些關(guān)鍵的區(qū)別。氮化充電器是一種新興的充電器技術(shù),其采用了氮化半導(dǎo)體材料來提供電源。相比之下,普通充電器主要依賴于硅材料。這些區(qū)別使得氮化充電器
2024-01-10 10:01:53528

氮化鎵是什么充電器類型

氮化鎵不是充電器類型,而是一種化合物。 氮化鎵(GaN)是一種重要的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性。近年來,氮化材料充電器領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用和研究。本文將從氮化鎵的基本特性、充電器的需求
2024-01-10 10:20:29256

華為氮化充電器和普通充電器區(qū)別在哪

華為氮化充電器和普通充電器之間存在許多差異。氮化鎵(GaN)技術(shù)是一種新型的半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)的硅材料,GaN具有更高的能效和更小的尺寸。華為作為一家科技巨頭,已經(jīng)開始使用氮化鎵技術(shù)在其充電器
2024-01-10 10:27:24774

小米氮化充電器和普通充電器區(qū)別

,而普通充電器通常采用硅半導(dǎo)體技術(shù)。氮化材料具有許多優(yōu)點(diǎn),例如高能效、高功率密度和低熱耗散等。相比之下,硅半導(dǎo)體材料的功率密度較低,效率不高,而且容易產(chǎn)生較多的熱量。因此,小米氮化充電器充電效率和發(fā)熱方面具有明
2024-01-10 10:28:551115

蘋果氮化充電器和普通充電器區(qū)別

蘋果氮化充電器是一種新型的充電器,它采用了氮化材料來實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能的充電功能。與普通充電器相比,蘋果氮化充電器在多個(gè)方面表現(xiàn)出了明顯的優(yōu)勢(shì)。本文將詳細(xì)介紹蘋果氮化充電器和普通充電器的區(qū)別
2024-01-10 10:30:18794

vivo氮化充電器和普通充電器區(qū)別

解一下Vivo氮化充電器的工作原理。Vivo氮化充電器采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體材料氮化鎵技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基充電器相比,氮化充電器具有更高的功率密度和更高的能量轉(zhuǎn)換效率。由于氮化材料具有更好的導(dǎo)熱性能,充電器在工作時(shí)不會(huì)發(fā)熱,
2024-01-10 10:32:15583

已全部加載完成