以Ntype MOS晶體管為例，探討MOS管的工作原理。
2023-02-03 14:55:53
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的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分紅耗盡型與加強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有加強(qiáng)型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強(qiáng)型；P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類。見下圖。
2018-10-29 22:20:31
(VGE)：5.5VG-E極漏電流(IGES)：100na工作溫度：-55~+150℃引線數(shù)量：3 MOS管25N120又稱場效應(yīng)管，我們首先介紹一個(gè)更簡單的器件——MOS電容，可以更好地理解MOS管
2021-10-30 15:41:50
分為增強(qiáng)型和耗盡型，這兩種電子元器件工作原理略有不同，增強(qiáng)型管在柵極（G）加上正向電壓時(shí)漏極（D）和源極（S）才能導(dǎo)通，而耗盡型即使柵極（G）沒加正電壓，漏極（D）和源極（S）也是導(dǎo)通的。其實(shí)到這場效應(yīng)晶體管
2019-04-15 12:04:44
MOS管也就是常說的場效應(yīng)管（FET），有結(jié)型場效應(yīng)管、絕緣柵型場效應(yīng)管（又分為增強(qiáng)型和耗盡型場效應(yīng)管）。也可以只分成兩類P溝道和N溝道。場效應(yīng)管的作用主要有信號(hào)的轉(zhuǎn)換、控制電路的通斷，這里我們講解
2021-10-28 07:46:04
1.物理特性 MOS管分為N溝道和P溝道的形式，N溝道和P溝道都有增強(qiáng)型和耗盡型兩種。耗盡型與增強(qiáng)型的主要區(qū)別在于耗盡型MOS管在G端（Gate）不加電壓時(shí)有導(dǎo)電溝道存在，而增強(qiáng)型MOS管只有
2021-01-15 15:39:46
需要電流，損耗小、噪聲低、抗輻射能力強(qiáng)、輸入阻抗高、結(jié)構(gòu)簡單、便于集成和熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)MOSFET可以被制造成P溝道和N溝道兩大類，每一類又分為增強(qiáng)型或者耗盡型，所以MOSFET有四種：N溝道增強(qiáng)型MOSFET、N溝道耗盡型MOSFET、P溝道增強(qiáng)型MOSFET、P溝道耗盡型MOSFET
2021-11-12 07:35:31
【不懂就問】說MOS管是壓控型器件，而IGBT是流控型器件導(dǎo)致了他們工作原理和結(jié)構(gòu)的完全不一樣那么既然都是可以當(dāng)作開通關(guān)斷或者放大作用的管子且門極驅(qū)動(dòng)的話，都要接上電阻來控制開短的快慢，為什么要分電壓電流型呢？電路中根據(jù)U=IR，只要有回路，壓流是共存的，這怎么分得開呢？
2018-07-04 10:10:27
MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS管的工作機(jī)制MOS管的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
2021-03-08 06:06:47
型及功率型。飛虹MOS管廠家今天要分享的電壓型靜電擊穿的特點(diǎn)。電壓型擊穿，即MOS管柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路，它的特點(diǎn)是：（1）穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟
2019-02-12 13:59:28
從根本上理解MOS管的工作原理
2014-09-16 13:53:14
間的穿通擊穿 有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生
2018-11-20 14:06:31
VGS<VTH，則無法形成導(dǎo)電溝道，不能即源極和漏極連接起來，此時(shí)即使加上漏極電壓，也不會(huì)有電流因此，導(dǎo)電溝道的形成，是MOS工作的基礎(chǔ)。（注：忽略亞閾區(qū)導(dǎo)電）。2. 柵極電壓越大，縱向電場就越
2012-07-04 17:27:52
VGS<VTH，則無法形成導(dǎo)電溝道，不能即源極和漏極連接起來，此時(shí)即使加上漏極電壓，也不會(huì)有電流因此，導(dǎo)電溝道的形成，是MOS工作的基礎(chǔ)。（注：忽略亞閾區(qū)導(dǎo)電）。2. 柵極電壓越大，縱向電場就越
2012-07-06 16:06:52
MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS 管的工作機(jī)制
2020-12-30 07:57:04
什么是MOS管？MOS管的構(gòu)造MOS管的工作原理MOS管的特性MOS管的電壓極性和符號(hào)規(guī)則MOS管和晶體三極管相比的重要特性什么是灌流電路
2021-01-06 07:20:29
正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的?！ ?、MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被**成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型
2019-02-14 11:35:54
1，MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管型號(hào)和增強(qiáng)型的P溝道MOS管
2021-01-11 20:12:24
溝道耗盡型、N溝道增強(qiáng)型、N溝道耗盡型4種類型。圖1 4種MOS管符號(hào)圖2 四種MOS結(jié)構(gòu)示意圖工作原理N溝道增強(qiáng)型當(dāng)Vgs=0V時(shí)，由于漏極和源極兩個(gè)N型區(qū)之間隔有P型襯底，內(nèi)部結(jié)構(gòu)等效為兩個(gè)背靠背
2020-05-17 21:00:02
（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于
2011-11-07 15:56:56
正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的?！ ?、MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有...
2021-11-12 06:33:42
并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的?！ ?、MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被**成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N...
2021-11-12 09:19:30
MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)秘籍（工作原理+電路設(shè)計(jì)+問題總結(jié)）+FPGA從0到1學(xué)習(xí)資料集錦（開發(fā)指南+電路圖集+例程源碼）鏈接：https://pan.baidu.com/s
2020-07-21 18:52:16
文件名大小MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)秘籍（工作原理+電路設(shè)計(jì)+問題總結(jié)）/MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)大全.pdf[/td]MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)秘籍（工作原理+電路設(shè)計(jì)+問題總結(jié)）/MOSFET驅(qū)動(dòng)
2020-07-23 17:22:15
溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管?！ 鲂?yīng)管通過投影一個(gè)電場在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一
2018-12-18 14:06:27
。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。本文使用的是增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見圖4。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型通常稱P溝道型。由圖可看出，對(duì)于N溝道型的場效應(yīng)管其源極
2011-06-08 10:43:25
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 編輯
MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 08:22:32
MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 07:46:37
方式邊界對(duì)齊的數(shù)據(jù)存放方法主存的基本結(jié)構(gòu)和工作過程存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器靜態(tài)MOS存儲(chǔ)器 SRAM靜態(tài)MOS存儲(chǔ)單元靜態(tài)MOS存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)器 DRAM四管動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)元的工作原理
2021-07-28 07:59:20
。因此，MOS管有時(shí)被稱為場效應(yīng)管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOS管工作原理MOS管為壓控元件,你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通,它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣...
2021-11-11 09:13:30
類型，即P溝道耗盡模式和P溝道耗盡模式，下面分別介紹下二者的結(jié)構(gòu)及其工作原理。1、N溝道耗盡型MOSFETN溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)如下圖所示，在這種耗盡型MOSFET中，源極和漏極通過一小條N型
2022-09-13 08:00:00
Multisim10.0元件庫沒P溝道耗盡型MOSFET管，為什么，我其他幾種都找到了結(jié)型FET增強(qiáng)型FET，耗盡型沒P的啊
2012-11-03 10:45:54
器件，而負(fù)載管可以是增強(qiáng)型也可以是耗盡型?，F(xiàn)以增強(qiáng)型器件作為負(fù)載管的NMOS反相器為例來說明它的工作原理?！ 』蚍情T的工作管都是并聯(lián)的，增加管子的個(gè)數(shù)，輸出低電平基本穩(wěn)定，在整體電路設(shè)計(jì)中較為方便
2009-04-07 00:18:19
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 22:04 編輯
N溝道耗盡型MOS管的二氧化硅中摻有大量的正離子(不是摻入低價(jià)元素形成的P型半導(dǎo)體),也就是說在不加電的情況下G(柵極)也
2009-07-04 16:00:27
耗盡型的MOS場效應(yīng)管制造過程中預(yù)先在二氧化硅的絕緣層中摻入了大量的正離子，因此，即使柵極不加電壓（UGS=0），由于靜電感應(yīng)，這些正離子產(chǎn)生的電場也能在P型襯底中“感應(yīng)”出足夠多的負(fù)電荷，形成
2015-06-15 18:03:40
N溝道耗盡型mos管，電路工作過程，還望大神指導(dǎo)。
2016-11-12 16:36:00
P型MOS管開關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-28 10:07:00
誰有multisim中耗盡型MOS管的元件庫嗎？有指點(diǎn)
2017-06-23 09:45:19
MOS管在功率驅(qū)動(dòng)電路中必不可少
2017-05-29 21:23:41
NMOS為例，介紹MOS管的工作原理。 MOS管的基本結(jié)構(gòu) 增強(qiáng)型NMOS的結(jié)構(gòu)圖如圖 18 所示，在參雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高參雜濃度的N型溝槽。分別用鋁從兩個(gè)N型溝槽中引出兩個(gè)電極
2023-02-27 14:57:01
時(shí)是不導(dǎo)電的器件，只有當(dāng)柵極電壓的大于其閾值電壓時(shí)才能出現(xiàn)導(dǎo)電溝道的場效應(yīng)晶體管，也就是說增強(qiáng)型MOS管只有在開啟后，才會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。因此可以看出，它們的工作原理是不同的：耗盡型： 當(dāng)VGS=0時(shí)即形成
2023-02-21 15:48:47
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。
2021-03-11 06:11:03
二極管的管壓降0.5v左右，同樣也應(yīng)該可以測得到電阻一般為幾千歐以內(nèi)。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅(qū)動(dòng)電路分析下面是常見的MOS管驅(qū)動(dòng)電路（1）二極管D1的作用是什么？二極管D1在驅(qū)動(dòng)信號(hào)是低電平時(shí)起到快速關(guān)斷的作用。一般在H橋驅(qū)動(dòng)電路中需要加此二極管起到“慢開快關(guān)
2021-12-31 06:20:08
（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4 種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。 至于
2020-09-08 23:04:34
`功率場效應(yīng)管(MOSFET)的結(jié)構(gòu),工作原理及應(yīng)用 功率場效應(yīng)管(MOSFET)的結(jié)構(gòu) 圖1是典型平面N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(MOSFET) 的剖面圖。它用一塊P型硅半導(dǎo)體材料作襯底(圖la
2011-12-19 16:52:35
導(dǎo)電，故稱為單極型晶體管?！ 螛O型晶體管的工作原理 以N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管為例說明其工作原理。N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)模型如圖1所示，它由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)組成?！ D2是實(shí)際結(jié)構(gòu)
2020-06-24 16:00:16
哪個(gè)幫我分析下MOS管的工作原理，P管不是很懂，哪個(gè)幫我解說下謝謝
2016-05-20 10:15:00
的MOS場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，從左下圖上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):第一，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性
2011-12-19 16:30:31
的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理（以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例），N溝道結(jié)構(gòu)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂
2019-05-08 09:26:37
和VMOS功率場效應(yīng)管，以及最近剛問世的πMOS場效應(yīng)管、VMOS功率模塊等?！ “礈系腊雽?dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管
2013-03-27 16:19:17
（控制極）從結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)可看出，我們?cè)贒、S間加上電壓UDS，則在源極和漏極之間形成電流ID。我們通過改變柵極和源極的反向電壓UGS，則可以改變兩個(gè)PN結(jié)阻檔層(耗盡層)的寬度。由于柵極區(qū)是高
2019-04-16 11:20:05
` 1、MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道
2018-10-18 18:15:23
、P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS管應(yīng)該如何檢測呢？MOS管的外形、結(jié)構(gòu)及符號(hào)如下圖所示，三個(gè)電極分別為柵極G、源極S、漏極D。國產(chǎn)N溝道管典型產(chǎn)品有3DJ2、3DJ4.3DJ6、3DJ7，P
2018-10-23 15:10:53
。 2、n型 上圖表示的是p型MOS管，讀者可以依據(jù)此圖理解n型的，都是反過來即可。因此，不難理解，n型的如圖在柵極加正壓會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)通，而p型的相反?！ ?、增強(qiáng)型 相對(duì)于耗盡型，增強(qiáng)型是通過“加厚
2019-01-03 13:43:48
的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到的NMOS，或者PMOS就是指這兩種
2018-12-03 14:43:36
、偏置電路因?yàn)椴煌愋偷?b class="flag-6" style="color: red">MOS管工作在放大區(qū)，要求柵極電壓極性不同，例如，結(jié)型場效應(yīng)管要求柵源與漏源電壓極性相反，而增加型MOS管則要求柵源與漏源電壓極性相同，至于耗盡型MOS管的柵偏壓極性，可以正偏
2018-10-30 16:02:32
的應(yīng)用。二、晶體管分類及其工作原理晶體管泛指所有半導(dǎo)體器件，包含N多種類，因此其也具有多種不同的分類方式。晶體管根據(jù)使用材料的不同可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管;根據(jù)極性的不同可分為NPN型晶體管和PNP型
2016-06-29 18:04:43
MOS管是什么？NMOS管和PMOS管的工作原理是什么？NMOS管與PMOS管的區(qū)別在哪？
2021-11-03 06:17:26
` 1、MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管
2018-10-26 14:32:12
的電子通過導(dǎo)電溝道進(jìn)入被耗盡的垂直的N區(qū)中和正電荷，從而恢復(fù)被耗盡的N型特性，因此導(dǎo)電溝道形成。由于垂直N區(qū)具有較低的電阻率，因而導(dǎo)通電阻較常規(guī)MOS管將明顯降低?！ ⊥ㄟ^以上分析可以看到：阻斷電壓與導(dǎo)
2018-11-01 15:01:12
`結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)的結(jié)構(gòu)及工作原理一、結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示，在一塊N型半導(dǎo)體材料的兩邊各擴(kuò)散一個(gè)高雜質(zhì)濃度的P+區(qū),就形成兩個(gè)不對(duì)稱的P+N結(jié)，即耗盡層。把兩個(gè)P+區(qū)并聯(lián)
2011-12-19 16:41:25
1、結(jié)型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
絕緣柵場效應(yīng)管的導(dǎo)電機(jī)理是，利用UGS 控制"感應(yīng)電荷"的多少來改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流ID。若UGS＝0時(shí)，源、漏之間不存在導(dǎo)電溝道的為增強(qiáng)型MOS管，UGS＝0 時(shí)，漏、源之間存在導(dǎo)電溝道的為耗盡型MOS管。
2019-09-30 09:02:16
結(jié)構(gòu)成的，那么MoS管呢？MOS管也可以看成兩個(gè)二極管的構(gòu)造。為什么三極管是電流控制器件，而MOS管是電壓控制器件？3.場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管(FET）（MOS管屬于FET這一大類？）JFET和FET都可以做成P/N的增強(qiáng)型和耗盡型，共四種類型？
2020-05-12 16:38:25
擊穿現(xiàn)象、安全工作范圍寬等優(yōu)點(diǎn)。本節(jié)我們講解一下N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管，其基本結(jié)構(gòu)如下圖所示：如上圖所示，在一塊P型硅片（半導(dǎo)體）襯底（Substrate，也有稱為Bulk或Body）上，形成兩個(gè)高
2023-02-10 15:58:00
)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到的NMOS，或者PMOS就是指這兩種。至于為什么不適用號(hào)耗盡型
2017-08-15 21:05:01
增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到的NMOS，或者PMOS就是指這兩種。至于為什么不適用號(hào)耗盡型的MOS管，不建議
2017-12-05 09:32:00
場效應(yīng)管溫度動(dòng)搖性好、集成化時(shí)溫度復(fù)雜，而普遍運(yùn)用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。與結(jié)型場效應(yīng)管相反，MOS管義務(wù)原理動(dòng)畫表示圖也有N溝道和P溝道兩類，但每一類又分爲(wèi)增強(qiáng)型和耗盡型兩種，因此MOS管
2019-03-21 16:51:33
關(guān)于使用TMC5160芯片控制兩相四線步進(jìn)電機(jī)運(yùn)動(dòng)，用八個(gè)N型MOS管去控制電流流向，那么這幾個(gè)MOS管是怎么工作的，為什么可以做到一端高側(cè)MOS管導(dǎo)通,低側(cè)MOS管截止呢?
2019-01-22 11:20:30
很經(jīng)典的MOS管電路工作原理詳解，由55頁P(yáng)PT制作而成的PDF文檔，免費(fèi)供大家下載！
2019-05-10 10:14:15
本帖最后由 dewfn 于 2013-3-27 20:07 編輯
高手進(jìn)來看看這個(gè)電路圖是不是畫錯(cuò)了MOS管 圖上畫的是耗盡型，可是我查到的是增強(qiáng)型圖上型號(hào)是SI4435可是我查到
2013-03-27 13:48:45
什么是耗盡型MOS晶體管
據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。耗盡型是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝
2010-03-05 15:35:3118687 MOS管電路工作原理，適合初學(xué)者，，主要說明MOS的初級(jí)使用
2016-05-09 15:06:12
0 MOS管電路工作原理精講PPT，感興趣的小伙伴們可以瞧一瞧。
2016-11-05 11:48:490 MOS 管也有 N 溝道和 P 溝道之分，而且每一類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，二者的區(qū)別是增強(qiáng)型 MOS 管在柵-源電壓 vGS=0 時(shí)，漏-源極之間沒有導(dǎo)電溝道存在，即使加上
電壓 vDS
2016-11-02 17:20:300 MOS管工作原理.docx
2017-01-22 19:43:5122 MOS管工作原理
2017-05-10 16:55:3240 本文首先闡述了N溝MOS晶體管的概念，其次介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)及特性曲線，最后介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理。
2018-08-16 15:31:1180321 MOS的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
2022-02-15 15:16:110 MOS管電路工作原理
2022-07-07 16:03:300 在設(shè)計(jì)mos管開關(guān)電路時(shí)，就要充分了解mos管的工作原理。在我上一篇文章中，有詳細(xì)地講解mos管的工作原理。
2023-01-05 09:39:198285 mos管工作原理 mos管有什么用途和功能 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種基于場效應(yīng)晶體管技術(shù)的電子器件，具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 MOS管的工作原理是通過操控柵極
2023-09-02 11:31:184854 電流通過器件，從而實(shí)現(xiàn)放大、開關(guān)和調(diào)節(jié)功能。耗盡型MOS管在實(shí)際中應(yīng)用廣泛，了解它的工作原理對(duì)于電子工程師和科學(xué)家來說是非常重要的。 耗盡型MOS管的工作原理可以總結(jié)為以下五個(gè)階段：禁閉、負(fù)阻、開啟、飽和和截止。 第一階段是禁閉狀態(tài)
2023-12-19 09:44:59766
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