兩種測(cè)量方法各有利弊。低側(cè)電流測(cè)量的優(yōu)點(diǎn)之一是共模電壓，即測(cè)量輸入端的平均電壓接近于零。這樣更便于設(shè)計(jì)應(yīng)用電路，也便于選擇適合這種測(cè)量的器件。由于電流感測(cè)電路測(cè)得的電壓接近于地，因此在處理非常高的電壓時(shí)、或者在電源電壓可能 易于出現(xiàn)尖峰或浪涌的應(yīng)用中， 優(yōu)先選擇這種方法測(cè)量電流。
2020-03-22 22:23:39
8249 
本文將對(duì)數(shù)字萬(wàn)用表電阻電壓檔的測(cè)量方法及檔位切換做簡(jiǎn)要的說(shuō)明，使大家對(duì)數(shù)字萬(wàn)用表電阻電壓檔的測(cè)量原理有更深入的了解。
2021-06-28 17:09:389355 
高頻、高速開(kāi)關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一，這能讓系統(tǒng)效率顯著提升，但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而在驅(qū)動(dòng)電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20:45943 
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準(zhǔn)向漏極施加負(fù)電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
減小，所以耐受時(shí)間變長(zhǎng)。另外，Vdd較低時(shí)發(fā)熱量也會(huì)減少，所以耐受時(shí)間會(huì)更長(zhǎng)。由于關(guān)斷SiC-MOSFET所需的時(shí)間非常短，所以當(dāng)Vgs的斷路速度很快時(shí)，急劇的dI/dt可能會(huì)引發(fā)較大的浪涌電壓。請(qǐng)使用
2018-11-30 11:30:41
的概述和應(yīng)掌握的特征 性能評(píng)估事例的設(shè)計(jì)目標(biāo)和電路使用評(píng)估板進(jìn)行性能評(píng)估測(cè)量方法和結(jié)果重要檢查點(diǎn)MOSFET的VDS和IDS、輸出整流二極管的耐壓變壓器的飽和Vcc電壓輸出瞬態(tài)響應(yīng)和輸出電壓上升波形溫度
2018-11-27 16:38:39
MOSFET能夠在1/35大小的芯片內(nèi)提供與之相同的導(dǎo)通電阻。其原因是SiC MOSFET能夠阻斷的電壓是Si MOSFET的10倍，同時(shí)具備更高的電流密度和更低的導(dǎo)通電阻，能夠以更快速度（10 倍）在導(dǎo)
2019-07-09 04:20:19
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）的形式出現(xiàn)。SemiSouth實(shí)驗(yàn)室遵循JFET方法，因?yàn)楫?dāng)時(shí)雙極結(jié)晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認(rèn)為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間，也可以通過(guò)集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來(lái)保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
極-源極電壓振鈴。將柵極驅(qū)動(dòng)放置在緊鄰 SiC MOSFET 的位置，以最小的走線長(zhǎng)度將柵極回路電感降至最低。此外，這種做法還有助于使各并聯(lián) MOSFET 設(shè)計(jì)之間的共源極電感保持恒定。以最小走線長(zhǎng)
2022-03-24 18:03:24
的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓：一般測(cè)量方法電源單元等產(chǎn)品中使用的功率開(kāi)關(guān)器件大多都配有用來(lái)冷卻的散熱器，在測(cè)量器件引腳間的電壓時(shí)，通常是無(wú)法將電壓
2022-09-20 08:00:00
測(cè)量高速信號(hào)快速的、比較干凈的測(cè)量方法是什么
2021-05-07 07:13:16
測(cè)量方法的分類(lèi)1) 直接測(cè)量與間接測(cè)量(1) 直接測(cè)量直接測(cè)量是直接得到被測(cè)量值的測(cè)量方法。例如用直流電壓表測(cè)量穩(wěn)壓電源的輸出 電壓等。(2) 間接測(cè)量與直接測(cè)量不同，間接測(cè)量是利用直接測(cè)量的量與被
2017-06-15 10:08:31
LED亮度調(diào)節(jié)、電機(jī)轉(zhuǎn)速控制等。而在某些特殊應(yīng)用中，我們也需要通過(guò)測(cè)量輸入PWM的占空比，來(lái)實(shí)現(xiàn)不同的輸出控制，這就需要使用到PWM占空比的測(cè)量方法。這里介紹三種不同的測(cè)量方法：阻塞方式、中斷方式以及定時(shí)器捕獲功能。
2021-02-03 07:52:09
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進(jìn)行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進(jìn)行了對(duì)兩個(gè)波形進(jìn)行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過(guò)分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時(shí)間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
。補(bǔ)充一下，所有波形的測(cè)試是去掉了鱷魚(yú)夾，使用接地彈簧就近測(cè)量的，探頭的***擾情況是很小的。最后，經(jīng)過(guò)了半個(gè)小時(shí)的帶載實(shí)驗(yàn)，在自然散熱的情況下，測(cè)量了SIC-MOSFET的溫度：圖9 溫度測(cè)量對(duì)于
2020-06-10 11:04:53
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對(duì)應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
想了很久打算用stm32，做一個(gè)萬(wàn)用表，但是以前沒(méi)有過(guò)類(lèi)似的經(jīng)歷，現(xiàn)在就想重電壓表做起，最開(kāi)始先做直流電壓表，但是對(duì)于大量程電壓的測(cè)量方法思路還不是很清楚，希望有做過(guò)類(lèi)似設(shè)計(jì)的大俠幫個(gè)忙。
2018-09-11 09:31:38
管理和控制，其前提是必須準(zhǔn)確而又可靠的獲得電池現(xiàn)存的容量參數(shù)。電池的電壓及溫度是和電池容量密切相關(guān)的兩個(gè)參數(shù)，因此精確采集單體電池電壓及溫度是十分重要的。 二、常用測(cè)量方法分析 1、單體電池電壓測(cè)量方法
2011-09-01 11:17:35
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
什么是SPWMSPWM示波器的測(cè)量方法
2021-03-29 08:29:26
性能如何？650V-1200V電壓等級(jí)的SiC MOSFET商業(yè)產(chǎn)品已經(jīng)從Gen 2發(fā)展到了Gen 3，隨著技術(shù)的發(fā)展，元胞寬度持續(xù)減小，比導(dǎo)通電阻持續(xù)降低，器件性能超越Si器件，浪涌電流、短路能力、柵
2022-03-29 10:58:06
系統(tǒng)檢測(cè)過(guò)程中，需要運(yùn)用到各種各樣的傳感器，傳感器的測(cè)量方法以及性能是檢測(cè)任務(wù)是否能夠順利完成的關(guān)鍵性因素。在實(shí)際操作過(guò)程中，需針對(duì)不同的檢測(cè)目的和具體情況進(jìn)行分析，然后找出切實(shí)可行的測(cè)量方法，再
2018-11-07 16:20:22
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
許多的資料顯示，許多的EMC問(wèn)題都是由共模及差模干擾引起的，那么在單板調(diào)試過(guò)程中，有沒(méi)有什么好的辦法對(duì)電路板上的共模和差模電壓進(jìn)行測(cè)量，測(cè)量用的儀器比如示波器，測(cè)量方法什么的。請(qǐng)各位大佬賜教
2018-05-27 14:58:57
低壓共源共柵結(jié)構(gòu)是什么？具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開(kāi)發(fā)了一種測(cè)試板，其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見(jiàn)圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
振動(dòng)頻率是指與無(wú)源晶振（晶體諧振器）一起工作的振蕩電路的實(shí)際頻率。振動(dòng)頻率由無(wú)源晶體諧振器決定，并受MCU、外部負(fù)載電容、PCB雜散電容等的影響。測(cè)量方法（一）振動(dòng)頻率通過(guò)以下方程來(lái)計(jì)算。負(fù)載
2020-07-06 17:21:09
康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問(wèn)題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時(shí)候，而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
接地電阻的測(cè)量方法有哪幾種？接地電阻的計(jì)算方法有那幾種？
2021-04-09 06:05:08
來(lái)自MPS的科普視頻，介紹了一些最基本的紋波測(cè)量方法，歡迎探討交流！ ...
2022-01-03 07:19:18
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C
2019-09-17 09:05:05
，在測(cè)量MOSFET的DS的電壓時(shí)候，要保證正確的測(cè)量方法。（1）如同測(cè)量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號(hào)尖端和地線接觸被測(cè)量位置的兩端，減小地線的環(huán)路
2023-02-20 17:21:32
;nbsp; 1.直接測(cè)量法使用按已知標(biāo)準(zhǔn)定度的電子儀器，對(duì)被測(cè)量值直接進(jìn)行測(cè)量，從而測(cè)得其數(shù)據(jù)的方法，稱為直接測(cè)量法。例如用電壓表測(cè)量交流電源電壓等。需要
2009-03-20 09:53:50
）強(qiáng)制通過(guò)一個(gè)很大的恒定直流電流（目前一般使用40A～80A的大電流），測(cè)量此時(shí)電池兩端的電壓，并按公式計(jì)算出當(dāng)前的電池內(nèi)阻。這種測(cè)量方法的精確度較高，控制得當(dāng)?shù)脑挘?b class="flag-6" style="color: red">測(cè)量精度誤差可以控制在0.1％以內(nèi)
2017-11-24 16:12:49
電源的各項(xiàng)指標(biāo)及測(cè)量方法1.直流電源指標(biāo)(1)電壓調(diào)整率Su：負(fù)載不變，輸入電壓變化時(shí)輸出電壓相對(duì)變化量。即：Us=(|Uomax-Uomin|)/Uo*100%其中：Uomax為輸入電壓變化時(shí)最大
2021-11-15 06:57:27
電能質(zhì)量的測(cè)量方法如何排查電能質(zhì)量問(wèn)題？
2021-04-09 06:47:11
液體壓力管道壓力測(cè)量方法，要求效率和精度都比較高
2013-11-26 15:47:16
的源-測(cè)量測(cè)試方法可以定量測(cè)量阻抗、電導(dǎo)和電阻，這些測(cè)量值揭示材料的關(guān)鍵性能。即便材料最終并非應(yīng)用于電路，這種測(cè)量方法仍然適用。 需要注意的問(wèn)題 測(cè)量納米微粒需要重點(diǎn)注意以下情況： 1. 納米微粒無(wú)法
2009-10-14 15:58:21
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
%的降額要求。另外，在測(cè)量MOSFET的DS的電壓時(shí)候，要保證正確的測(cè)量方法。（1）如同測(cè)量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號(hào)尖端和地線接觸被測(cè)量位置的兩端
2016-09-06 15:41:04
絕大多數(shù)情況下都取決于IC的規(guī)格，因此雖然不是沒(méi)有方法，但選用專(zhuān)為SiC-MOSFET用而優(yōu)化的電源IC應(yīng)該是上策。具體一點(diǎn)來(lái)講，在規(guī)格方面，一般的IGBT或Si-MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓為VGS
2018-11-27 16:54:24
請(qǐng)問(wèn)電機(jī)參數(shù)的含義及測(cè)量方法是什么？
2021-10-19 08:54:17
請(qǐng)問(wèn)：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
高壓電壓及電流測(cè)量方法是什么？
2021-11-05 08:03:59
基于太陽(yáng)仿真器的測(cè)量方法
2009-02-23 21:57:14
15 測(cè)量微弱的電壓信號(hào)時(shí)。測(cè)量系統(tǒng)中熱電勢(shì)的影響不能忽略。本文所討論的基于增量模型的變極性測(cè)量方法是消除測(cè)量系統(tǒng)中熱電勢(shì)干擾的一種處理方法。這種方法將一個(gè)完整的
2009-06-06 13:59:0519 模擬測(cè)量方法和數(shù)字測(cè)量方法：高內(nèi)阻回路直流電壓的測(cè)量，交流電壓的表征與測(cè)量方法，低頻電壓的測(cè)量，等內(nèi)容。
2009-07-13 15:53:330 測(cè)量方法:以RPM（每分鐘轉(zhuǎn)數(shù)）為單位的轉(zhuǎn)速測(cè)定用下面三種典型的方法之一來(lái)完成。
1．機(jī)械轉(zhuǎn)速測(cè)量
由機(jī)械測(cè)量傳感器進(jìn)行數(shù)據(jù)采集是測(cè)量RPM的傳統(tǒng)方法。傳感器中
2009-09-06 22:49:57119 熱工測(cè)量的概念和測(cè)量方法
本章講述了測(cè)量及測(cè)量誤差的基本概念，測(cè)量的一般方法，
2010-09-14 15:59:2912 頻率測(cè)量方法的改進(jìn)
2010-10-14 16:41:0020 可控硅的測(cè)量方法
一、概述
2007-12-22 11:33:1146964 
電力功率測(cè)量方法
從大的方面來(lái)看，很多領(lǐng)域都需要功率測(cè)量，而且不同領(lǐng)域功率測(cè)量的方法是大不相同的。例如
2008-12-04 11:27:412475 
電子管跨導(dǎo)的測(cè)量方法
跨導(dǎo)G是電子管的重要參數(shù)，它的意義是當(dāng)陽(yáng)極電壓不變時(shí)，陽(yáng)極電流隨柵極電壓的變化(△Ugh)所引起的變化
2009-11-29 16:54:327933 
本文提出的基于移位寄存陣控制的單體電池電壓及溫度測(cè)量方法，可實(shí)現(xiàn)串聯(lián)電池組的電壓及溫度的巡檢，巡檢的電池?cái)?shù)量可靈活的增加和減少。相對(duì)于其他的測(cè)量方法，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔明了
2011-08-22 11:11:543803 
基于迭代稀疏分解的介損角測(cè)量方法_律方成
2016-12-31 14:45:090 在日常工作當(dāng)中，人們對(duì)了解傳感器的測(cè)量方法都不是很全面，那么傳感器的測(cè)量手法有哪些？下面我跟大家講解一下傳感器測(cè)量方法，就是傳感器測(cè)量時(shí)所采取的具體方法。
2017-01-19 15:02:592288 基于油罐液位測(cè)量方法的研究
2017-01-22 13:38:0813 一種交流電壓的間接測(cè)量方法及其應(yīng)用_陳靜
2017-03-19 11:46:134 基于電阻鏈移相的時(shí)柵高速測(cè)量方法研究_索龍博
2017-03-19 19:19:352 本文主要闡述了壓限器的測(cè)量方法及壓限器的作用。
2019-11-27 10:00:373099 基于聲卡的直流信號(hào)測(cè)量方法分析(通信電源技術(shù)期刊幾類(lèi))-該資料為?基于聲卡的直流信號(hào)測(cè)量方法分析
2021-09-28 11:54:3512 ? GIS回路電阻測(cè)量方法根據(jù)測(cè)量的模式不同可以分為傳統(tǒng)GIS回路電阻測(cè)量方法和智能GIS回路電阻測(cè)量方法，接下來(lái)登豐電力帶大家熟悉一下傳統(tǒng)GIS回路電阻測(cè)量方法和智能GIS回路電阻測(cè)量方法。 傳統(tǒng)
2021-11-18 18:01:011666 
具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:532945 和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開(kāi)關(guān)。這里的重點(diǎn)是如何有效地測(cè)量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:451512 
從本文開(kāi)始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過(guò)采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來(lái)防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:16589 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:46731 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對(duì)策、負(fù)電壓浪涌對(duì)策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:14644 運(yùn)放失調(diào)電壓測(cè)量方法 運(yùn)放失調(diào)電壓是運(yùn)放非理想性質(zhì)的一種，它是運(yùn)放輸入端所需的偏置電壓與實(shí)際給的偏置電壓之間的差值。這種差異會(huì)影響整個(gè)電路的性能，因此對(duì)于電路設(shè)計(jì)和測(cè)試來(lái)說(shuō)，準(zhǔn)確測(cè)量運(yùn)放失調(diào)電壓
2023-09-22 18:23:551631 如何選取SiC MOSFET的Vgs門(mén)極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29483 
SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:17223 
。本文將詳細(xì)介紹接地電阻測(cè)量的原理和測(cè)量方法。 接地電阻測(cè)量原理： 接地電阻的測(cè)量基于歐姆定律，即電壓等于電流乘以電阻。當(dāng)電流通過(guò)接地裝置和地面之間的電阻時(shí)，會(huì)在電路中產(chǎn)生一定的電壓降，根據(jù)歐姆定律可以計(jì)算出接地
2023-12-19 15:36:47533 整流橋的好壞測(cè)量方法是對(duì)整流橋進(jìn)行性能評(píng)估的過(guò)程，可以通過(guò)多種測(cè)試來(lái)獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和指標(biāo)來(lái)判斷整流橋的質(zhì)量和性能。下面詳細(xì)介紹幾種常見(jiàn)的整流橋好壞測(cè)量方法。 直流輸出電壓測(cè)量法： 這是最直接且簡(jiǎn)單
2023-12-21 14:10:531362 蓄電池?zé)o負(fù)載和有負(fù)載電壓測(cè)量方法 蓄電池是一種儲(chǔ)存電能的裝置，廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、UPS電源、太陽(yáng)能系統(tǒng)等領(lǐng)域。在使用蓄電池時(shí)，需要了解其電壓情況，以確保其正常工作和維護(hù)。本文將介紹蓄電池?zé)o負(fù)載和有負(fù)載
2024-01-05 14:04:07460 電阻是電路中常見(jiàn)的基本元件，其測(cè)量方法主要有以下幾種：直流電橋法、直流電壓比較法、萬(wàn)用表測(cè)量法、數(shù)字多用表測(cè)量法、數(shù)字電橋法、示波器法、恢復(fù)法等。下面將詳細(xì)介紹這些測(cè)量方法。 直流電橋法是一種經(jīng)典
2024-01-14 14:52:02680 電阻的測(cè)量方法有以下幾種： 電表法：使用電表測(cè)量電阻值，通常是使用電流表和電壓表，通過(guò)歐姆定律計(jì)算電阻值。這是最常用的電阻測(cè)量方法之一。 橋式法：使用電橋測(cè)量電阻值，通常是使用維文
2024-01-22 10:19:19275 中間繼電器線圈電壓是指控制繼電器開(kāi)關(guān)狀態(tài)的電壓。測(cè)量中間繼電器線圈電壓的目的是為了驗(yàn)證電壓是否在有效范圍內(nèi)，以確保繼電器正常工作。下面將介紹幾種常用的中間繼電器線圈電壓的測(cè)量方法。 一、直接測(cè)量
2024-02-05 16:38:59515
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