在驅動MOS管時，我們希望給到MOS管柵極是標準的電壓方波波形，但是在實際情況下，我們在測得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。
2023-06-25 14:26:26
2112 
上一篇文章我們介紹過，為了使MOS管完全導通，需要盡量提高柵極的驅動電流。那是不是柵極驅動電流越大越好呢，即驅動電路的內阻越小越好？
2023-08-14 09:34:182447 
前一段時間有個兄弟問了個問題，把我問住了，問題是這個： 如上圖，串聯(lián)的電阻R1到底是放在靠近IC端，還是靠近MOS端？（注意，圖中的L1是走線寄生電感，并不是這里放了個電感器件） 我們具體溝通的情況
2023-09-26 16:51:26646 
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅動時柵極很容易發(fā)生諧振，常采用的辦法是在柵極串接一個小電阻，我想問為什么電阻可以抑制振蕩？請眾位大神解釋原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
大功率電源的PFC電路中，根據(jù)MOS管的Qg和導通時間計算柵極驅動電流約5A。按照一般的說法，如果驅動電流設計的太大，會引起電壓過沖和振蕩，除此之外，還會有什么不利后果？會損壞MOS管嗎？根據(jù)經(jīng)驗一般最大在多少A比較好？謝謝指教！
2022-05-05 23:01:18
MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞)，又因
2017-06-01 15:59:30
柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。靜電放電形成的是短時大電流，放電脈沖的時間常數(shù)遠小于器件散熱的時間常數(shù)。因此，當靜電放電電流通過面積很小
2016-07-21 10:55:02
的順著MOS管驅動器的回路到地。而且，這個電阻也會讓正常的MOS管關閉的更加迅速?！ 〉牵荒苷f關斷速度越快越好，我們的實際應用中，驅動器到MOS管柵極的走線以及MOS管的輸出所接的負載或多或少都會
2023-03-15 16:55:58
的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流輸入電阻RGS ·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比 ·這一特性有時以流過柵極的柵流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超過1010
2012-08-15 21:08:49
1、首先看一個普通SOT-23封裝mos管的開關參數(shù)Qg表示MOS管開關導通時柵極需要的總的電荷量，這個參數(shù)直接反應mos管的開關速度，越小的話MOS管的開關速度就越快。
2021-10-29 08:10:05
三極管放大好理解，輸入電流被放大，波形相位都保持不變，峰峰值變大。但是MOS管放大我就不理解了，柵極絕緣沒有電流流入，那么他放大的是什么呢？看起來MOS管只是由柵極電壓控制的一個開關，或者說是由柵極電壓控制一個可變電阻。請前輩們來解答疑惑
2020-03-04 14:22:43
的等效模型(以我最熟悉的N-MOS管舉例)。給大家介紹幾個必須掌握的名詞VDSS:漏極于源極之間所施加的最大電壓值。VGSS:柵極與源極之間所能施加的最大電壓值。IDC:漏極允許通過的最大直流電流值。Tch:MOS管的溝道的上限溫度熱阻：表示熱傳導的難易程度，熱阻值越小，散熱性能越好。IDSS:漏極
2021-07-05 06:47:47
，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 2.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時以流過柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω?！ ?.漏源擊穿
2018-11-20 14:06:31
～3V?！ ?.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時以流過柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。 3.漏源擊穿電壓BVDS 在VGS=0
2018-11-20 14:10:23
嗎，為什么？2、導通之后，三極管基極和MOS管柵極的電流幾乎一樣，而且是pf級別的，非常小。所以具體過程是不是剛開始MOS柵極電流很大，等到MOS管完全導通后柵極電流就變小，但為什么這個電流會變小呢？
2021-04-27 12:03:09
MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發(fā)生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關應用中，MOS管的開關速度比三極管快。
2023-03-12 05:16:04
MOS管的開關電路中柵極電阻R5和柵源極級間電阻R6是怎么計算的？在這個電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開關電路是怎么計算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管?！ ∩线呎f的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的余量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小
2019-02-14 11:35:54
有一定的余量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小。現(xiàn)在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域里，但在12V汽車電子系統(tǒng)里，一般4V導通就夠用了。MOS管的驅動電路及其損失，可以
2011-11-07 15:56:56
一般認為MOSFET是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS的G S兩級之間有結電容存在，這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話， MOS管 開關速度越快越好
2021-11-12 08:20:58
，發(fā)熱也會增大，極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關的基礎知識。1.MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-03 07:00:00
，發(fā)熱也會增大，極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關的基礎知識。1.MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-05 08:00:00
，發(fā)熱也會增大，極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關的基礎知識。1.MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-05 07:30:00
MOS管用于開關電路時候G極有必要串聯(lián)電阻嗎？我用N溝道的，另外還需要接下拉電阻嗎？下拉電阻接多少歐姆合適？還有G極串多少歐姆電阻合適？我項目是通過單片機IO口PWM輸出信號控制MOS管的G極，請問單片機IO口到MOS管G極串電阻和不串電阻有什么區(qū)別？越詳細越好。
2017-04-20 10:42:01
老規(guī)矩先放結論：與反向并聯(lián)的二極管一同構成硬件死區(qū)電路形如：驅動電路電壓源為mos結電容充電時經(jīng)過柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長了柵極電容兩端電壓達到mos管開啟電壓的速度；結電容放電時經(jīng)
2021-11-16 08:27:47
關于mos管的驅動知識點不看肯定后悔柵極電阻的作用是什么？
2021-09-18 09:17:37
本帖最后由 QWE4562009 于 2020-5-19 13:57 編輯
電阻和MOS串聯(lián)再和另一個電阻并聯(lián)問題如果是這樣導通電壓不需要考慮不過增加了新的問題G點電壓可能會影響到S端 從而
2020-05-15 10:01:27
)：290NS工作溫度：-55~+150℃引線數(shù)量：3 1、去掉連接6N60柵極和源極的電阻，萬用表紅黑表筆不變。如果去掉電阻后針逐漸恢復到高阻或無窮大，則MOS管就漏電，不變則完好。2、然后用一根導線
2021-10-23 15:15:38
全橋逆變后接的是容性負載，全橋的高壓是220v整流的，驅動是用的ir21834做的 自舉電容是用的1uf快速二極管用的是rf107mos管耐壓是500v 電流8a 全橋逆變接容性負載工作大概3分鐘mos管的漏極和柵極通了且mos管的封轉裂了 是由于負載引起的過熱還是什么其他原因
2015-01-30 00:35:51
，就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了mos芯片能承受的最大導通電流（當然和其它因素有關，最有關的是熱阻）。內阻越小承受電流越大（因為發(fā)熱小）。Mos問題遠沒這么簡單，麻煩在它的柵極和源級間，源級和漏
2019-07-26 07:00:00
～200K電阻連接于柵極和漏極，如圖5-4所示；這時表針指示歐姆數(shù)應該越小越好，一般能指示到0歐姆，這時是正電荷通過100K電阻對MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極電場，由于電場產(chǎn)生導致導電溝道致使漏極和源極導
2012-08-09 14:45:18
如圖所示，為什么要串聯(lián)一個電感呢？這么做不會減慢MOS管的打開速度嗎，或許還有什么作用？
2019-01-12 13:44:13
和源極是絕緣的，所以柵極上無需串聯(lián)電阻進行限流?！ ∠喾矗紤]到MOS管柵極存在的寄生電容，為了加快MOS管導通和截止的速度，降低MOS管在導通和截止過程中的損耗，它的柵極上的等效電阻應該越小越好
2023-03-10 15:06:47
1. 什么是MOS管？MOS管是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的簡稱。1.1 如何判斷MOS管的G柵極、D漏極、S源極?（1）引腳一般如上圖所示。（2）萬用表測量，方法如下S源極與D漏極之間應該有
2021-12-31 06:20:08
，并聯(lián)復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻?！ 。?）結型MOS管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型MOS管在不使用時，由于它的輸入電阻非常高，須將各
2020-06-28 16:41:02
有兩個MOS管串聯(lián)，起到雙向導通截止作用，左右兩邊是電池和電源。驅動用tlp250這樣可以嗎，如果可以，那電池電源和驅動的電源需要隔離還是共地也可以。
2017-11-08 16:07:52
不能用。 保持上述狀態(tài)；此時用一只100K～200K電阻連接于柵極和漏極，如下圖所示；這時表針指示歐姆數(shù)應該越小越好，一般能指示到0歐姆，這時是正電荷通過100K電阻對MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極
2018-11-01 15:21:31
我們經(jīng)?？吹剑陔娫措娐分?，功率MOS管的G極經(jīng)常會串聯(lián)一個小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個電阻用什么作用呢？ 如上圖開關電源，G串聯(lián)電阻R13這個電阻的作用有2個作用：限制G極電流，抑制振蕩。限制G極電流MOS管是由電壓驅動的，是以G級電流很小，但是因為寄生電容的存在，在MO...
2021-11-12 08:20:11
都怕靜電； Mos開關原理（簡要）：Mos是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內阻，就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了mos芯片
2020-06-26 13:11:45
兩個mos管，第一個MOS管柵極接單片機io口，通過io口控制通斷繼而控制第二個mos管通斷，開關頻率要求不高，對開關時間和導通電阻有要求，開關時間和導通電阻都要盡可能小，有沒有推薦的電路圖和MOS管，圖片是我畫的簡單示意圖
2018-10-16 22:40:53
在保護電路中三極管的放大倍數(shù)是越大越好還是越小越好呢？
2023-05-05 17:57:03
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因。
2023-03-15 17:28:37
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
（因為我在做電機時候，逆變橋用自舉驅動MOS管是要GND網(wǎng)絡的，不知道這個是否需要），我有個想法就是不需要此GND網(wǎng)絡，但是在柵極和源極之間需要并個大電阻，不知這樣是否可行。
2020-11-11 20:39:43
，實際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長，分布電感電容加大，對于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說明MOS管的應用。并聯(lián)的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅動電阻，每個MOS管都由獨立
2018-10-12 16:47:54
利用MOS 管實現(xiàn)串聯(lián)電阻以消除補償電容帶來的低頻零點，通過高 輸出阻抗鏡像電流鏡增大了電路的增益，并用共源共柵電流源為電路提供偏置電流以減小電 源電壓的變化對偏置電流影響。
2021-04-22 06:17:30
MOS管簡單模型MOS管帶載能力與漏源電流和內阻息息相關。漏源電流越大，內阻越小，帶載能力越強。分析如下:MOSFET在導通之后，其特性可以近似認為是一個電阻，VCC→RDS(on) →RL→GND
2023-02-16 15:21:14
維修過程中的攔路虎，如何區(qū)分和判斷成為必要手段。MOS管和IGBT管的辨別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管的識別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管它們的柵極位置一樣
2019-05-02 22:43:32
一個LC振蕩電路，如果直接把驅動芯片的輸出端接到MOS管柵極的話，在PWM波的上升下降沿會產(chǎn)生很大的震蕩，導致MOS管急劇發(fā)熱甚至爆炸，一般的解決方法是在柵極串聯(lián)10歐左右的電阻，降低LC振蕩電路的Q
2019-04-29 08:00:00
怎樣去計算MOS管柵極的驅動電流呢？如何對MOS管的驅動波形進行測試呢？
2021-09-28 07:36:15
1、溝道 上面圖中，下邊的p型中間一個窄長條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導通后是電阻特性，因此它的一個重要參數(shù)就是導通電阻，選用MOS管必須清楚這個參數(shù)是否符合需求
2019-01-03 13:43:48
是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的余量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小。現(xiàn)在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域，但在12V汽車電子系統(tǒng)里，一般4V導通就夠用
2018-12-03 14:43:36
無線收發(fā)模塊體積真的是越小越好么？無線收發(fā)模塊傳輸距離越遠越好么？
2021-07-14 07:40:08
開關MOS管與線性MOS管的區(qū)別，1.是不是開關MOS管的只有“開”與“關”2種狀態(tài)？2.是不是線性MOS管可以利用柵極的電壓大小來控制導通的比率?3.開關的MOS管是使用數(shù)字信號控制。而線性的MOS管使用模擬信號控制？
2023-03-15 11:51:44
，實際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長，分布電感電容加大，對于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說明MOS管的應用。并聯(lián)的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅動電阻，每個MOS管都由獨立
2018-11-28 12:08:27
對MOS管是有害的。如果必須在MOS管柵極前加齊納二極管,那么可以在MOS管的柵極和齊納極管之間插入一個5~10歐的小電阻或在柵源之間接一個小電容(電容值要小于MOS管輸入電容的1/50)來消除自振蕩
2018-10-19 16:21:14
，或者有可能造成功率管遭受過高的di／dt而引起誤導通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，通常在MOS驅動器的輸出與MOS管的柵極之間串聯(lián)一個電阻，電阻的大小一般選取幾十歐姆?！ ?)防止柵源極間過電壓，由于柵極與源
2018-12-10 14:59:16
外界或驅動電路損壞超過允許最高電壓（柵極電壓一般需低于20v安全）以及靜電損壞?！ ?、MOS管的開關原理（簡要） MOS管是電壓驅動型器件，只要柵極G和源級S間給一個適當電壓，源級S和漏級D間導電
2019-02-28 10:53:29
濕敏電阻的特征阻抗，越大越好還是越小越好？ 在制程上是如何達成的？
2022-08-29 13:52:01
為0，此時mos管柵極電壓變?yōu)?6.3V（正常情況下，AI+輸入0時，柵極電壓受ref反偏影響在-3v左右），即使再次給定AI+AI-至50a電流的給定值，mos管仍無法開通，柵極電壓仍維持在-6.3v。請大家?guī)兔Ψ治鱿率裁丛?？謝謝
2018-08-22 11:27:10
Rg具體會影響到那些參數(shù)？我個人的理解是①這個電阻對MOS管的開關頻率有關，決定了對mos管的輸入輸出電容的充放電時間②匹配集成驅動的驅動能力，電阻越到，集成驅動所需的最大驅動電流也就越小。大家有什么看法，請教一下
2017-06-05 11:28:22
這個是一個升壓電路的部分電路，6腳PWM輸出控制N-MOS，我仿真發(fā)現(xiàn)不同的柵極電阻R6，PWM經(jīng)過R6后，波形失真很嚴重，請問這個R6是如何影響到后級波形，圖中灰色的代表PWM輸出，黃色代表經(jīng)過R6后的柵極門波形
2017-08-11 10:24:02
MOS管柵極接的100K電阻起什么作用，這個電阻取值是的依據(jù)是什么。
2018-10-24 15:51:49
文章介紹了MOS管柵極電阻會影響開通和關斷時的損耗，應該選用多大阻值的呢？
2016-05-06 16:57:53
35 功率MOS管的G極經(jīng)常會串聯(lián)一個小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個電阻有什么用呢？
2019-06-28 08:29:0733437 
我們經(jīng)?？吹?，在電源電路中，功率MOS管的G極經(jīng)常會串聯(lián)一個小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個電阻用什么作用呢？ 如上圖開關電源，G串聯(lián)電阻R13 這個電阻的作用有2個作用：限制G極電流，抑制
2020-03-13 11:24:257832 
本文主要闡述了萬用表測接地電阻方法，另外還分析了接地電阻為什么越小越好。
2020-03-19 08:57:5517830 我們經(jīng)?？吹?，在電源電路中，功率MOS管的G極經(jīng)常會串聯(lián)一個小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個電阻用什么作用呢？ 如上圖開關電源，G串聯(lián)電阻R13這個電阻的作用有2個作用：限制G極電流，抑制振蕩。限制G極電流MOS管是由電壓驅動的，是以G級電流很小，但是因為寄生電容的存在，在MO...
2021-11-07 12:50:5930 芯片為什么越小越好，首先我們需要了解芯片的工作原理及制成，目前大多數(shù)芯片都是由微型硅晶體管制成的，這些晶體管的尺寸非常小，一個芯片上有數(shù)百個晶體管。
2022-07-05 16:48:5124952 在一周前看到在公眾號“電機控制設計加油站”的一篇推文，“Why 100Ω? 較真的教授發(fā)現(xiàn)簡單結論背后不簡單的問題”（點擊加黑文字可以跳轉到該推文），對MOSFET管柵極為什么放置“一個約100Ω串聯(lián)電阻”進行討論。
2022-07-25 10:09:142929 MOS管也可以沒有柵極電阻的情況下工作，但添加一個柵極電阻可以防止一些潛在的問題。一般為1000 Ω就可以。
2022-07-29 16:18:324159 在了解mos管柵極電阻的作用之前，我們先了解一下mos管柵極及其他2個極的基礎知識。場效應管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用
2022-09-27 15:29:507349 如果沒有柵極電阻，或者電阻阻值太小MOS導通速度過快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。
2022-10-27 09:41:296054 1、如果沒有柵極電阻，或者電阻阻值太小 ? MOS導通速度過快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。 ? ? 2、柵極電阻阻值過大 ? MOS管導通時，Rds會從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆
2022-11-04 13:37:245049 在高壓下，PCB的設計也需要注意。柵極電阻最好緊靠柵極，并且導線不要與母線電壓平行分布。否則母線高壓容易耦合至下方導線，柵極電壓過高擊穿MOS管。
2023-01-10 11:33:55690 MOS管，又叫絕緣柵型場效應管，屬于電壓控制電流型元件，是開關電路中的基本元件。其特點是柵極（G）的內阻極高。場
效應管分為P型和N型，P型場效應管由于跨導小、閾值電壓高等原因，已經(jīng)逐漸被NMOS所取代。
2023-03-20 11:21:432 吉事勵電壓源要求電阻越小，電源越好，電流源要求內阻越高越好
1、在分析和求解復雜電路時，我們需要將有功電路轉換為理想電源。實際電源的主要參數(shù)是內部電阻和電動勢。理想電源有兩種
2021-03-22 10:14:345221 
的正向電壓越小，其性能越好的原因如下。 首先，正向電壓越小，器件的正向導通能力越強。當二極管正向導通時，其表現(xiàn)為低電阻，這時器件內部形成一個穩(wěn)定的電壓，即正向壓降，使電流能夠穩(wěn)定地通過器件。如果正向電壓過大，
2023-10-18 16:54:01713 元器件越小越好嗎？
2023-12-14 18:32:28282 
電感作為電子電路中非常重要的一種電子元器件，它在電路中的作用是其他電子元器件無可替代的。電感對于整個電路的運行有著非常直接的影響。很多人好奇，電感究竟是越大越好，還是越小越好。本篇我們就來簡單探討
2023-12-25 08:52:28518
正在加载...
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論