三極管和MOS管的區(qū)別

我們知道三極管是一款電流放大器件。

三極管分為NPN型和PNP型半導(dǎo)體，兩者結(jié)構(gòu)工作原理基本相同。

三極管的結(jié)構(gòu)圖如圖所示，三級管內(nèi)部有兩個(gè)PN結(jié)，分別為集電結(jié)和發(fā)射結(jié)，有基集(B)、集電極(C)和發(fā)射極(E)三個(gè)引腳。

MOS管是FET中的一種，現(xiàn)主要用增強(qiáng)型MOS管，分為PMOS和NMOS，其電氣表達(dá)如下所示。

MOS管也有柵極(G)、漏極(D)和源極(S)。

NMOS:

PMOS:

三極管和MOS管的區(qū)別

MOS管是電壓控制的元件，而三級管是電流控制的元件。

三極管的be極之間可以理解為存在一個(gè)二極管，這也就產(chǎn)生了一個(gè)電流的通路，當(dāng)給三極管施加高電平時(shí)，be之間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)持續(xù)的電流，此時(shí)三極管被打開；高電平消失，電流也瞬間消失了，三極管也會(huì)關(guān)閉;由于維持三極管打開的必要條件就是三極管be之間存在著連續(xù)電流，所以三極管也被稱之為電流控制元件。

而對于MOS管來說，柵極和源極之間是不存在通路的，他們之間僅存在一個(gè)寄生電容，當(dāng)給柵極施加高電平時(shí)，會(huì)在一開始產(chǎn)生一個(gè)給寄生電容充電的電流，但除此之外，并不存在其他的電流，他只需要維持柵極和源極之間的電壓差，就可以打卡MOS管，甚至因?yàn)樵摷纳娙莸拇嬖?，?dāng)我撤走了柵極的高電平，接在漏極的小燈泡仍然是亮著的，知道寄生電容上的電荷消耗完為止，MOS才會(huì)關(guān)閉，這就是被稱為電壓控制元件的原因。

在三極管中，空穴和自由電子都參與導(dǎo)電，稱為雙極型器件，用BJT表示；而MOS管只有多子導(dǎo)電，稱為單極型器件，用FET表示。由于多子濃度不受外界溫度、光照、輻射的影響，在環(huán)境變化劇烈的條件下，選用FET比較合適。 這也就是我們通常所說的MOS管比較穩(wěn)定的原因。

MOS管是電壓控制元件，而三級管是電流控制元件；MOS管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱為單極性器件，而三級管既有多子，也有少子導(dǎo)電，稱之為雙極性器件； MOS管靈活性比三級管好， MOS管的制造工藝更適合于集成電路 。

MOS管工藝簡單，功耗小，適合于大規(guī)模集成，三極管的增益高，非線性失真小，性能穩(wěn)定，在分立元件電路和中、小規(guī)模集成電路中，三極管仍占優(yōu)勢。

綜合整理自CSDN技術(shù)社區(qū)、永裕泰