特性，能夠提高高溫環(huán)境下功率系統(tǒng)的效率。SiC SBD在常溫下顯示出優(yōu)于Si基快速恢復(fù)二極管的動態(tài)特性:反向恢復(fù)時間短，反向恢復(fù)電流峰值小。
2019-10-24 14:25:15
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET
2018-11-27 16:40:24
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關(guān)系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小?！ ≈饕獞?yīng)用于工業(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。 2. 標準化導通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
對體二極管進行1000小時的直流8A通電測試，結(jié)果如下。試驗證明，所有特性如導通電阻，漏電流等都沒有變化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比具有更小的芯片面積和更高的電流密度
2018-11-30 11:30:41
晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較所謂SiC-MOSFET－與Si-MOSFET的區(qū)別與IGBT的區(qū)別所謂SiC-MOSFET－體二極管的特性所謂SiC-MOSFET－溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實際產(chǎn)品所謂
2018-11-27 16:38:39
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時實現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
如此。我想以二極管為例詳細進行說明。下圖是SiC-SBD、Si-SBD、Si-PND的示意圖，顯示了電流流動的機理。SiC-SBD和Si-SBD都是肖特基勢壘二極管，因此金屬與n型半導體間形成的肖特基
2018-12-03 15:12:02
要做一個IN5819的特性測量，包括正向壓降，負載電流和反向擊穿電壓。我的測試方法是用帶電流顯示的電源串聯(lián)電阻再串到二極管兩端，測試二極管兩端在1A時的電壓。反向擊穿電壓就反接二極管，調(diào)節(jié)電壓至有電流顯示。至于負載電流不知道指的是什么....我也不知道這樣測可不可以。。求指教
2016-03-30 21:44:21
我是個新手，對此軟件不熟悉，有不明白的地方，希望得到您的幫助。 使用multisim10.1進行仿真，分析二極管的伏安特性。使用“DC Sweep”進行直流掃苗分析時，得不到我們熟悉的二極管伏安特性。。。。哪位高手可以幫幫我？謝謝你了。下面是兩張結(jié)果圖。
2012-05-30 00:23:04
最主要的特性是單向?qū)щ娦?。所謂單向?qū)щ娦钥梢酝ㄟ^加到二極管兩端的電壓與流經(jīng)二極管的電流的人關(guān)系來說明，這個關(guān)系也就是伏安特性，二極管的伏安特性如圖2-13所示。提示該特征曲線只使用于普通二極管，而對
2017-05-16 09:00:40
防雷過壓器件的具體作用二極管的應(yīng)用二極管是什么原理二極管有哪些分類？
2021-03-16 13:54:35
當二極管的正向電流變化時，其正向電阻也在發(fā)生微小的變化，正向電流愈大，正向電阻愈小，反之則大。在一些控制電路中，在利用這一特性實現(xiàn)電路的控制功能。在電子開關(guān)電路中，利用二極管正向電阻和反向電阻相差
2021-01-22 16:10:45
二極管簡易直流穩(wěn)壓電路及故障處理二極管溫度補償電路及故障處理二極管控制電路及故障處理二極管限幅電路及故障處理二極管開關(guān)電路及故障處理二極管檢波電路及故障處理繼電器驅(qū)動電路中二極管保護電路及故障處理
2021-03-10 07:14:45
?當輸入與輸出電壓之間有正電壓時，運放肖特基二極管電路使MOSFET導通，如下式：VGATE=VOUT-(R2/R1)(VIN-VOUT)其中，肖特基二極管電路的VGATE是MOSFET的柵極驅(qū)動
2021-04-08 11:37:38
，負極流出。下面通過簡單的實驗說明二極管的正向特性和反向特性。正向特性 在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負極接在低電位端，二極管就會導通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說明，當加在二極管兩端
2019-11-06 11:38:02
二極管是較為常用的半導體元器件，它有兩個電極，它的種類繁多，管芯有一個PN結(jié)，在PN結(jié)的兩端各引出一個引線，并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，就構(gòu)成了晶體二極管。一、二極管特性半導體二極管的核心
2023-02-21 16:05:32
二極管的特性及其應(yīng)用1.加深理解二極管器件的應(yīng)用；2.了解二極管器件的一般應(yīng)用。 利用二極管單向
2009-09-08 08:54:45
、正向特性：二極管外加正向偏置電壓時的V-I特性。對應(yīng)于第①段的正向特性，此時加于二極管的正向電壓只有零點幾伏，但相對來說流過管子的電流卻很大，因此管子呈現(xiàn)的正向電阻很小。但是，在正向特性的起始部分
2015-11-27 18:01:44
VF特征的肖特基勢壘二極管，下面將分別予以說明。雖然作了上述分類，但原則上，Si二極管均屬由陽極和陰極構(gòu)成的元器件，表示其本質(zhì)功能和特性的項目基本相同。那么“究竟有什么區(qū)別呢？”，答案就是“根據(jù)
2018-12-03 14:30:32
同時放在腦里?？梢岳斫鉃榛镜墓δ芗由细鞣N各樣的形狀來補充。1. 按頻率分類最基本的分類方法。二極管根據(jù)其特性分為整流二極管、開關(guān)二極管、肖特基勢壘二極管、齊納二極管、用于高頻的高頻二極管。另外，作為
2019-04-12 00:31:05
理想的二極管，正向電流和電壓成指數(shù)關(guān)系。但是實際的二極管，外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。不能使二極管導
2022-01-25 10:33:57
本文資料下載內(nèi)容包括了：二極管的結(jié)構(gòu)與伏安特性二極管伏安特性的數(shù)學表達式溫度對二極管伏安特性的影響
2021-03-23 07:21:56
的高擊穿電壓和實用的 SiC 肖特基二極管。肖特基勢壘的高度取決于連接到半導體的金屬類型。 電氣特性因金屬種類而異。正向壓降 VF 和反向漏電流 IR 之間存在折衷關(guān)系，具體取決于金屬類型。 根據(jù)
2021-09-20 07:00:00
范圍。 我們正在開發(fā)使用下一代功率半導體 SiC 的高擊穿電壓和實用的 SiC 肖特基二極管。肖特基勢壘的高度取決于連接到半導體的金屬類型。 電氣特性因金屬種類而異。正向壓降 VF 和反向漏電流 IR 之間
2022-04-12 15:53:31
二極管限幅電路及故障處理電路分析思路說明二極管限幅電路電路分析細節(jié)說明
2021-03-03 08:37:09
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
關(guān)于體二極管1. 體二極管也可能是穩(wěn)壓管2. 體二極管的續(xù)流能力與MOS本身過流能力相當，作為開關(guān)時，不需要額外的續(xù)流二極管【參考】
2021-11-11 06:22:44
二極管中觀察到的電容恢復(fù)特性為獨立于溫度，正向電流水平以及關(guān)斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實際外延規(guī)范將肖特基二極管降級為< 600 V的應(yīng)用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設(shè)計的，以盡量減少電容電荷，從而實現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變。
2023-06-16 11:42:39
我想問一下，為什么我在參考書上看到能夠仿真出圖表，為什么我就實現(xiàn)不了，你們能幫我解決一下嗎？謝謝！第一個圖為仿真二極管的伏安特性第二個為仿真二極管的全波整理功能
2017-10-15 21:54:35
湊的系統(tǒng)），內(nèi)部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？可以說25A電流，還是應(yīng)該使用外部體二極管？如果我使用外部體二極管;我可以使用快速恢復(fù)二極管嗎？那將是什么缺點。外部SiC SBD是昂貴
2019-05-29 06:12:00
時的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流過尾電流，因此相應(yīng)的開關(guān)損耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基勢壘二極管）的組合與IGBT＋FRD（快速恢復(fù)二極管）的關(guān)斷損耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
溫度的反向漏電流。肖特基和PN結(jié)一樣具有類似的整流
特性，但是由于它的導電
特性由多數(shù)載流子決定，所以沒有電荷存儲效應(yīng)或者說慣性效應(yīng)。因此，肖特基
二極管是非常適合于那些不適合普通
二極管的高頻應(yīng)用?！ ∪欢?/div>
2019-01-02 13:57:40
Si整流器與SiC二極管：誰會更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
客戶有評估板。想知道為什么有 4 個二極管的位置沒有放置。用戶指南 UM11348 v2.2 2020 年 10 月指出“當需要對有源橋進行 MOSFET 引腳開路測試時，為每個有源橋 MOSFET 添加一個并聯(lián)二極管”。有人可以詳細說明嗎？
2023-05-12 08:20:12
TVS二極管，也叫瞬變二極管、瞬態(tài)電壓抑制二極管、瞬變抑制二極管、瞬態(tài)抑制二極管、TVS、TVS二極管、TVS管、二極管TVS等等，叫法很多，不同的客戶叫法略有差異，但是東西都是一個東西，是防浪涌
2022-05-25 14:16:57
。二極管的導電特性 二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴Ｔ陔娐分?，電流只能?b class="flag-6" style="color: red">二極管的正極流入，負極流出。下面通過簡單的實驗說明二極管的正向特性
2010-04-09 21:56:24
續(xù)流二極管作用及工作原理是什么？續(xù)流二極管為什么要反向接個二極管呢？續(xù)流二極管在正激開關(guān)電源的作用是什么？在變流技術(shù)中，續(xù)流二極管在電路里起什么作用？
2021-07-06 06:53:37
重要考量是SiC二極管/ MOSFET的設(shè)計。SiC能夠應(yīng)對高場應(yīng)力，因此很多設(shè)計都是為了應(yīng)對這些高應(yīng)力條件。例如，終端結(jié)構(gòu)需要很多心思，才能確保器件的耐用性。利用寬帶隙（WBG）材料的獨特特性，SiC技術(shù)
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
低壓MOS管體二極管反向擊穿電壓
2020-01-15 17:12:27
發(fā)光二極管與激光二極管在發(fā)光原理上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在工作原理上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在架構(gòu)上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在效能上有何差別？
2021-07-28 07:02:48
眾所周知，當溫度升高時，二極管的正向伏安特性曲線將左移，反向伏安特性曲線將下移，可是根據(jù)肖克萊方程i=Is(e^(qu/kT)-1)進行理論分析時發(fā)現(xiàn)，二極管的正向伏安特性曲線并沒有隨著溫度的升高
2015-02-27 12:03:13
半導體二極管的伏安特性是什么？
2021-06-15 06:17:58
發(fā)光二極管電路的設(shè)計原理是什么？發(fā)光二極管電路的特性有哪些？發(fā)光二極管與其它發(fā)光燈對比有何優(yōu)勢？
2021-10-09 08:07:52
發(fā)光二極管原理發(fā)光二極管特性發(fā)光二極管電阻計算方法發(fā)光二極管的限流電阻的計算發(fā)光二極管電阻接法
2021-03-04 07:46:09
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
整流器中會產(chǎn)生功率損耗，這種損耗的性質(zhì)取決于所用二極管的靜態(tài)和動態(tài)特性。二極管的動態(tài)行為（Qrr和體電容）也會影響轉(zhuǎn)換器行為的其他方面?！ τ诒疚闹械墓ぷ?，類似額定值的SiC，GaAs和超快硅二極管
2023-02-21 16:27:41
在電子學中，二極管具有單向?qū)ǖ莫毺?b class="flag-6" style="color: red">特性。主要功能是整流、穩(wěn)壓和檢測。此外，還添加了不同材料的發(fā)光二極管（LED）用于指示和照明。在二極管電路中，電流只能從陽極流入并流出陰極。根據(jù)不同的電路要求，有
2023-02-07 15:59:32
如何識別普通二極管？晶體二極管的參數(shù)有哪些？普通二極管怎么使用？
2021-06-08 06:38:05
穩(wěn)壓二極管的規(guī)格書說明穩(wěn)壓二極管的參數(shù)如何識別穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管與普通整流二極管的區(qū)別
2021-03-10 08:39:04
請問一下怎樣使用集成二極管和外部二極管呢？
2022-12-05 12:04:41
懸殊，說明二極管的單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">特性越好。若測得二極管的正、反向電阻值均接近0或阻值較小，則說明該二極管內(nèi)部已擊穿短路或漏電損壞。若測得二極管的正、反向電阻值均為無窮大，則說明該二極管已開路損壞。3．
2020-12-15 15:45:54
普通二極管和肖特基二極管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
電流頻率達到要求即可。二極管的基本特性是單向?qū)щ娦?。整?b class="flag-6" style="color: red">二極管的工作頻率低，有電壓和電流的要求指標。而普通二極管有許多種類，有的可用作為整流，有的可用作為檢波、限幅、開關(guān)等，但不一定都能用作為整流。不過
2021-05-26 16:49:24
?！ 。?］ 正向特性。在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負極接在低電位端，二極管就會導通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說明，當加在二極管兩端的正向電壓很小時，二極管仍然不能導通，流過二極管
2021-01-20 15:26:39
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
兩種原子存在，需要非常特殊的柵介質(zhì)生長方法。其溝槽星結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢如下（圖片來源網(wǎng)絡(luò)）：平面vs溝槽SiC-MOSFET采用溝槽結(jié)構(gòu)可最大限度地發(fā)揮SiC的特性。相比GAN, 它的應(yīng)用溫度可以更高。
2019-09-17 09:05:05
二極管的伏安特性是什么？溫度對二極管的伏安特性有何影響？
2021-10-08 08:55:17
點接觸型二極管的特性分類？
2015-08-25 14:34:20
點接觸型二極管的特性點接觸型二極管的分類
2021-01-07 07:10:51
點接觸型二極管的特性有哪些？點接觸型二極管有哪些分類？
2021-06-18 10:03:39
一．電力二極管的靜態(tài)特性 i 隨著正向電壓增大到門檻電壓Uto（二極管開啟電壓），二極管導通。 ii電壓Uf為二極管導通時的正向電壓降 iii 當承受反向電壓時，二極管截至，只有微小的少子漂移運動
2020-04-10 16:41:24
1.ESD靜電二極管，主要功能是防靜電，然而防靜電要求電容值低，一般在1--3.5PF之間最好；而TVS二極管的電容值卻比較高。2.ESD保護二極管，主要應(yīng)用于板級保護；TVS二極管用于初級和次級
2020-12-24 14:55:58
1.ESD靜電二極管，主要功能是防靜電，然而防靜電要求電容值低，一般在1--3.5PF之間最好；而TVS二極管的電容值卻比較高。2.ESD保護二極管，主要應(yīng)用于板級保護；TVS二極管用于初級和次級
2021-12-30 17:52:36
高壓硅二極管具有低正向傳導壓降，但由于其反向恢復(fù)行為，會在功率轉(zhuǎn)換器中造成顯著的動態(tài)損耗。與硅相比，SiC二極管的反向恢復(fù)行為可以忽略不計，但確實表現(xiàn)出更高的體電容和更大的正向傳導降。由于砷化鎵技術(shù)
2023-02-22 17:13:39
` 一、硅肖特基二極管的特點 硅肖特基二極管早已有之。它是一種金屬與半導體硅接觸的肖特基二極管，由于它的這種特殊結(jié)構(gòu)，使其具有如下不同尋常的特性： 硅肖特基二極管比PN結(jié)器件的行為特性更像一個
2019-01-11 13:42:03
小型化。然而，必須首先解決一個問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導通會造成導通電阻性能下降。將肖特基勢壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結(jié)構(gòu)，但發(fā)現(xiàn)用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
穩(wěn)壓二極管；反之，如果測得的反向電阻值仍很大，說明該管為整流二極管或檢波二極管。這種判別方法的原理是，萬用表Rx1k擋內(nèi)部使用的電池電壓為1.5V，一般不會將被測管反向擊穿，所以測出的反向電阻值比較大。而用
2021-08-16 17:04:51
穩(wěn)壓二極管伏安特性及曲線穩(wěn)壓管也是一種晶體二極管，它是利用PN結(jié)的擊穿區(qū)具有穩(wěn)定電壓的特性來工作的。穩(wěn)壓管在穩(wěn)壓設(shè)備和一些電子電路中獲得廣泛的應(yīng)用。我們把這種類型的二極管稱為穩(wěn)壓管，以區(qū)別用在整流
2013-08-02 16:20:16
穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管利用的特性是：二極管被反向擊穿之后，隨著電流的變化，穩(wěn)壓二極管兩端電壓維持不變的特性；普通二極管反向擊穿后就壞了，但是穩(wěn)壓二極管卻可以恢復(fù)，而且在被擊穿后處在正常的工作狀態(tài)
2021-11-15 09:10:33
，穩(wěn)壓二極管不討論響應(yīng)時間，而是更關(guān)注穩(wěn)壓值。但對于TVS二極管來說，其特性決定了其具有不同的功能。TVS二極管具有瞬態(tài)抑制高能的功能，所以需要在短時間內(nèi)吸收高能，所以這個時間非常短，達到納秒級;4.功率大小
2021-12-21 11:16:32
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
肖克利二極管有什么特性？肖克利二極管結(jié)構(gòu)原理是什么？肖克利二極管的用途有哪些？
2021-06-08 06:29:37
肖特基二極管正向?qū)妷汉艿停挥?.4V，反向在擊穿電壓之前不會導通，起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀?b class="flag-6" style="color: red">二級管一樣約為0.7V，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓
2020-09-25 15:38:08
突破性的進展，150V和 200V的高壓SBD已經(jīng)上市，使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功，從而為其應(yīng)用注入了新的生機與活力。肖特基二極管缺點：肖特基二極體最大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電
2021-09-09 15:19:01
： 二極管的特性通過簡單的實驗說明二極管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負極接在低電位端，二極管就會導通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說明，當
2016-03-22 14:55:18
輸入動作禁止功能）、過流保護、二次側(cè)電壓過壓保護等。在高耐壓應(yīng)用中，與Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET具有開關(guān)損耗及傳導損耗少、溫度帶來的特性波動小的優(yōu)點。這些優(yōu)點有利于解決近年來的重要課題
2018-11-27 16:54:24
請問我們是否可以根據(jù)二極管的伏安特性曲線圖，來計算該二極管在某一電壓下的電阻呢？我感覺好像不行，可是R=U/I，難道是有條件的使用公式嗎？能說說理由嗎？
2017-05-18 09:53:48
我發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在大家在選型這個二極管的時候，一般都是采用那種快恢復(fù)的二極管，有些場合明明不需要高速的快恢復(fù)二極管，但是大家也一樣的采用了，看來是不是快恢復(fù)二極管已經(jīng)可以通吃整個二極管應(yīng)用了？
2019-05-16 00:12:23
請問貼片電阻，貼片電容，貼片
二極管，穩(wěn)壓
二極管，MOS
管，
MOSFET和封裝形式有那些呢？請一一
說明，謝謝各們大師哦?。。?/div>
2020-11-13 14:54:46
簡單的NPN二極管連接反向擊穿特性降低二極管的有效正向電壓VBE 乘法器電路
2021-01-11 07:16:39
偏壓（沒有大到克服勢壘）就能使載流子具有足夠的能量可以通過耗盡層。這種情形叫作載流子穿透勢壘的隧道效應(yīng)。隧道二極管就是利用這種特性制成的。（a）隧道二極管的電路符號；（b）等效電路；（c）伏安特性曲線隧
2018-01-23 11:51:47
的不同。這種電壓范圍決定了ESD器件能保護的電路節(jié)點類型。雙向ESD靜電二極管具有相對于零伏電壓的對稱特性。雙向ESD器件最適合保護電壓基于零伏對稱或雙向的電路節(jié)點。單向ESD二極管產(chǎn)品具有相對零伏
2022-06-08 17:06:58
如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內(nèi)部二極管”。對于MOSFET來說，體二極管的性能是重要的參數(shù)之一，在應(yīng)用中使用時，其性能發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
2023-02-24 11:47:40
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SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:071115 
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