近日,德州儀器 (TI) 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:111115 通訊應(yīng)用使用基于半橋、全橋或同步降壓功率拓?fù)涞碾娫茨K。這些拓?fù)涫褂酶咝阅?b class="flag-6" style="color: red">半橋驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高頻操作和高效率。半橋柵極驅(qū)動(dòng)器采用的技術(shù)已在業(yè)界成功應(yīng)用了數(shù)十年,UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
開關(guān)頻率(高達(dá) 100kHz)支持以最低的電流紋波驅(qū)動(dòng)低電感電機(jī)帶有集成型柵極驅(qū)動(dòng)器的 600V 和 12A LMG3410 GaN FET 可減小 PCB 外形尺寸并降低布局復(fù)雜度極速開關(guān)轉(zhuǎn)換(小于
2018-10-31 17:33:14
國(guó)際整流器公司推出堅(jiān)固型600 V三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC,主要應(yīng)用于包括永磁電機(jī)驅(qū)動(dòng)的家電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、微型變頻器驅(qū)動(dòng)和電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)等在內(nèi)的高、中和低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2016-06-21 18:20:36
IR21094采用14腳封裝。驅(qū)動(dòng)級(jí)工作電壓600V,柵極驅(qū)動(dòng)電壓10-20V,前級(jí)最高工作電壓25V。
2021-04-14 08:05:22
IR2109采用8腳封裝。驅(qū)動(dòng)級(jí)工作電壓600V,柵極驅(qū)動(dòng)電壓10-20V,前級(jí)最高工作電壓25V。
2021-04-16 06:12:23
準(zhǔn)備用IR2153設(shè)計(jì)一個(gè)靜電發(fā)生器 基本原理圖如下IR2153組成一個(gè)半橋逆變電路來驅(qū)動(dòng)高壓包原邊,高壓包幅邊接倍壓整流電路將電壓放大到目標(biāo)電壓 圖中HV是高壓包的原邊的輸入電壓,由工頻變壓器整流
2019-04-08 11:56:28
的最終驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。該緩沖器可集成在隔離器封裝內(nèi),也可部署在封裝外。高壓電平轉(zhuǎn)換器使用上拉結(jié)構(gòu)將時(shí)序數(shù)據(jù)傳送至高端,可處理高達(dá)幾百V的電壓。如果半橋電壓發(fā)生負(fù)振鈴,則高壓電平轉(zhuǎn)換器可能會(huì)閂鎖,而數(shù)字隔離器或
2018-10-16 13:52:11
啟動(dòng)波形異常,電壓升高時(shí)MOS管損壞,另外我把ST900V的管子(即800V板子所用的管子)用在1200的板子上,也可以跑到800V時(shí),換成1500V的管子600V都跑不上去,這是最不能理解的。兩橋臂
2022-01-14 17:28:17
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
如果控制側(cè)涉及到人的活動(dòng),那么高功率側(cè)和低電壓控制電路之間需要電流隔離。它能防范高壓側(cè)的任何故障,因?yàn)楸M管有元件損壞或失效,隔離柵仍會(huì)阻止電力到達(dá)用戶。圖6.采用ADuM4121隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的半橋
2021-07-09 07:00:00
產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗,要求具備較短的開關(guān)時(shí)間。然而,快速開關(guān)同時(shí)隱含著高壓瞬變的危險(xiǎn),這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此,需要為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器,還需要執(zhí)行提供
2021-11-11 07:00:00
值得一看的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2016-06-22 18:23:20
CK5G14 在同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 250V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,特別適合于三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)。芯片內(nèi)置了死區(qū)時(shí)間和上下管直通保護(hù),非常有效地阻止半橋
2022-01-04 14:16:57
隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案選項(xiàng)最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案
2021-03-08 07:53:35
電路、休眠模式、故障報(bào)告和一個(gè)比較器。單電源支持廣泛的8-V至60-V范圍,使其非常適合電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用?! 」δ芸驁D 特性描述 輸出級(jí) DRV8313包含三個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)程序。所有三個(gè)半
2020-07-10 14:23:52
1. 特性? 雙管正激電源 600V 高壓驅(qū)動(dòng)? 高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)? HIN、LIN 適應(yīng) 0-20V 輸入電壓? 小于 1uA 靜態(tài)電流? 最高頻率支持 500KHZ? 低端 VCC 電壓范圍
2022-09-09 16:21:19
及輸出驅(qū)動(dòng)電路,專用于無(wú)刷電機(jī)控制器、電源 DC-DC 中的驅(qū)動(dòng)電路。EG2106 高端的工作電壓可達(dá) 600V,低端 Vcc 的電源電壓范圍寬 10V~20V。該芯片輸入通道 HIN 內(nèi)建了一個(gè)
2022-09-13 13:22:59
FAN73832 是一款半橋、柵極驅(qū)動(dòng) IC,帶關(guān)斷和可編程死區(qū)時(shí)間控制功能,能驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT,工作電壓高達(dá) +600 V。飛兆的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù)可使高側(cè)驅(qū)動(dòng)器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
FAN73912MX是一款單片半橋柵極驅(qū)動(dòng) IC,設(shè)計(jì)用于高壓、高速驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT,工作電壓高達(dá) +1200 V。 HIN 的先進(jìn)輸入濾波器針對(duì)噪聲產(chǎn)生的短脈沖輸入信號(hào)提供保護(hù)功能
2021-12-20 09:19:25
能力和最低交叉?zhèn)鲗?dǎo)。Fairchild 的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù)可使高側(cè)驅(qū)動(dòng)器在高 dv/dt 噪聲環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。先進(jìn)的電平轉(zhuǎn)換電路,能使高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓在 VBS=15 V 時(shí)高達(dá) VS
2022-01-18 10:43:31
對(duì)這些寄生效應(yīng)進(jìn)行優(yōu)化可以減少該問題,并且以高于100V/ns的高壓擺率實(shí)現(xiàn)出色的開關(guān)性能。圖1. 由獨(dú)立封裝內(nèi)的驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)的GaN器件 (a);一個(gè)集成GaN/驅(qū)動(dòng)器封裝 (b)。圖2.用于仿真的半橋
2018-08-30 15:28:30
概述:IR2111是International Rectifier公司生產(chǎn)的一款半橋驅(qū)動(dòng)器,它為雙列直插或貼片8腳封裝。驅(qū)動(dòng)電壓10-20V,電流(IO+/-)200 mA /420 mA。
2021-05-19 07:43:22
MOS柵極驅(qū)動(dòng)能力及最高600V工作電壓下,可提供200mA/300mA的驅(qū)動(dòng)電流。它有三個(gè)互相獨(dú)立的高邊和低邊輸出通路以及全保護(hù)功能。此外還有一個(gè)用于PFC 或 Brake IGBT驅(qū)動(dòng)的低邊驅(qū)動(dòng)器
2021-05-18 07:25:34
IRS26302D:保護(hù)式600V三相柵極驅(qū)動(dòng)器
2016-06-21 18:26:25
/小型及通用變頻器等電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的單相高壓IC (HVIC) 系列 IRS260xD。 IRS260xD系列高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器可以10V 至20V的柵極驅(qū)動(dòng)電源電壓提供可選的依賴或
2008-11-13 20:40:15
■ 產(chǎn)品概述LN4318 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的 250V高壓三相柵極驅(qū)動(dòng)器,具有三路獨(dú)立的高低邊輸出,可以用來驅(qū)動(dòng)半橋電路中的高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4318
2021-06-30 10:07:13
/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封裝形式,給方案設(shè)計(jì)帶來更多的選擇。半橋/全橋轉(zhuǎn)換器同步降壓、升降壓拓?fù)潆娮訜?、無(wú)線充 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電源電壓工作范圍為 4.5V
2022-01-12 13:39:25
,MP18851可為各種電源應(yīng)用提供高效率、高功率密度和穩(wěn)健的解決方案。MP18851將雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝中。每個(gè)輸出都可以分別接地或連接至正負(fù)參考電壓。副邊拓?fù)淇膳渲脼橛蓛蓚€(gè)獨(dú)立輸入信號(hào)控制的半橋高
2022-09-30 13:47:21
確保高壓側(cè)電源開關(guān)的正確驅(qū)動(dòng)。驅(qū)動(dòng)器使用2個(gè)獨(dú)立輸入。特性:高壓范圍:高達(dá)600 VdV/dt抗擾度±50 V/nsec柵極驅(qū)動(dòng)電源范圍為10 V至20 V高和低驅(qū)動(dòng)輸出輸出源/匯電流能力250 mA
2021-11-23 13:57:47
的控制。這允許進(jìn)行高壓側(cè)、低壓側(cè)和H橋控制。H橋控制提供正向、反向、制動(dòng)和高阻抗?fàn)顟B(tài)。驅(qū)動(dòng)器通過邏輯電平輸入進(jìn)行控制。特性:?睡眠模式下的超低靜態(tài)電流?電源電壓低至5 V?2個(gè)高壓側(cè)和2個(gè)低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器
2021-12-20 14:28:27
NCP13992 是一款用于半橋諧振轉(zhuǎn)換器的高性能電流模式控制器。此控制器實(shí)施了 600 V 門極驅(qū)動(dòng)器,簡(jiǎn)化了布局,減少了外部部件數(shù)量。內(nèi)置的欠電壓輸入功能簡(jiǎn)化了該控制器在所有應(yīng)用中的實(shí)施。在需要
2022-03-03 10:36:13
具有高脈沖電流緩沖級(jí)的設(shè)計(jì)最小驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。漂浮的通道可用于驅(qū)動(dòng)N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達(dá)600V。特性:欠壓鎖定,電壓高達(dá)600V耐負(fù)瞬態(tài)電壓,dV/dt柵極驅(qū)動(dòng)電源
2021-05-11 19:40:19
` SLM2104S 600V IGBT/MOS管半驅(qū)動(dòng)動(dòng)IC 封裝SOP8 IR2104S* VOFFSET 600 V max.* IO+/- 130 mA/270 mA* VOUT 10 V
2018-09-07 15:03:06
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅(qū)動(dòng)器專為特定的GaN FET驅(qū)動(dòng)要求而設(shè)計(jì),具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護(hù)功能
2023-09-05 06:58:54
的傳播延遲,因而不能像數(shù)字隔離器一樣實(shí)現(xiàn)通道間時(shí)序特性的匹配。另外,在單個(gè)IC封裝中同時(shí)集成柵極驅(qū)動(dòng)器和隔離機(jī)制可以最大限度地減小解決方案的尺寸。共模瞬變抗擾度在針對(duì)高壓電源的許多半橋柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中
2018-07-03 16:33:25
上。這種電隔離可以通過集成高壓微變壓器或電容器來實(shí)現(xiàn)。1, 2, 3 一次意外的系統(tǒng)故障均可導(dǎo)致功率開關(guān)甚至整個(gè)功率逆變器損壞和爆炸。因此,需要針對(duì)高功率密度逆變器研究如何安全實(shí)施柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器的隔離功能。必須測(cè)試和驗(yàn)證最壞情況下(功率開關(guān)被毀壞)隔離柵的可靠性。
2021-01-22 06:45:02
/dt 下的有源米勒鉗位的有效性以及 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器的源自可調(diào)速電氣電力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) (IEC61800-3) 的系統(tǒng)級(jí) ESD/EFT 性能。Piccolo Launch Pad
2018-12-27 11:41:40
`IRS2093設(shè)計(jì)用于50W至150W的高性能D類音頻應(yīng)用,包括家庭影院系統(tǒng)和汽車音頻放大器。IRS2093采用半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),在單顆 IC中集成了具有PWM調(diào)制器的四通道高壓高性能D類音頻放大
2011-03-05 21:49:31
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V(絕對(duì)最大值)的高壓(HV)軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
驅(qū)動(dòng)半橋配置中的并聯(lián) IGBT。并聯(lián) IGBT 在柵極驅(qū)動(dòng)器級(jí)(驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度不足)以及系統(tǒng)級(jí)均會(huì)帶來挑戰(zhàn):難以在兩個(gè) IGBT 中保持相等電流分布的同時(shí)確保更快的導(dǎo)通和關(guān)斷。此參考設(shè)計(jì)使用增強(qiáng)型隔離式
2018-12-07 14:05:13
電平轉(zhuǎn)換所需要的電荷(對(duì)于600V的半橋驅(qū)動(dòng)器,該參數(shù)通常為5nC) 系統(tǒng)可靠性設(shè)計(jì) 由于直流電機(jī)是感性負(fù)載,因此當(dāng)Q1關(guān)斷時(shí),負(fù)載的電流不能突變,會(huì)轉(zhuǎn)換到由Q2的續(xù)流二極管進(jìn)行續(xù)流。由于在Q2的源
2018-09-27 15:06:25
來設(shè)置單極或雙極 PWM 柵極驅(qū)動(dòng)器延遲時(shí)間短,上升和下降時(shí)間短提供用于驅(qū)動(dòng)半橋的信號(hào)和電源反激式恒定導(dǎo)通時(shí)間,無(wú)需環(huán)路補(bǔ)償可以在 24V±20% 范圍內(nèi)寬松調(diào)節(jié)輸入此電路設(shè)計(jì)經(jīng)過測(cè)試并包含測(cè)試結(jié)果
2018-12-21 11:39:19
現(xiàn)在需要一反向耐壓值為600V,電流為3A的整流橋作為開關(guān)電源的整流器,但是,這個(gè)高壓整流橋的壓降大,這樣引起的功耗就大,由于對(duì)開關(guān)電源的效率有要求,請(qǐng)問有什么辦法可以降低整流橋的功耗嗎?或者,有低壓降的高壓整流橋推薦嗎?
2014-05-13 19:53:40
闡述這些設(shè)計(jì)理念,以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動(dòng)器(如圖1所示)以極性相反的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
集成電路,具有更高的效率。高壓柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路(圖1)會(huì)增加電平轉(zhuǎn)換電路中的傳播延遲,因而不能像數(shù)字隔離器一樣實(shí)現(xiàn)通道間時(shí)序特性的匹配。在數(shù)字隔離器中集成柵極驅(qū)動(dòng)器,可使解決方案的尺寸降至單封裝級(jí),從而
2018-10-16 16:00:23
展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動(dòng)器(如圖1所示)以極性相反的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極,由此來控制
2018-09-26 09:57:10
軟啟動(dòng)保護(hù)和掉電保護(hù)? 帶高壓線電壓保護(hù)? 600V 軌兼容的高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器? -0.3A/0.8A 高側(cè)和低側(cè)門極驅(qū)動(dòng)? 封裝形式:SOP16L2. 描述EG6599 是一款專用于諧振半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的雙端
2022-09-15 13:50:21
FD6288T&Q 是一款集成了三個(gè)獨(dú)立的半橋柵極驅(qū)動(dòng)集成電路芯片,專為高壓、高速驅(qū)動(dòng) MOSFET 設(shè)計(jì),可在高達(dá)+250V 電壓下工作。FD6288T&Q 內(nèi)置 VCC/VBS
2021-06-30 11:48:09
/ dt共模瞬變干擾能力,使其能夠防止耗能的雜散開關(guān)操作。這些器件內(nèi)置1700V電氣隔離功能,可以降低消費(fèi)級(jí)或工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、600V或1200V變頻器、DC / DC轉(zhuǎn)換器、充電器、電焊機(jī)、感應(yīng)爐
2018-08-06 14:37:25
HiperLCS是一款集成了多功能控制器、高壓端和低壓端柵極驅(qū)動(dòng)以及兩個(gè)功率MOSFET的LLC半橋功率級(jí)。圖1(上)所示為采用HiperLCS器件的功率級(jí)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖,其中LLC諧振電感集成在變壓器中
2019-03-07 14:39:44
。其在120V / ns轉(zhuǎn)換速率下,從0V升到480V,并具有小于50V的過沖。 圖1:TI 600V半橋功率級(jí)——開關(guān)波形(a);設(shè)備封裝(b);半橋板圖(c)。 GaN FET具有低端子電容,因而
2019-08-26 04:45:13
FAN7382MX 是一款單片半橋門極驅(qū)動(dòng)器集成電路 FAN7382 可以驅(qū)動(dòng)最高在 +600V 下運(yùn)行的 MOSFET 和 IGBT。高電壓工藝和共模干擾抑制技術(shù)提供了高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案TI提供專為電動(dòng)座椅設(shè)計(jì)的多電機(jī)汽車柵極驅(qū)動(dòng)器。DRV8714-Q1和DRV8718-Q1的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器分別具有四個(gè)通道和八個(gè)通道。它們集成了電荷泵、電流檢測(cè)放大器和可用于多個(gè)負(fù)載
2022-11-03 07:05:16
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案,可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源,其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng) N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內(nèi)置 VCC 和 VB 欠壓(UVLO)保護(hù)功能,防止功率管在過低的電壓下工作。 FD2606S 邏輯輸入兼容 TTL 和 CMOS(低至 3.3V),方便與控制設(shè)備接口。該驅(qū)動(dòng)器輸出具有最小驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo)的高脈沖電流緩沖設(shè)計(jì)。
2021-09-14 07:29:33
各位大大,最近在做雙向逆變,想問一下用2變比的高頻變壓器,高壓側(cè)600V降壓到300v,升壓的時(shí)候可以從300V升壓超過600V嗎,有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側(cè)輸入的電壓,請(qǐng)問有懂這個(gè)的能說一下能實(shí)現(xiàn)升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
和填充的設(shè)計(jì),包括一個(gè)基于600V IGBT SLLIMM(小型低損耗智能模塑模塊)的三相逆變橋,采用SDIP 38L封裝,安裝在散熱器上。 STGIPL14K60集成了:高壓,短路堅(jiān)固的IGBT和高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,具有集成運(yùn)算放大器等先進(jìn)功能,適用于高級(jí)電流檢測(cè)
2020-05-29 16:34:29
L6390,用于工業(yè)應(yīng)用的高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。三相功率級(jí)三L6390半橋柵極驅(qū)動(dòng)器之一的應(yīng)用電路
2019-07-08 12:28:25
Portfolio系統(tǒng),跨越12v 到80v 的范圍往往需要一個(gè)司機(jī)與較高的供應(yīng)額定值,支持高功率18v 鉆頭和80v 割草機(jī)。雖然選擇合適的集成三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是有限的,一套有能力的100伏半橋可以
2022-04-14 14:43:07
驅(qū)動(dòng)器,特別適合于三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)。芯片內(nèi)置了死區(qū)時(shí)間和上下管直通保護(hù),非常有效地阻止半橋電路損壞。為了防止因芯片工作在較低的電源電壓而對(duì)功率管產(chǎn)生損害
2019-12-06 13:13:21
有大神知道不用集成芯片搭建半橋驅(qū)動(dòng)器的套路嗎?最近看電瓶車控制器里的驅(qū)動(dòng)模塊沒有類似半橋驅(qū)動(dòng)器的芯片,應(yīng)該是自己搭建的,網(wǎng)上看了看也沒有類似的東西,來請(qǐng)教一下
2017-01-14 18:03:50
請(qǐng)問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)?
2021-06-17 06:45:48
國(guó)際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路(HVIC)。這19款新型HVIC采用半橋設(shè)計(jì),配有高端和低端驅(qū)動(dòng)器,可廣泛適用于包括馬達(dá)控制、照明、開關(guān)電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器無(wú)重疊保護(hù)MP18871脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入半橋柵極驅(qū)動(dòng)器重疊保護(hù)、可調(diào)死區(qū)時(shí)間MP18831MP18831 在單個(gè)封裝中集成了雙輸入柵極驅(qū)動(dòng)器,并具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間。 當(dāng)兩個(gè)輸入同時(shí)
2022-09-30 14:05:41
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
通道的器件,此規(guī)格的表述方式相同,但被稱為通道間偏斜。傳播延遲偏斜通常不能在控制電路中予以補(bǔ)償。圖6顯示了ADuM4121柵極驅(qū)動(dòng)器的典型設(shè)置,其結(jié)合功率MOSFET使用,采用半橋配置,適合電源和電機(jī)
2018-10-25 10:22:56
6顯示了ADuM4121柵極驅(qū)動(dòng)器的典型設(shè)置,其結(jié)合功率MOSFET使用,采用半橋配置,適合電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。在這種設(shè)置中,如果Q1和Q2同時(shí)導(dǎo)通,有可能因?yàn)殡娫春徒拥匾_短路而發(fā)生直通。這可
2018-11-01 11:35:35
,低側(cè)FET導(dǎo)通并開始通過其通道導(dǎo)通。相同的原理適用于通常在DC / DC電源和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中發(fā)現(xiàn)的其它同步半橋配置。負(fù)責(zé)高速接通的一個(gè)重要的柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)是導(dǎo)通傳播延遲。這是在柵極驅(qū)動(dòng)器的輸入端
2019-03-08 06:45:10
4-A、600V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-14 14:43:05
4-A、600V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-20 15:04:53
TF2183(4)M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道
2023-02-27 17:04:43
高壓浮動(dòng)MOS柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(應(yīng)用手冊(cè)):高壓側(cè)器件的柵極驅(qū)動(dòng)要求,典型MOS柵極驅(qū)動(dòng)器(MGD)的框圖,自舉工作原理,如何選擇自舉元件等內(nèi)容。
2010-01-04 17:17:5787 TF2184是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2184的高側(cè)能夠在引導(dǎo)
2023-06-25 16:25:20
TF2103M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2103M高側(cè)切換到600V的引導(dǎo)操作
2023-06-25 16:39:30
TF2104M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2104M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-06-26 09:27:41
TF21844M是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和IGBT。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF21844M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切換到600V
2023-06-26 15:00:48
TF2304M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2304M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-06-26 15:48:29
TF2136M是一種三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC,設(shè)計(jì)用于高壓、高速應(yīng)用,驅(qū)動(dòng)半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF2136M高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-07-04 10:46:50
TF21364M是一種三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC,設(shè)計(jì)用于高壓、高速應(yīng)用,驅(qū)動(dòng)半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF21364M高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-07-04 10:59:30
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)SA2601矽塔科技600V單相半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片SOP8,原裝現(xiàn)貨 半橋柵極動(dòng)心片.半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片是一種用于驅(qū)動(dòng)半橋功率器件(例如電力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
IR上市600V耐壓的車載設(shè)備用柵極驅(qū)動(dòng)IC
美國(guó)國(guó)際整流器公司(IR)上市了+600V耐壓的車載設(shè)備用柵極驅(qū)動(dòng)IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32876 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC,適用于電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的車用高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2011-10-21 09:45:211669 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器,可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 高壓Gatedriver 600V工藝,替代IR2103,替代FD2503,替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233 高壓Gatedriver 600V工藝,替代IR2104,替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346 三相驅(qū)動(dòng)器(如三相600V單芯片柵極驅(qū)動(dòng)器STDRIVE601)的易用性、可用性和經(jīng)濟(jì)性是這一發(fā)展的主要原因所在。STDRIVE601具有穩(wěn)健性、簡(jiǎn)單性和節(jié)省成本的特點(diǎn),同時(shí)可確保系統(tǒng)受保護(hù)并提供安全功能。
2020-12-24 17:51:54694 關(guān)于高壓柵極驅(qū)動(dòng)器自舉電路設(shè)計(jì)方法介紹。
2021-06-19 10:14:0476 圖1所示電路顯示了一個(gè)電路,其中低壓微控制器與高壓域(包括輸出開關(guān)及其柵極驅(qū)動(dòng)器)電氣隔離(出于安全原因)。更快的開關(guān)速度意味著更快的開關(guān)瞬變。例如,GaN功率系統(tǒng)的開關(guān)時(shí)間通常為5ns(比傳統(tǒng)
2023-06-28 14:33:33276 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 EG8025 是一款采用電流模式、中心對(duì)齊 PWM 調(diào)制方式和內(nèi)置兩路 600V 半橋高壓 MOS 驅(qū)動(dòng)器等一體的數(shù)模結(jié)合芯片,專用于逆變器產(chǎn)品。該芯片采用 CMOS 工藝,內(nèi)部的主要模塊為
2023-09-17 12:04:51
LP9961 是一款帶有高壓半橋驅(qū)動(dòng)的全集成 LLC 控 制器。內(nèi)部實(shí)現(xiàn)了 600V 的高壓柵極驅(qū)動(dòng),使得可 以采用極簡(jiǎn)的外圍元件,就可以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的 LLC 諧振系統(tǒng)。自適應(yīng)的死區(qū)時(shí)間控制可以
2023-10-10 11:37:12
評(píng)論
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