CAN總線設(shè)計(jì)規(guī)范對(duì)于CAN節(jié)點(diǎn)的輸入電壓閾值有著嚴(yán)格的規(guī)定，如果節(jié)點(diǎn)的輸入電壓閾值不符合規(guī)范，則在現(xiàn)場組網(wǎng)后容易出現(xiàn)不正常的工作狀態(tài)，各節(jié)點(diǎn)間出現(xiàn)通信故障。具體要求如表 1所示，為測試標(biāo)準(zhǔn)“ISO 11898-2輸出電壓標(biāo)準(zhǔn)”。
2015-07-09 10:54:09
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由閾值電壓的公式可看出，閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關(guān)，所以在設(shè)計(jì)中把它當(dāng)成一個(gè)常數(shù)。 當(dāng)器件尺寸不斷縮小時(shí)，此模型不再精確，閾值電壓與L、W和VDS有關(guān)。
2023-02-13 10:35:291269 
，表示了三個(gè)端子：柵(G)、源(S)和漏(D)。 因?yàn)檫@種器件是對(duì)稱的，因而可以源漏互換。 大家都知道，在數(shù)字電路中，MOS管作為開關(guān)的作用時(shí)，柵極電壓VG是高電平，晶體管把源極和漏極連接在一起; 如果VG是低電平，則源漏斷開。
2023-04-25 14:20:393018 
碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩(wěn)定性相對(duì)Si材料來講，是比較差的，對(duì)應(yīng)用端的影響也很大。
2023-05-30 16:06:181175 
MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開關(guān)的作用，正是由于上述反型層的機(jī)制
2023-11-29 14:19:08785 
分析完閾值電壓的機(jī)制后，下面我們重點(diǎn)分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系。
2023-11-29 14:42:33999 
假設(shè)mismatch引起的M4/M5之間的閾值電壓差值為3mV，則等效到運(yùn)放輸入端的VOS量級(jí)為uV，保證M4/M5之間的版圖匹配，能有效的減小該值。
2024-02-18 17:32:43274 
施密特觸發(fā)器（Schmitt Trigger）是一種特殊的門電路，也被稱為遲滯比較器或滯回比較器。它具有兩個(gè)閾值電壓，分別對(duì)應(yīng)于輸入信號(hào)的正向遞增和負(fù)向遞減變化方向。這兩個(gè)閾值電壓稱為正向閾值電壓和負(fù)向閾值電壓，它們之間的差值被稱為回差電壓。
2024-02-23 17:14:21786 
74hc14幾腳是輸出端和輸入端
2016-04-14 10:28:49
閾值電壓是為使MOSFET導(dǎo)通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導(dǎo)通。可能有人問，這種“MOSFET導(dǎo)通”的狀態(tài)，到底是“電流ID是多少的狀態(tài)呢？”。的確
2018-11-28 14:28:20
MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓是為使MOSFET導(dǎo)通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導(dǎo)通。可能有
2019-05-02 09:41:04
為什么PMOS的閾值電壓要高于NMOS呢？下面是我用HSPICE仿真的代碼.opt scale=0.1u * Set lambdamp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w
2018-11-15 14:00:50
STM32是3.3V供電的芯片，在用AD的時(shí)候，閾值電壓能否接到0-5V上？
2013-02-28 18:18:59
更有優(yōu)勢。74AC14SCX有滯后之間的積極持續(xù)和負(fù)向輸入閾值（通常為1.0V）。溫度和電源電壓變化?；旧喜幻舾校@是由內(nèi)部晶體管的比例確定。74AC14SCX與TTL兼容的輸入，輸出電流24毫安。
2010-04-13 17:20:09
74HC14 和 74HCT14 為高速四水道CMOS器件，引腳與低功耗肖特基TTL電（輸入通道）兼容。他們符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，編碼為 7A。74HC14和74HCT14提供六反相與施密特觸發(fā)器
2010-04-21 11:44:25
公司項(xiàng)目，用74hc595輸出一系列的波形。然后我用邏輯分析儀（閾值電壓1.5V，高于1.5V為高）抓595的輸出端的波形，抓不到。只能抓S8050的C腳才能抓到波形。有大神能給分析下嗎？
2019-08-06 23:50:16
，進(jìn)而使SCR導(dǎo)通。
實(shí)驗(yàn)中：穩(wěn)壓管閾值電壓較大時(shí)SCR可正常導(dǎo)通；但是穩(wěn)壓管閾值小的時(shí)候，SCR始終不通，后端電路一直有漏電流。（如圖所示穩(wěn)壓管閾值電壓為42V）
2023-10-10 08:57:00
:0] 中的值如何映射到電壓。我假設(shè)設(shè)置 ADC_HTR 中的所有 12 位將等于可能的最高閾值電壓，但我們?nèi)绾沃涝?b class="flag-6" style="color: red">電壓是多少？設(shè)置 ADC_LTR 中的所有位是否意味著低閾值盡可能低？還是清除所有 12 位將其設(shè)置為最小值？
2023-01-13 08:05:01
電壓，低溫）作為最快的一種情況，而把（slow n,slow p,低電壓，高溫）作為最慢的一種情況。但是管子的閾值電壓與溫度成反比，也就是低溫時(shí)管子的閾值電壓會(huì)變高，而使得管子變慢，這就與上面的結(jié)論矛盾
2021-06-24 08:01:38
掉電。 設(shè)計(jì)的原理圖如下： VCC_BAR是系統(tǒng)輸入的電壓，閾值電壓由電阻R1A和R2B的比例來決定。在選擇電阻時(shí)，只要保持電阻的比例就可以保證閾值電壓為同一個(gè)結(jié)果。但實(shí)際在選擇時(shí)，需要權(quán)衡考慮
2023-03-22 15:17:08
如果想改變反相滯回比較器的閾值電壓應(yīng)改變哪些參數(shù)呢？
2023-03-24 15:31:42
uo與輸入電壓ui在平面直角坐標(biāo)上的關(guān)系。 畫傳輸特性的一般步驟是：先求閾值，再根據(jù)電壓比較器的具體電路，分析在輸入電壓由最低變到最高(正向過程)和輸入電壓由最高到最低(負(fù)向過程)兩種情況下，輸出電壓
2011-12-22 11:55:09
，與普通的門電路不同，施密特觸發(fā)器有兩個(gè)閾值電壓，分別稱為正向閾值電壓和負(fù)向閾值電壓。在輸入信號(hào)從低電平上升到高電平的過程中使電路狀態(tài)發(fā)生變化的輸入電壓稱為正向閾值電壓，在輸入信號(hào)從高電平下降到低電平
2011-11-14 14:30:44
： ① 施密特觸發(fā)器屬于電平觸發(fā)器件，當(dāng)輸入信號(hào)達(dá)到某一定電壓值時(shí)，輸出電壓會(huì)發(fā)生突變。 ② 電路有兩個(gè)閾值電壓。 輸入信號(hào)增加和減少時(shí)，電路的閾值電壓分別是正向閾值電壓
2009-09-24 15:38:23
搜到的施密特觸發(fā)器IC遲滯電壓都是固定的，現(xiàn)在需要設(shè)定具體的閾值電壓值，是否有這樣的IC呢?還是只能用運(yùn)放搭建？
2024-03-13 02:40:35
求反向器IC,類似74HC14,但要引腳比較好走線的,74HC04跟74HC14走線太麻煩了~
2015-12-02 09:21:56
LM311供電為+-12V，VDD為5V，高低閾值電壓怎么計(jì)算呢？
2018-05-30 22:27:26
發(fā)光二極管D3的負(fù)極電壓是3.6V，即此時(shí)PMOS柵極電壓VG=3.6V,源極電壓VS=5V，VGS=-1.4V。PMOSSI2301ADS的柵極閾值電壓如下表所示，最大柵極閾值電壓為-0.95V，此條
2019-08-27 04:37:27
估算閾值電壓。運(yùn)放兩個(gè)輸入端電壓差近似等于零是比較器輸出電壓發(fā)生跳變的臨界條件，當(dāng)同相輸入端的電位高于反相輸入端時(shí)，輸出電壓為正飽和值，反之為負(fù)飽和值。（2）根據(jù)具體電路，分析輸入電壓由高到低和由低到
2021-12-10 06:30:01
遲滯比較器的閾值電壓除了由我的電阻參數(shù)設(shè)定 還要其他因素嗎？我做的實(shí)驗(yàn)中顯示我的設(shè)定值與實(shí)際值在某些情況下相差挺大的，我采用的是LM339這款比較器芯片。比如 我設(shè)定的值為VTL=1.5V、VTH=2.5V時(shí)，通過示波器觀察的到的VTL=2.48V、VTH=3.64V。
2019-04-01 16:51:27
施密特觸發(fā)器是一種特殊的門電路，與普通的門電路不同，施密特觸發(fā)器有兩個(gè)閾值電壓，分別稱為正向閾值電壓和負(fù)向閾值電壓。
2006-07-03 14:22:183706 
電壓比較器、方波三角波發(fā)生器與壓控振蕩器一、目的：1、 對(duì)電壓比較器的理解，學(xué)習(xí)閾值電壓的測量方法。2、 握集成運(yùn)放在波形發(fā)生器值的應(yīng)用，學(xué)習(xí)
2009-03-09 11:06:086986 
74C14/74HC14/7414引腳功能管腳定義圖 -六反相器(施密特觸發(fā)器)
2009-04-10 15:11:5317200 
施密特觸發(fā)器原理及應(yīng)用
我們知道，門電路有一個(gè)閾值電壓，當(dāng)輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時(shí)電路的狀
2010-05-27 09:29:323838 
在數(shù)／?；旌霞呻娐吩O(shè)計(jì)中電壓基準(zhǔn)是重要的模塊之一。針對(duì)傳統(tǒng)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點(diǎn)，提出一種新的設(shè)計(jì)方案，電路中不使用雙極晶體管，利用PMOS和
2012-10-10 16:38:054693 
74HC14英文手冊(cè)
2016-11-02 18:08:34
10 基于搶占閾值調(diào)度的動(dòng)態(tài)電壓分配算法_郝嘉磊
2017-01-07 18:39:170 面向BTI特征分析的在運(yùn)行中閾值電壓測量
2017-01-22 13:38:087 電壓比較器的輸出電壓與輸入電壓的函數(shù)關(guān)系 U0＝f（uI），一般用曲線來描述，稱為電壓傳輸特性。電壓傳輸特性的三個(gè)要素：輸出電平、閾值電壓、躍變方向
2017-11-07 10:47:3153915 
閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電壓隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
2017-11-27 17:18:4367572 
同樣具有反相器功能，你知道74HC04和74HC14的具體區(qū)別嗎？
2017-12-04 16:56:3793333 
，有兩個(gè)不同的閾值電壓（正向閾值電壓和負(fù)向閾值電壓）；狀態(tài)翻轉(zhuǎn)時(shí)有正反饋過程，從而輸出邊沿陡峭的矩形脈沖。下面我們來具體看看吧。
2018-01-16 16:02:3747805 
本文開始介紹了單限比較器的電路和單限比較器的理論分析及計(jì)算，其次介紹了單限電壓比較器的工作原理，最后介紹了單限比較器閾值的電壓計(jì)算。
2018-02-26 15:58:0264104 
74hc14一般用于MCU的接口電路，如在主板MCU和面板MCU之間，充任信號(hào)倒相、同相驅(qū)動(dòng)（兩級(jí)反相器串聯(lián)）、信號(hào)的隔離緩沖等角色。
2018-08-02 16:34:5011440 
74HC14是一款兼容TTL器件引腳的高速CMOS器件，邏輯功能為6路斯密特觸發(fā)反相器，其耗電量低，速度快。
2018-08-03 08:55:5795700 
關(guān)于74HC14，它的定義是一個(gè)高速度的CMOS器件，特點(diǎn)是能對(duì)TTL器件引腳的完美兼容，74HC14集成電路內(nèi)部封裝了六個(gè)相同的帶施密特功能的反相器，起整形的作用，專門用于對(duì)輸入信號(hào)中非陡峭的上升沿和下降沿變的陡峭。它的輸入信號(hào)可以是不規(guī)則變化的模擬信號(hào)或者數(shù)字信號(hào)。
2018-10-24 09:09:4822802 74HC14的引腳圖如下，其中Vcc（14腳）是電源正電壓引腳，GND（7腳）是電源地引腳，一片74HC14上共有6個(gè)反相器通道，第1、3、5、9、11、13腳分別是通道1、2、3、4、5、6的輸入腳，2、4、6、8、10、12腳分別是通道1、2、3、4、5、6的輸入出腳。
2018-10-24 10:03:0639341 
sn74hc14n是一個(gè)六反向施密特觸發(fā)器，其具有延遲特性，反向特性，還具有整形等特點(diǎn)。這是一個(gè)具有特殊功能的非門，當(dāng)加在它的輸入端A的電壓逐漸上升到某個(gè)值時(shí)（正閾值電壓），輸出端Y會(huì)突然從高電平跳到低電平，而當(dāng)輸入端A的電壓下降到另一個(gè)值時(shí)（負(fù)閾值電壓），Y會(huì)從低電平跳到高電平。
2018-10-24 10:33:198684 74HC14是一款六路施密特觸發(fā)反相器。可以用到需要反向的電路上，或者提高驅(qū)動(dòng)能力，或者需要對(duì)信號(hào)做一下整形，都可以用到它。當(dāng)輸入電壓由低向高變化時(shí)，若電壓超過正向閾值電壓Vt+，輸出為低電平。當(dāng)輸入電壓由高向低變化時(shí)，輸入電壓要低于另一個(gè)閾值電壓Vt-時(shí)，輸出為高電平。
2018-10-24 11:11:3311170 圖3-4是閃存芯片里面存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布函數(shù)，橫軸是閾值電壓，縱軸是存儲(chǔ)單元數(shù)量。其實(shí)在0或1的時(shí)候，并非所有的存儲(chǔ)單元都是同樣的閾值電壓，而是以這個(gè)電壓為中心的一個(gè)分布。讀的時(shí)候采樣電壓值，落在1范圍里面，就認(rèn)為是1；落在0范圍里面，就認(rèn)為是是0。
2018-11-13 15:44:2911001 
一、為什么E-MOSFET的閾值電壓隨著半導(dǎo)體襯底摻雜濃度的提高而增大?而隨著溫度的升高而下降?
【答】E-MOSFET的閾值電壓就是使半導(dǎo)體表面產(chǎn)生反型層(導(dǎo)電溝道)所需要加的柵極電壓。對(duì)于
2019-01-27 10:42:098022 
關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對(duì)其閾值電壓 Vth 的影響，實(shí)際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜，但是也可以有一些簡化的分析，這里主要還是分析當(dāng)晶體管處在窄溝道和短溝道情況下，MOSFET 耗盡區(qū)的電荷的變化，從而分析其對(duì)晶體管的閾值電壓的作用。
2019-06-18 17:19:4635146 
為什么廠家在產(chǎn)品投入使用前，都必須要進(jìn)行CAN節(jié)點(diǎn)DUT的輸入電壓閾值測試呢？
2019-07-02 15:10:103215 
本文報(bào)道了一個(gè)深入研究的負(fù)閾值電壓不穩(wěn)定性的gan-on-si金屬絕緣體半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管部分凹陷algan。基于一組在不同溫度下進(jìn)行的應(yīng)力/恢復(fù)實(shí)驗(yàn)，我們證明：1）在高溫和負(fù)柵偏壓（-10v
2019-10-09 08:00:002 利用一個(gè)簡單的示波器裝置，研究了由正向柵偏壓引起的gan基金屬絕緣體半導(dǎo)體hemts閾值電壓漂移（vth）的快速動(dòng)力學(xué)。我們發(fā)現(xiàn)，vth的對(duì)數(shù)恢復(fù)時(shí)間依賴性，以前發(fā)現(xiàn)的恢復(fù)時(shí)間從10 ms到1 ms
2019-10-09 08:00:000 本文報(bào)道了algan/gan高電子遷移率晶體管（hemt）在反向柵偏壓作用下閾值電壓的負(fù)漂移。該器件在強(qiáng)pinch-off和低漏源電壓條件下偏置一定時(shí)間（反向柵極偏置應(yīng)力），然后測量傳輸特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 施密特觸發(fā)器也有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)， 但與一般觸發(fā)器不同的是， 施密特觸發(fā)器采用電位觸發(fā)方式， 其狀態(tài)由輸入信號(hào)電位維持； 對(duì)于負(fù)向遞減和正向遞增兩種不同變化方向的輸入信號(hào)，施密特觸發(fā)器有不同的閥值電壓。門電路有一個(gè)閾值電壓， 當(dāng)輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時(shí)電路的狀態(tài)將發(fā)生變化。
2019-12-17 08:00:006 比傳統(tǒng)的逆變器具有更大的噪聲容限。每個(gè)電路包含施密特觸發(fā)器、達(dá)林頓電平移位器和驅(qū)動(dòng)TTL圖騰極輸出的分相器。施密特觸發(fā)器使用正反饋有效地加速慢輸入躍遷，并為正向和負(fù)向躍遷提供不同的輸入閾值電壓。正向和負(fù)向輸入閾值之間的滯后（通常為800 mV）由電阻比內(nèi)部確定，基
2020-05-25 08:00:004 比傳統(tǒng)的逆變器具有更大的噪聲容限。每個(gè)電路包含施密特觸發(fā)器、達(dá)林頓電平移位器和驅(qū)動(dòng)TTL圖騰極輸出的分相器。施密特觸發(fā)器使用正反饋有效地加速慢輸入躍遷，并為正向和負(fù)向躍遷提供不同的輸入閾值電壓。正向和負(fù)向輸入閾值之間的滯后（通常為800 mV）由電阻比內(nèi)部確定，基
2020-05-25 08:00:001 為什么廠家在產(chǎn)品投入使用前，都必須要進(jìn)行CAN節(jié)點(diǎn)DUT的輸入電壓閾值測試呢？因?yàn)镃AN總線設(shè)計(jì)規(guī)范對(duì)于CAN節(jié)點(diǎn)的輸入電壓閾值有著嚴(yán)格的規(guī)定，若不符合規(guī)范，則組網(wǎng)后容易出現(xiàn)各節(jié)點(diǎn)間出現(xiàn)通信故障。
2020-12-26 02:33:311380 AN-680: ADG451/ADG452/ADG453閾值電壓與數(shù)字電壓 VL
2021-03-18 20:33:082 74HC14是一款高速硅柵CMOS電路，其引腳兼容低功耗肖特基TTL（LSTTL）系列。該電路符合JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)no.7A。 74HC14提供六路施密特倒相模塊。它們能夠?qū)⒕徛兓妮斎胄盘?hào)轉(zhuǎn)變成急劇變化的輸出信號(hào)。
2022-03-29 14:56:2121 畫傳輸特性的一般步驟是：先求閾值，再根據(jù)電壓比較器的具體電路，分析在輸入電壓由最低變到最高(正向過程)和輸入電壓由最高到最低(負(fù)向過程)兩種情況下，輸出電壓的變化規(guī)律，然后畫出傳輸特性。
2022-10-20 13:55:3611866 而現(xiàn)代集成電路一般使用MOS管，其本質(zhì)是一個(gè)壓控開關(guān)。壓指的就是柵極的電壓，而它控的就是源極和漏極之前的電流。既然叫做開關(guān)，那就需要有一個(gè)區(qū)別開態(tài)與關(guān)態(tài)的狀態(tài)。
2022-12-15 11:33:371143 Vt roll-off核心是（同一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)下面）閾值電壓與柵長之間的關(guān)系。當(dāng)溝道長度比較長的時(shí)候，Vt值是比較穩(wěn)定的。隨著溝道長度的減小，閾值電壓會(huì)下降（對(duì)于PMOS而言是絕對(duì)值的下降）。
2022-12-30 15:14:411332 TPS382x 系列監(jiān)控器主要為 DSP 以及基于處理器的系統(tǒng)提供電路初始化和計(jì)時(shí)監(jiān)控等功能。上電期間，RESET 會(huì)在電源電壓 VDD 超出 1.1V 時(shí)置為有效。因此VDD 保持在閾值電壓
2023-01-12 09:18:351147 繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對(duì)電路的可靠性至關(guān)重要。通常情況下，閾值電壓是通過向溝道區(qū)的離子注入來調(diào)整的。
2023-02-09 14:26:361147 此外，襯底偏壓也能影響閾值電壓。當(dāng)在襯底和源極之間施加反向偏壓時(shí)，耗盡區(qū)被加寬，實(shí)現(xiàn)反轉(zhuǎn)所需的閾值電壓也必須增加，以適應(yīng)更大的Qsc。
2023-02-09 14:26:381661 nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢，Cox為晶體管的歐姆容量。
2023-02-11 16:30:149783 
Vt指的是MOS管的閾值電壓（threshold voltage）。具體定義（以下圖NMOS為例）：當(dāng)柵源電壓（Vgs）由0逐漸增大，直到MOS管溝道形成反型層（圖中的三角形）所需要的電壓為閾值電壓。
2023-03-10 17:43:114541 由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同，SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩(wěn)定性，在器件測試過程中閾值電壓會(huì)有明顯漂移，導(dǎo)致其電性能測試以及高溫柵偏試驗(yàn)后的電測試結(jié)果嚴(yán)重依賴于測試
2023-05-09 14:59:06853 
8.2.9閾值電壓控制8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.8UMOS的先進(jìn)設(shè)計(jì)∈《碳化硅
2022-03-02 09:27:23531 
74hc14與74hc14d的區(qū)別 74HC14與74HC14D都是集成電路型號(hào)，這兩種型號(hào)的區(qū)別主要在于包裝形式和外延尺寸。 一、74HC14的介紹 74HC14是一款由NXP公司生產(chǎn)的CMOS
2023-08-18 11:14:342852 它們看起來相似，但它們之間有一些明顯的區(qū)別。 首先，74HC14和74AC14采用不同的工作電壓范圍。 74HC14是高速CMOS器件，其工作電壓范圍為2V至6V，相比之下，74AC14是高速CMOS
2023-08-18 11:14:361467 74hc14與74hct14的區(qū)別 74HC14與74HCT14是兩種常見的邏輯門芯片，它們的共同作用是將輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換成輸出信號(hào)。兩者的區(qū)別在于HCT family具有有源鉗制（active
2023-08-18 11:14:391834 74hc14與74hc04的區(qū)別? 在數(shù)字邏輯電路設(shè)計(jì)中，集成電路起著至關(guān)重要的作用。這些電路通常由許多晶體管和其他元器件組成，使得它們的設(shè)計(jì)和制造變得更加高效和簡單。74HC14和74HC
2023-08-18 11:14:462928 如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚閾值電壓對(duì)電池延遲的影響。(注：以下電阻公式是關(guān)于NMOS的。您也可以為PMOS導(dǎo)出類似的公式(只需將下標(biāo)“n”替換為“p”)。
2023-09-07 10:03:59649 
影響MOSFET閾值電壓的因素? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）是一種常用的半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、高增益等特點(diǎn)。MOSFET的閾值電壓是決定其工作狀態(tài)的重要參數(shù)，影響著
2023-09-17 10:39:446679 為什么亞閾值區(qū)還有電流？為什么亞閾值區(qū)電流飽和條件是Vds是Vt的三四倍以上？ 亞閾值區(qū)是指晶體管工作狀態(tài)下，柵極電壓小于閾值電壓的區(qū)域。在這個(gè)區(qū)域內(nèi)，晶體管會(huì)出現(xiàn)漏電流，造成能量浪費(fèi)和損耗。因此
2023-09-21 16:09:15917 74HC14是一款高速硅柵CMOS電路，其引腳兼容低功耗肖特基TTL（LSTTL）系列。該電路符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)no.7A。74HC14提供六路施密特倒相模塊。它們能夠?qū)⒕徛兓妮斎胄盘?hào)轉(zhuǎn)變成急劇
2022-04-27 10:53:525 的觸發(fā)器。它的基本組成元件是兩個(gè)比較器，一個(gè)用于正向比較，另一個(gè)用于反向比較。當(dāng)輸入信號(hào)的電壓達(dá)到或超過正向比較器的閾值電壓時(shí)，輸出由低電平翻轉(zhuǎn)為高電平。同樣，當(dāng)輸入電壓下降到或低于反向比較器的閾值電壓時(shí)，輸出
2024-01-17 15:00:08512
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