ST推出兩款并聯(lián)式基準(zhǔn)電壓芯片，都采用意法半導(dǎo)體制造技術(shù)

意法半導(dǎo)體積極開發(fā)與航天應(yīng)用相關(guān)的抗輻射產(chǎn)品組合，推出兩款并聯(lián)式基準(zhǔn)電壓芯片（shunt Voltage References）。RHF1009A是一款可在2.5V至5.5V范圍內(nèi)調(diào)整電壓的基準(zhǔn)電壓芯片；而RHF100則是一款維持1.2V固定電壓的基準(zhǔn)電壓解決方案。這兩款基準(zhǔn)電壓芯片特別為航天應(yīng)用領(lǐng)域設(shè)計(jì)，具有可抵抗強(qiáng)烈太空輻射的高耐受度，引腳與市面上的同類工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品相容。兩款產(chǎn)品均已通過了美國航天局 （DLA） 的 QML-V 認(rèn)證，并因其穩(wěn)定優(yōu)秀的性能，被正式收入歐洲航天元器件優(yōu)選目錄 （EPPL， European Preferred Parts List） ，可供歐洲航天硬件及相關(guān)設(shè)備廠商選購。

兩款器件都采用意法半導(dǎo)體的250nm BiCMOS 制造技術(shù)，此項(xiàng)技術(shù)的高可靠性經(jīng)過多年量產(chǎn)的消費(fèi)性電子芯片和要求更嚴(yán)格的航天、汽車和醫(yī)療設(shè)備芯片以及其他抗輻射產(chǎn)品（如模數(shù)轉(zhuǎn)換器）的檢驗(yàn)。

這兩款器件具有多項(xiàng)優(yōu)異性能，包括僅5 ppm （典型值）的溫度系數(shù)，經(jīng)由激光校對(duì)可達(dá) +/- 0.15% 的精確度，以及器件之間卓越的溫度曲線匹配性；而寬達(dá)40μA至12mA的陰極電流范圍，可確保在維持靈活性的同時(shí)保證精確度和穩(wěn)定性。

除優(yōu)異的電氣性能外，兩款新產(chǎn)品還兼具同級(jí)最佳的抗電離總劑量 （TID， Total Ionization Dose） 和單粒子效應(yīng) （SEE， Single Event Effect） 的抗輻射性能，無ELDRS 效應(yīng)高達(dá) 300krad （在劑量率達(dá)到很高水平時(shí)，芯片的主要參數(shù)仍可保持穩(wěn)定），完全不受單粒子閉鎖效應(yīng) （Latch-up） 的影響 （在120 MeV.cm2/mg / 125°C下仍不發(fā)生單粒子閉鎖效應(yīng)），發(fā)生單粒子瞬變效應(yīng)的概率極低 （截面SET Cross section 《 3.10-4） 。輻射效應(yīng)持續(xù)時(shí)間極短，且幅度很低。