ST推出新一代高頻功率晶體管。新產(chǎn)品可有效延長(zhǎng)如醫(yī)用掃描儀和等離子發(fā)生器等大功率射頻設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間，并可提高應(yīng)用性能及降低設(shè)備成本。
2011-05-24 08:52:48
898 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣佈推出專為諸如數(shù)位視訊廣播（DVBT）和特高頻（UHF）類比電視等UHF廣播應(yīng)用設(shè)計(jì)的BLF989射頻（RF）功率電晶體。
2018-06-07 11:43:237780 在高頻（3-30MHz）到250MHz頻率范圍內(nèi)，性能強(qiáng)大的IDEV系列能夠提供高達(dá)2.2kW的連續(xù)波（CW）輸出功率，而且只采用一個(gè)陶瓷封裝，因此減少了廣播發(fā)射機(jī)等大功率應(yīng)用所需的射頻功率晶體管的總數(shù)量。
2021-08-13 11:24:032781 
、航空航天和國(guó)防應(yīng)用提供產(chǎn)品和解決方案。高電壓、高功率、堅(jiān)固耐用的晶體管，具有無(wú)與倫比的效率和出色的熱性能。正在尋找無(wú)可爭(zhēng)議且可靠的無(wú)線電覆蓋范圍？從我們專為 0.4-1 GHz 操作而設(shè)計(jì)的完整移動(dòng)
2021-06-28 18:02:51
大功率晶體三極管的檢測(cè) 利用萬(wàn)用表檢測(cè)中、小功率三極管的極性、管型及性能的各種方法，對(duì)檢測(cè)大功率三極管來(lái)說(shuō)基本上適用。但是，由于大功率三極管的工作電流比較大，因而其PN結(jié)的面積也較大。PN結(jié)較大
2012-06-04 10:58:28
IGBT-1200A型測(cè)試儀可以測(cè)試大功率IGBT（雙極型晶體管），大功率MOS管的Vce-Ic特性曲線。在國(guó)內(nèi)電子市場(chǎng)上，魚目混珠的產(chǎn)品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假
2015-03-11 13:51:32
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
還是脈沖信號(hào)，如果產(chǎn)生的熱量得不到有效疏導(dǎo)，它們都將導(dǎo)致印制電路板(PCB)上和系統(tǒng)中的熱量積聚。防止電路熱量積聚需要一定的想象力：可以想象成熱量從一個(gè)熱源(如功率晶體管)流向一個(gè)目的地(如散熱片或
2019-07-04 06:54:03
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說(shuō)明。其中，將以近年來(lái)控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來(lái)展開。 先來(lái)看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說(shuō)明。其中，將以近年來(lái)控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來(lái)展開。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容，來(lái)看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據(jù)
2018-11-28 14:29:28
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
300V，一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號(hào)的晶體管。 3．行推動(dòng)管的選用彩色電視機(jī)中使用的行推動(dòng)管，應(yīng)選用中、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應(yīng)大于或等于10W
2012-01-28 11:27:38
鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：DU2840S產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2840S產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)?DU2840S產(chǎn)品詳情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：DU2880V產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2880V產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)
2018-08-08 11:48:47
FCI為混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車推出大功率連接器設(shè)計(jì)
2021-05-10 06:18:51
。射頻功率晶體管在許多性能上要優(yōu)于傳統(tǒng)的磁控管，包括在烹調(diào)過(guò)程中能對(duì)爐內(nèi)的射頻功率電平和射頻能量投射方向進(jìn)行更高的精度的控制。而今的微波爐對(duì)其功率電平或射頻能量的投射方向缺乏必要的有效控制能力，這將導(dǎo)致
2017-04-05 10:56:33
當(dāng)今射頻能量的最大潛在市場(chǎng)之一是在烹飪和加熱方面的應(yīng)用?，F(xiàn)在全球每年微波爐的制造產(chǎn)量遠(yuǎn)超7000 萬(wàn)臺(tái)，從低成本的消費(fèi)類產(chǎn)品到高端的專業(yè)和工業(yè)加熱爐，它的產(chǎn)品類型跨度很廣。射頻功率晶體管在許多性能
2019-07-31 06:04:54
脈沖功率。 在沒(méi)有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IGN2731M180功率晶體管IGN2731M200功率晶體管IGN2731M250功率晶體管IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 10:29:42
`IB2729M170是專為S波段ATC雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的大功率脈沖晶體管，該系統(tǒng)工作在2.7-2.9 GHz的瞬時(shí)帶寬上。 在C類模式下工作時(shí)，該通用基礎(chǔ)設(shè)備在100μs脈沖寬度和10％占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36
650W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
IGN1011L1000R2功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購(gòu)產(chǎn)臺(tái)聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:35:32
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環(huán)氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試負(fù)柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
`MACOM以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的射頻功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，支持頻率從DC到6GHz。高功率晶體管完美匹配民用航空、通訊、網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)、廣播、工業(yè)、科研和醫(yī)療領(lǐng)域。MACOM的產(chǎn)品線借助于
2017-08-14 14:41:32
，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化和加快產(chǎn)品開發(fā)，使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強(qiáng)性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢(shì)與直觀、靈活的軟件和信號(hào)控制能力相結(jié)合
2017-08-03 10:11:14
商業(yè)和軍事應(yīng)用的頻率為175兆赫。該裝置的高功率、高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻帶的固態(tài)發(fā)射機(jī)成為可能。產(chǎn)品型號(hào)：MRF151G產(chǎn)品名稱：射頻晶體管MRF151G產(chǎn)品特性保證性能在175兆赫
2018-08-08 11:32:03
頻率范圍內(nèi)的線性大信號(hào)輸出級(jí)。產(chǎn)品型號(hào)：MRF154產(chǎn)品名稱：射頻晶體管MRF154產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型MOSFET指定的50伏特，30兆赫的特性-輸出功率＝600瓦，功率增益＝17分貝（Typ），效率
2018-08-07 17:17:34
NPA1003QA射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPA1003QA報(bào)價(jià)NPA1003QA代理NPA1003QA咨詢熱線NPA1003QA現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, MACOM公司的開關(guān)
2018-09-03 12:04:40
NPT2020射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT2020報(bào)價(jià)NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, MACOM公司的開關(guān)和衰減器專用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
NPT25100P射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT25100P報(bào)價(jià)NPT25100P代理NPT25100P咨詢熱線NPT25100P現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, MACOM公司的開關(guān)
2018-09-26 08:54:30
NPTB00004D射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPTB00004D報(bào)價(jià)NPTB00004D代理NPTB00004D咨詢熱線NPTB00004D現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, MACOM公司
2018-09-26 09:31:14
NPTB00004D射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPTB00004D報(bào)價(jià)NPTB00004D代理NPTB00004D咨詢熱線NPTB00004D現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, MACOM公司
2018-09-26 09:31:14
`產(chǎn)品型號(hào)：NPTB00025B產(chǎn)品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產(chǎn)品特性針對(duì)DC-4000MHz的寬帶運(yùn)行進(jìn)行了優(yōu)化散熱增強(qiáng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)包裝100％射頻測(cè)試具有高達(dá)32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
NRT 大功率通過(guò)式射頻功率計(jì)東莞市鵬慶電子儀器有限公司地址：廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)花園新街花園中心A座聯(lián)系方式：彭女士：***（同微） 歐陽(yáng)先生：18922916056（同微） 電話
2021-08-28 15:39:22
QPD1020射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1020報(bào)價(jià)QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
R&S NRT 大功率通過(guò)式射頻功率計(jì)東莞市鵬慶電子儀器有限公司地址：廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)花園新街花園中心A座聯(lián)系方式：彭女士：***（同微） 歐陽(yáng)先生：18922916056（同微
2021-10-23 09:17:37
，該公司還將其大功率GaAs PHEMT器件的工作頻率擴(kuò)展到6GHz，可用于WiMAX放大器。最近，飛思卡爾半導(dǎo)體宣布推出第一款具有100W輸出功率的兩級(jí)射頻集成電路(RF IC)。當(dāng)由該公司高性價(jià)比
2019-07-09 08:17:05
我可以使用的最大功率是多少？我可以使用哪個(gè)引腳為電路板提供外部電源？傳輸?shù)诫娐钒?b class="flag-6" style="color: red">射頻電路的最大功率是多少？權(quán)力有哪些限制？
2023-01-03 08:12:40
T2G6003028-FS射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹T2G6003028-FS報(bào)價(jià)T2G6003028-FS代理T2G6003028-FS現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司T2G6003028-FS
2018-11-16 09:49:48
`內(nèi)容簡(jiǎn)介《射頻微波功率場(chǎng)效應(yīng)管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造，介紹了高功率場(chǎng)效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成；描述了功率管一般電氣參數(shù)的測(cè)量方法，著重討論對(duì)功率管的封裝法蘭
2017-09-07 18:09:11
`內(nèi)容簡(jiǎn)介《射頻微波功率場(chǎng)效應(yīng)管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造，介紹了高功率場(chǎng)效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成；描述了功率管一般電氣參數(shù)的測(cè)量方法，著重討論對(duì)功率管的封裝法蘭
2018-01-15 17:57:06
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
小時(shí)，磁控管微波的壽命非常有限。射頻晶體管產(chǎn)生的能量場(chǎng)受控制、高精度，對(duì)控制器的反應(yīng)非常敏感，從而實(shí)現(xiàn)最佳和精確的使用和分配。通過(guò)使用RF能量代替磁控管，即可在微波爐中實(shí)現(xiàn)固態(tài)、高度可控的烹飪，微波爐內(nèi)
2018-08-21 10:57:30
應(yīng)用。應(yīng)用一：固態(tài)烹飪射頻能量的一個(gè)主要目標(biāo)應(yīng)用是傳統(tǒng)的微波爐，目前，標(biāo)準(zhǔn)連鎖餐廳使用磁控管供電的微波加熱顧客的食物，考慮到每天準(zhǔn)備的餐具數(shù)量，磁控管微波的壽命非常有限。使用射頻晶體管，射頻晶體管產(chǎn)生超高
2018-08-06 10:44:39
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。所選場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路的具體要求。小功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意輸入阻抗、低頻跨導(dǎo)、夾斷電壓（或開啟電壓）、擊穿電壓待參數(shù)。大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意擊穿電壓、耗散功率
2021-05-13 07:10:20
情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放，采用場(chǎng)效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡(jiǎn)單，正是基于場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對(duì)頻率的變化不會(huì)有太大的偏差，易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29
本文的大功率寬頻帶線性射頻放大器是利用MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）來(lái)設(shè)計(jì)的，采取AB類推挽式功率放大方式，其工作頻段為O 6M～10MHz，輸出的脈沖功率為1200W。經(jīng)調(diào)試使用，放大器工作穩(wěn)定
2021-04-20 06:24:04
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
119%。高增長(zhǎng)的背后是射頻市場(chǎng)的機(jī)遇，但同時(shí)也是挑戰(zhàn)。如何解決5G通信高帶寬和大功率的射頻技術(shù)挑戰(zhàn)？就成了一個(gè)非常棘手的問(wèn)題。
2019-08-01 08:25:49
收集電路的組成部分。入射射頻電源由多倍壓器轉(zhuǎn)換成直流電源。匹配網(wǎng)絡(luò)由電感元件和電容元件組成，確保了從天線到多倍壓器的最大功率傳輸。能量儲(chǔ)存確保了電力平穩(wěn)地輸送到負(fù)載和作為儲(chǔ)備時(shí)間，當(dāng)外部能源是不可用
2022-04-29 17:11:19
顯示了我們周圍不同應(yīng)用的電磁波譜。射頻能量收集系統(tǒng)的組件 圖3示出了能量收集電路的組成部分。入射射頻電源由多倍壓器轉(zhuǎn)換成直流電源。匹配網(wǎng)絡(luò)由電感元件和電容元件組成，確保了從天線到多倍壓器的最大功率傳輸
2021-12-28 09:53:09
我正在尋找摩托羅拉收音機(jī) VHF 射頻末級(jí)中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
針對(duì)可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來(lái)制造具有高開關(guān)頻率的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來(lái)制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過(guò)減少
2018-11-29 11:38:26
你好。請(qǐng)問(wèn)如何在ADS的庫(kù)中添加新的射頻晶體管（sp2和非線性模型）？編輯：vodepam2于2014年6月7日下午3:23 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Hi. Please how can i
2019-02-14 15:43:03
高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路、高壓開關(guān)電路及行推動(dòng)等電路。常用的國(guó)產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19
激光調(diào)制的可控大功率微波射頻源:本文研究了用于激光調(diào)制的可控大功率微波射頻源的設(shè)計(jì)技術(shù)及其實(shí)現(xiàn)技術(shù)。文中詳細(xì)闡述了大功率微波源的硬件實(shí)現(xiàn)技術(shù)、微波信號(hào)源的控制技
2009-10-23 13:04:18
16 負(fù)載配置對(duì)進(jìn)入射頻管熱絲脈沖能量的影響:大功率高壓脈沖變壓器次級(jí)雙繞組燈絲饋電時(shí)，兩繞組平衡不良及負(fù)載不對(duì)稱配置可能引起脈沖能量嚴(yán)重進(jìn)入射頻管熱絲。
2009-10-29 14:29:0914 大功率開關(guān)晶體管的重要任務(wù)
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；
(1)容易關(guān)斷，所需要的輔
2010-02-06 10:23:4943
大功率晶體管驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)及其應(yīng)用
摘要：介紹了大功率晶體管（GTR）基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，分析了基極驅(qū)動(dòng)電路的要求
2009-07-09 10:36:403188 
大功率開關(guān)—晶體管的重要任務(wù)
(一)控制大功率
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；
(1)容易關(guān)斷，
2009-07-29 16:09:521762 
大功率晶體管的修理
2009-08-22 16:08:06349 
TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計(jì)
0 引言
TIP41C是一種中壓低頻大功率線性開關(guān)晶體管。該器件設(shè)計(jì)的重點(diǎn)是它的極限參數(shù)。設(shè)計(jì)反壓較高的大功率晶體管
2009-12-24 17:04:5610381 
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:38849 2011年9月9日，德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導(dǎo)體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管，該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類競(jìng)爭(zhēng)器件中最強(qiáng)的耐用性，專門面向U
2011-09-13 18:25:061179 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
2011-10-12 11:35:111625 晶體管，大功率，晶體管參數(shù)NPN型、大功率開關(guān)管、音頻功放開關(guān)、達(dá)林頓、音頻功放開關(guān)。
2015-11-09 16:22:150 荷蘭奈梅亨 – 2016年1月13日 -Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)
2016-01-13 11:14:371706 Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。
2016-01-13 15:37:091923 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（Nasdaq： NXPI）日前宣布推出MRF1K50H射頻晶體管，與采用任何技術(shù)或在任何頻率下的產(chǎn)品相比，都具有最強(qiáng)大的性能
2016-05-09 11:53:05909 全球最大的射頻功率晶體管供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應(yīng)用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(CW
2017-07-05 11:41:11296 本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過(guò)比較測(cè)試過(guò)程來(lái)判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1515 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37377 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21461 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為
2018-05-02 14:44:003828 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-26 09:42:001388 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-25 15:04:004432 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）推出一款多功能20W單級(jí)射頻功率放大器驅(qū)動(dòng)器晶體管。BLP9G0722-20G是一款高性價(jià)比的28V LDMOS器件，適用于0.4至2.7GHz的廣泛應(yīng)用。
2018-05-14 15:03:005701 固態(tài)技術(shù)為使用射頻能量的系統(tǒng)帶來(lái)了增強(qiáng)的控制功能和可靠性，人們對(duì)此早有認(rèn)識(shí)，但射頻功率晶體管缺少開發(fā)工具來(lái)幫助工程師充分利用這些優(yōu)勢(shì)。全球最大的射頻功率晶體管供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體（NASDAQ
2018-06-30 09:18:003715 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布推出大功率堅(jiān)固型BLF189XRA RF功率晶體管，用于88-108MHz頻率范圍內(nèi)的廣播FM無(wú)線電應(yīng)用。
2018-09-30 16:41:002731 荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%，為同類最佳，其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-04-10 15:13:06965 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%，為同類最佳，其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:172639 在小功率無(wú)線產(chǎn)品射頻開關(guān)電路設(shè)計(jì)中，我們常常選用CMOS，GaAs，SOI等工藝的射頻器件，其外圍電路很簡(jiǎn)單，通常只需要配合電阻電容就可以正常工作。但是在大功率場(chǎng)合，設(shè)計(jì)工作就變得復(fù)雜起來(lái)，通常需要使用PIN Diode射頻開關(guān)。
2019-05-26 09:16:224261 當(dāng)今射頻能量的最大潛在市場(chǎng)之一是在烹飪和加熱方面的應(yīng)用?，F(xiàn)在全球每年微波爐的制造產(chǎn)量遠(yuǎn)超7000 萬(wàn)臺(tái)，從低成本的消費(fèi)類產(chǎn)品到高端的專業(yè)和工業(yè)加熱爐，它的產(chǎn)品類型跨度很廣。射頻功率晶體管在許多性能
2020-09-29 10:44:000 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管
2020-08-20 18:50:000 100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32C
2023-02-20 19:35:381 大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件，屬于電力電子技術(shù)（功率電子技術(shù)）領(lǐng)域研究范疇。其實(shí)質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作，通過(guò)功率電子器件為負(fù)載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:241038 大功率晶體管的放大倍數(shù)取決于其特定的設(shè)計(jì)和工作條件，因此不能一概而論。晶體管的放大倍數(shù)（即電流增益）通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比，用β表示。β的大小受到晶體管的結(jié)構(gòu)、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:592058 MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:27:530 MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:24:070
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