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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>一種基于微電容測量電路的模擬開關(guān)的電荷注入效應(yīng)設(shè)計(jì)淺析

一種基于微電容測量電路的模擬開關(guān)的電荷注入效應(yīng)設(shè)計(jì)淺析

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2021-06-22 08:16:49

請問怎樣去設(shè)計(jì)一種基于gmid的模擬電路

請問怎樣去設(shè)計(jì)一種基于gmid的模擬電路?ocean的腳本文件和使用教程是什么?
2021-06-22 06:21:07

鐘控傳輸門絕熱邏輯電路和SRAM 的設(shè)計(jì)

鐘控傳輸門絕熱邏輯電路和SRAM 的設(shè)計(jì)本文利用NMOS管的自舉效應(yīng)設(shè)計(jì)了一種新的采用二相無交疊功率時鐘的絕熱邏輯電路---鐘控傳輸門絕熱邏輯電路,實(shí)現(xiàn)對輸出負(fù)載全絕熱方式充放電.依此進(jìn)步設(shè)計(jì)了
2009-08-08 09:48:05

高速ADC模擬輸入架構(gòu)類型介紹

ADC毛刺的另一種方法是在時域中,利用頻譜分析儀測量返回模擬輸入的噪聲。下圖顯示了開關(guān)電容ADC結(jié)構(gòu)對模擬輸入的影響。 圖4. 典型差分輸入瞬變 圖5. 頻譜分析儀在模擬輸入端的測量(未應(yīng)用輸入匹配
2023-12-18 07:42:00

高速ADC模擬輸入架構(gòu)類型詳解

還是電荷注入。查看無緩沖ADC毛刺的另一種方法是在時域中,利用頻譜分析儀測量返回模擬輸入的噪聲。下圖顯示了開關(guān)電容ADC結(jié)構(gòu)對模擬輸入的影響。圖4. 典型差分輸入瞬變 圖5. 頻譜分析儀在模擬輸入端
2018-09-17 15:38:24

高速ADC模擬輸入架構(gòu)類型詳解

還是電荷注入。查看無緩沖ADC毛刺的另一種方法是在時域中,利用頻譜分析儀測量返回模擬輸入的噪聲。下圖顯示了開關(guān)電容ADC結(jié)構(gòu)對模擬輸入的影響。圖4. 典型差分輸入瞬變圖5. 頻譜分析儀在模擬輸入端的測量
2018-10-18 11:23:57

高速ADC模擬輸入架構(gòu)類型詳解

,它能消除任何噪聲,無論是來自電源、數(shù)字注入還是電荷注入。查看無緩沖ADC毛刺的另一種方法是在時域中,利用頻譜分析儀測量返回模擬輸入的噪聲。下圖顯示了開關(guān)電容ADC結(jié)構(gòu)對模擬輸入的影響。圖4. 典型差分
2018-01-23 16:01:44

電容傳感器新型微弱電容測量電路

基于電荷放大原理提出了一種新型的用于電容傳感器的微弱電容測量電路。該電路具有較強(qiáng)的抗雜散電容性能; 較好的解決了電子開關(guān)電荷注入效應(yīng)測量分辨率的影響問題; 該電
2009-07-11 14:40:0283

有源RLC介觀電路電荷、電流的反聚束效應(yīng)

摘要:首先從有源RLC回路的運(yùn)動方程出發(fā).對電荷、電流經(jīng)正則變換后量子化:然后采用規(guī)范變換的方法.求解含時Schredinger方程。最后對RLC電路電荷、電流的反聚束效應(yīng)等進(jìn)行了
2010-05-18 09:55:1023

電荷注入檢測器(CID),電荷注入檢測器原理

電荷注入檢測器(CID),電荷注入檢測器原理 CID檢測器發(fā)明于1973年。CID 讀出方法是將電荷在檢測單元內(nèi)部移動,檢測電壓的變化。 第一節(jié) 
2010-03-02 10:28:125207

模擬開關(guān)電路概述

模擬開關(guān)電路概述 模擬開關(guān)電路即對模擬信號進(jìn)行“通/斷”(ON/OFF)控制的電路,現(xiàn)在一般由晶體管(二極管、雙極型三極管、場效應(yīng)管等)作為開關(guān)器件
2010-05-24 10:55:143655

基于注入信號法的電容電流測量技術(shù)

本文首先分析了傳統(tǒng)的配電網(wǎng)電容電流測量方法存在的缺點(diǎn),然后對目前應(yīng)用較為廣泛的,基于掃頻法原理的注入信號法測量電容電流的方法進(jìn)行了分析,并指出這種方法在實(shí)際應(yīng)中存
2011-05-27 16:48:0052

基于單片機(jī)的模擬開關(guān)時序設(shè)計(jì)

為了有效解決微電容測量電路中的電荷注入效應(yīng), 基于單片機(jī)設(shè)計(jì)合理的開關(guān)時序電路,并采用Proteus 和Keil 軟件進(jìn)行仿真,結(jié)果證明了整個系統(tǒng)的程序設(shè)計(jì)與外圍電路的正確性,提高
2011-06-13 15:51:41190

一種大變比電路的新型電容電荷平衡控制策略

一種大變比電路的新型電容電荷平衡控制策略_洪翠
2017-01-04 16:32:500

有效解決了微電容測量電路電荷注入效應(yīng)的單片機(jī)開關(guān)時序電路設(shè)計(jì)

的反型層存儲一定電荷量,當(dāng)開關(guān)斷開時,電荷通過源端和漏端流出,流入測量電路;二是由柵源間和柵漏間的寄生電容存儲的電荷釋放流入測量電路造成的[3-4], 如圖2(b)所示。由電荷注入效應(yīng)引起的誤差遠(yuǎn)大于被測量CX的值,引起電荷注入效應(yīng)。
2018-07-31 07:08:002766

關(guān)于霍爾效應(yīng)設(shè)備的介紹

本視頻幫助大家熟悉霍爾效應(yīng)設(shè)備及連接方式,使用到的設(shè)備有7001模塊,7065型霍爾效應(yīng)卡,2182A納伏表,6485皮安表以及6221電流源。
2018-06-25 16:50:004569

一種基于電荷泵改進(jìn)型CMOS的模擬開關(guān)電路

當(dāng)前VLSI 技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展,模擬開關(guān)模擬電路中的一個十分重要的原件,由于其較低的導(dǎo)通電阻,極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性,受到人們的廣泛關(guān)注。
2020-04-15 14:23:301622

一文解析什么是電荷泵電源

電荷泵(Charge Pump)是“開關(guān)電容技術(shù)”眾多應(yīng)用中的一種。利用開關(guān)電容充放電不同的連接方式,以非常簡單的電路實(shí)現(xiàn)DC/DC的升壓、降壓、負(fù)壓等變換器功能。
2020-09-04 15:17:185522

ADG1211/ADG1212/ADG1213:低電容、低電荷注入、±15 V/+12 V<em>I</em>CMOS;四路SPST開關(guān)數(shù)據(jù)表

ADG1211/ADG1212/ADG1213:低電容、低電荷注入、±15 V/+12 VICMOS;四路SPST開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-04-14 14:39:599

DN38-新型微功耗、低電荷注入模擬開關(guān)的應(yīng)用

DN38-新型微功耗、低電荷注入模擬開關(guān)的應(yīng)用
2021-04-19 19:41:431

ADG1221/ADG1222/ADG1223:低電容、低電荷注入、±15 V/+12 V<i>CMOS?雙SPST開關(guān)產(chǎn)品手冊

ADG1221/ADG1222/ADG1223:低電容、低電荷注入、±15 V/+12 VCMOS?雙SPST開關(guān)產(chǎn)品手冊
2021-04-22 21:27:555

ADG1201:SOT-23數(shù)據(jù)表中的低電容、低電荷注入、±15 V/+12 V、iCMOS、SPST

ADG1201:SOT-23數(shù)據(jù)表中的低電容、低電荷注入、±15 V/+12 V、iCMOS、SPST
2021-04-22 21:31:416

ADG636:1 PC電荷注入,100 pA漏電,CMOS±5 V/+5 V/+3 V雙SPDT開關(guān)數(shù)據(jù)表

ADG636:1 PC電荷注入,100 pA漏電,CMOS±5 V/+5 V/+3 V雙SPDT開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-09 17:16:3510

ADG1236:低電容,低電荷注入,±15 V/12 V<em>I</em>CMOS,雙SPDT開關(guān)數(shù)據(jù)表

ADG1236:低電容,低電荷注入,±15 V/12 VICMOS,雙SPDT開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:36:122

LTC221/LTC222:微功耗、低電荷注入、帶數(shù)據(jù)鎖存器的四路CMOS模擬開關(guān)數(shù)據(jù)表

LTC221/LTC222:微功耗、低電荷注入、帶數(shù)據(jù)鎖存器的四路CMOS模擬開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-20 14:35:141

LTC201A/LTC202/LTC203:微功耗、低電荷注入、四路CMOS模擬開關(guān)產(chǎn)品手冊

LTC201A/LTC202/LTC203:微功耗、低電荷注入、四路CMOS模擬開關(guān)產(chǎn)品手冊
2021-05-21 17:00:193

開關(guān)三極管,加速電容的分析!

由于電荷存儲效應(yīng),晶體管BE之間有一接電容,與Rb構(gòu)成RC電路,時間常數(shù)較大影響了晶體管的導(dǎo)通和截至速度(即開關(guān)速度)。
2022-11-11 09:08:20905

開關(guān)電容電路簡介

介于兩者之間的所有產(chǎn)品。 本文將介紹開關(guān)電容電路領(lǐng)域,首先概述,然后深入探討基本電路模塊:開關(guān)電容電阻器。 什么是開關(guān)電容電路? 開關(guān)電容電路一種離散時間電路,利用由開關(guān)控制的電容器進(jìn)出的電荷轉(zhuǎn)移。開關(guān)活動通常由定義明確的非
2023-01-27 17:52:004130

什么是開關(guān)電容電路?開關(guān)電容電阻器電路模塊分析

開關(guān)電容電路一種離散時間電路,利用由開關(guān)控制的電容器進(jìn)出的電荷轉(zhuǎn)移。開關(guān)活動通常由定義明確的非重疊時鐘控制,因此電荷傳入和傳出是明確定義和確定的。
2023-02-08 13:55:481093

電荷泵倍壓輸出電路設(shè)計(jì)

電荷泵設(shè)計(jì)非常巧妙,只需要幾個簡單的器件,就能實(shí)現(xiàn)倍壓或者負(fù)壓。電荷泵,也稱為開關(guān)電容式電壓變換器,它通過電容電荷的積累效應(yīng)而產(chǎn)生高壓,使電流逆勢由低電勢流向高電勢。
2023-04-19 14:54:02849

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