在SMT加工過(guò)程中，靜電放電會(huì)對(duì)電子元器件造成損傷或失效，隨著IC集成度的提高和元器件的逐漸縮小，靜電的影響也變得愈加嚴(yán)重。 據(jù)統(tǒng)計(jì)，導(dǎo)致電子產(chǎn)品失效的因素中，靜電占比8%~33%，而每年因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">靜電
2023-11-15 14:52:56
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ESD靜電放電抗擾度測(cè)試中出現(xiàn)的問(wèn)題主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。首先是手機(jī)通話中斷；其次是ESD靜電放電導(dǎo)致手機(jī)部分功能失效，但靜電放電過(guò)程結(jié)束后或者重新啟動(dòng)手機(jī)之后失效的功能可以恢復(fù)。
2015-11-10 15:25:513964 從這期開(kāi)始我將帶大家進(jìn)入靜電放電問(wèn)題的典型案例分析，通過(guò)具體的實(shí)際案例以幫助大家消化前面的知識(shí)，并通過(guò)典型案例的分析為后面靜電放電設(shè)計(jì)做鋪墊。
2023-11-29 09:17:53347 
這期我?guī)Т蠹依^續(xù)進(jìn)行靜電放電問(wèn)題典型案例分析，前篇文章分別介紹了復(fù)位信號(hào)、DC-DC芯片設(shè)計(jì)問(wèn)題引發(fā)的靜電放電問(wèn)題；這篇文章將介紹軟件設(shè)計(jì)、PCB環(huán)路設(shè)計(jì)引發(fā)的靜電放電問(wèn)題；話不多說(shuō)，還是通過(guò)兩個(gè)案例展現(xiàn)給大家。
2023-12-11 10:03:46489 的器件特性方面，如增益、線性度、開(kāi)關(guān)性能、散熱性能以及減少級(jí)數(shù)等方面優(yōu)勢(shì)很明顯?！ ?b class="flag-6" style="color: red">LDMOS由于更容易與CMOS工藝兼容而被廣泛采用。LDMOS是一種雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)的功率器件。這項(xiàng)技術(shù)是 在相同的源/漏
2020-05-24 01:19:16
與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達(dá)14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達(dá)60dB左右。這表明對(duì)于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
靜電放電(ESD)是一種意外的快速高壓瞬態(tài)波形，出現(xiàn)在電路內(nèi)的導(dǎo)體上。ESD引起的高電壓和電流峰值可能導(dǎo)致靜電敏感IC等器件發(fā)生故障。人際接觸是ESD的常見(jiàn)來(lái)源。即使人與電路沒(méi)有直接接觸，電容式檢測(cè)
2022-07-12 16:32:21
失效，這是對(duì)ESD靜電放電損害未充分認(rèn)識(shí)之前，常常歸咎于早期失效或情況不明的失效，從而不自覺(jué)的掩蓋了失效的真正原因。5、嚴(yán)重性ESD問(wèn)題表面上看來(lái)只影響了制成品的用家，但實(shí)際上亦影響了各層次的制造商，如：保用費(fèi)、維修及公司的聲譽(yù)等等。安達(dá)森為您提供ESD防靜電電子元器件。
2014-01-03 11:36:53
使用掃描電鏡等高精密儀器。即使如此，有些靜電損傷現(xiàn)象也難以與其他原因造成的損傷加以區(qū)別，使人誤把靜電損傷失效當(dāng)作其他失效。這在對(duì)靜電放電損害未充分認(rèn)識(shí)之前，常常歸因于早期失效或情況不明的失效，從而不自覺(jué)地掩蓋了失效的真正原因。所以靜電對(duì)電子器件損傷的分析具有復(fù)雜性。信息來(lái)自：防靜電資訊網(wǎng)
2013-01-21 12:40:19
靜電的產(chǎn)生及來(lái)源是什么 靜電敏感由什么組成 靜電放電損傷特征是什么 ESD、EOS與缺陷誘發(fā)失效如何鑒別
2021-03-11 07:55:13
隨著電子技術(shù)的以及集成電路的發(fā)展，電子設(shè)備日趨小型化、多功能及智能化。然而高集成度的電路元件都可能因靜電電場(chǎng)和靜電放電（ESD）引起失效，導(dǎo)致電子設(shè)備鎖死、復(fù)位、數(shù)據(jù)丟失而影響設(shè)備正常工作，使
2021-01-06 17:26:05
產(chǎn)生熱量導(dǎo)致設(shè)備的熱失效;由ESD靜電抑制器感應(yīng)出過(guò)高電壓導(dǎo)致絕緣擊穿.兩種破壞可能在一個(gè)設(shè)備中同時(shí)發(fā)生,例如,絕緣擊穿可能激發(fā)大的電流,這又進(jìn)一步導(dǎo)致熱失效. 除容易造成電路損害外,靜電放電也極易對(duì)電子電路
2013-11-20 10:23:16
,例如,絕緣擊穿可能激發(fā)大的電流,這又進(jìn)一步導(dǎo)致熱失效.除容易造成電路損害外,靜電放電也極易對(duì)電子電路造成干擾.靜電放電對(duì)電子電路的干擾有二種方式.一種是傳導(dǎo)干擾,另一種是輻射干擾.2.數(shù)碼產(chǎn)品的構(gòu)造
2021-04-09 15:15:10
放電，人體也不一定能有電擊的感覺(jué)，這是因?yàn)槿梭w感知的靜電放電電壓為2-3KV。大多數(shù)情況都是通過(guò)測(cè)試或者實(shí)際應(yīng)用，才能發(fā)現(xiàn)LED器件已受靜電損傷?！ ?.潛伏性：靜電放電可能造成LED突發(fā)性失效或潛在
2013-02-20 09:24:22
柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。靜電放電形成的是短時(shí)大電流，放電脈沖的時(shí)間常數(shù)遠(yuǎn)小于器件散熱的時(shí)間常數(shù)。因此，當(dāng)靜電放電電流通過(guò)面積很小
2016-07-21 10:55:02
。連接性失效包括開(kāi)路、短路以及電阻值變化。這類(lèi)失效容易測(cè)試，現(xiàn)場(chǎng)失效多數(shù)由靜電放電（ESD）和過(guò)電應(yīng)力（EOS）引起。電參數(shù)失效，需進(jìn)行較復(fù)雜的測(cè)量，主要表現(xiàn)形式有參數(shù)值超出規(guī)定范圍（超差）和參數(shù)不穩(wěn)定
2016-10-26 16:26:27
方法可能出現(xiàn)的主要失效模式電應(yīng)力靜電、過(guò)電、噪聲MOS器件的柵擊穿、雙極型器件的pn結(jié)擊穿、功率晶體管的二次擊穿、CMOS電路的閂鎖效應(yīng)熱應(yīng)力高溫儲(chǔ)存金屬－半導(dǎo)體接觸的Al－Si互溶，歐姆接觸退化，pn結(jié)
2016-12-09 16:07:04
電場(chǎng)的能量達(dá)到一定程度后，擊穿其間介質(zhì)而進(jìn)行放電的現(xiàn)象就是靜電放電． 4、靜電敏感度：元器件所能承受的靜電放電電壓． 5、靜電敏感器件：對(duì)靜電放電敏感的器件． 6、接地：電氣連接到能供給或接受大量電荷
2019-07-02 06:42:48
請(qǐng)問(wèn)各位大神，在
靜電放電抗擾度試驗(yàn)中，
靜電放電發(fā)生器的直流高壓電源、充電電阻、
放電電阻、儲(chǔ)能電容器、
放電開(kāi)關(guān)、等等的各項(xiàng)具體要求是什么？比如功率，電流，耐壓值什么的。希望大家可以幫助我這個(gè)小菜鳥(niǎo)，我是剛剛開(kāi)始學(xué)習(xí)EMC。謝謝！?。?/div>
2013-12-22 15:47:30
根據(jù)不同的誘因，常見(jiàn)的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過(guò)電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
摘要：提出了一種具有深阱結(jié)構(gòu)的RF LDMOS，該結(jié)構(gòu)改善了表面電場(chǎng)分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過(guò)silvaco器件模擬軟件對(duì)該結(jié)構(gòu)進(jìn)行驗(yàn)證，并對(duì)器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長(zhǎng)進(jìn)行優(yōu)化
2019-07-31 07:30:42
。本文介紹了手機(jī)靜電放電測(cè)試的要求和方法，總結(jié)分析了手機(jī)靜電放電抗擾度試驗(yàn)的主要失效現(xiàn)象和模式， 可供手機(jī)靜電放電抗擾度試驗(yàn)及提高手機(jī)抗靜電能力設(shè)計(jì)時(shí)參考。
2019-07-25 06:51:33
隨著電子技術(shù)以及集成電路的發(fā)展，電子設(shè)備日趨小型化、多功能智能化。然而高集成度的電路元件都可能因靜電電場(chǎng)和靜電放電（ESD）引起失效，導(dǎo)致電子設(shè)備鎖死、復(fù)位、數(shù)據(jù)丟失而影響設(shè)備正常工作，使設(shè)備可靠性
2018-01-16 14:21:19
電子元器件由靜電放電引發(fā)的失效可分為突發(fā)性失效和潛在性失效兩種模式。 突發(fā)性失效是指元器件受到靜電放電損傷后，突然完全喪失其規(guī)定的功能，主要表現(xiàn)為開(kāi)路、短路或參數(shù)嚴(yán)重漂移，具體模式如：雙極型器件的射
2013-05-28 10:27:30
電子元器件由靜電放電引發(fā)的失效可分為突發(fā)性失效和潛在性失效兩種模式。 突發(fā)性失效是指元器件受到靜電放電損傷后，突然完全喪失其規(guī)定的功能，主要表現(xiàn)為開(kāi)路、短路或參數(shù)嚴(yán)重漂移，具體模式如：雙極型器件
2013-03-25 12:55:30
電子元器件的失效原理 ESD靜電放電是指靜電荷通過(guò)人體或物體放電。靜電在多個(gè)領(lǐng)域造成嚴(yán)重危害 。電子元器件由ESD靜電放電引發(fā)的失效可分為突發(fā)性失效和潛在性失效兩種模式。 突發(fā)性失效是指元器件受到
2013-12-28 10:07:36
開(kāi)關(guān)接到B時(shí)，存儲(chǔ)在電容上的電荷通過(guò)電阻（等效人體電阻）向設(shè)備放電，相當(dāng)于人體觸碰設(shè)備瞬間，放電的過(guò)程會(huì)在短短數(shù)百微秒的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生一定大小的瞬間放電電流，進(jìn)而可能會(huì)將設(shè)備內(nèi)部的器件損壞。 圖1：人體靜電
2020-05-30 07:46:12
來(lái)源：看點(diǎn)快報(bào)本篇文章主要針對(duì)靜電放電的一些難點(diǎn)進(jìn)行一個(gè)匯總，進(jìn)而進(jìn)行詳細(xì)的分析，跟著小編一起來(lái)看看吧！靜電放電ESD（Electro-Static Discharge）是EMC測(cè)試常見(jiàn)的項(xiàng)目之一
2020-10-23 09:28:57
靜電放電（ESD）理論研究的已經(jīng)相當(dāng)成熟，為了模擬分析靜電事件，前人設(shè)計(jì)了很多靜電放電模型。常見(jiàn)的靜電模型有：人體模型（HBM），帶電器件模型，場(chǎng)感應(yīng)模型，場(chǎng)增強(qiáng)模型，機(jī)器模型和電容耦合模型等
2019-05-28 08:00:00
隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的不斷演進(jìn)，以及集成電路大量的運(yùn)用在電子產(chǎn)品中，靜電放電已經(jīng)成為影響電子產(chǎn)品良率的主要因素。美國(guó)最近公布因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">靜電放電而造成的國(guó)家損失，一年就高達(dá)兩百多億美金，而光是電子產(chǎn)品部份
2019-07-25 06:45:53
), JESD22-A110； 高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL), JESD22-A108； 芯片靜電測(cè)試 ( ESD)：人體放電模式測(cè)試(HBM), JS001 ；元器件充放電模式測(cè)試(CDM), JS002 ；閂鎖測(cè)試(LU
2020-04-26 17:03:32
器件，就會(huì)造成器件失效。三、靜電產(chǎn)生的途徑1、接觸，摩擦和分離：如材料表面的分離，摩擦及低濕度；2、傳導(dǎo)：當(dāng)一個(gè)不接地的靜電導(dǎo)體接近地平面時(shí)，會(huì)有放電火花出現(xiàn)于該導(dǎo)體與接觸地面之間，從而產(chǎn)生靜電放電；3
2023-10-08 10:50:34
一般防靜電屏蔽袋袋本身不容易產(chǎn)生靜電,但當(dāng)包裝袋外部發(fā)生靜電放電時(shí)，由于其屏蔽外部ESD性能不好，包裝袋內(nèi)部的電子器件會(huì)受到外部靜電放電的影響甚至損壞對(duì)靜電非常敏感的器件
2016-03-02 11:52:03
ESD設(shè)計(jì)提出了更高的防護(hù)要求。LDMOS是功率IC的常用器件，它與低壓MOSFET一樣存在靜電泄放電流非均勻分布的問(wèn)題，因而而器件在不做任何改進(jìn)的情況下，不能充分發(fā)揮其靜電防護(hù)的潛能，是LDMOS
2016-03-03 17:54:51
[size=1em]導(dǎo)讀LDMOS是功率IC的常用器件，它作為片上靜電防護(hù)器件使用時(shí)，與低壓MOSFET一樣存在靜電泄放電流非均勻分布的問(wèn)題。該問(wèn)題是LDMOS器件靜電魯棒性提高的主要障礙。湖南靜芯
2016-03-12 14:12:31
[size=1em]導(dǎo)讀LDMOS是功率IC的常用器件，它作為片上靜電防護(hù)器件使用時(shí)，與低壓MOSFET一樣存在靜電泄放電流非均勻分布的問(wèn)題。該問(wèn)題是LDMOS器件靜電魯棒性提高的主要障礙。湖南靜芯
2016-04-06 09:24:23
隨著集成電路及電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，人體靜電放電的危害性日益引起人們的重視。首先介紹人體靜電放電模型及測(cè)試方法，然后闡述幾種新型集成化靜電放電保護(hù)器件的原理與應(yīng)
2009-08-05 15:04:54
114 本文針對(duì)LDMOS 器件在ESD 保護(hù)應(yīng)用中的原理進(jìn)行了分析，重點(diǎn)討論了設(shè)計(jì)以及應(yīng)用過(guò)程中如何降低高觸發(fā)電壓和有效提高二次擊穿電流，結(jié)合實(shí)際工藝對(duì)器件進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化，得到了
2009-12-14 09:48:5135 提出了一種適用于高低壓電路集成的LDMOS器件結(jié)構(gòu)，采用Double RESURF技術(shù)和場(chǎng)板技術(shù)，耐壓可達(dá)700伏。本文借助二維器件模擬軟件MEDICI，分析了器件的參數(shù)對(duì)擊穿電壓和導(dǎo)通電阻的影
2010-07-14 16:28:1044 靜電放電（ESD）是大家熟知的電磁兼容問(wèn)題，它可引起電子設(shè)備失靈或使其損壞。當(dāng)半導(dǎo)體器件單獨(dú)放置或裝入電路模塊時(shí)，即使
2010-08-19 12:13:0730 靜電放電發(fā)生器及電路
靜電放電的起因
&
2010-03-04 09:17:452893 
PCB設(shè)計(jì)時(shí)怎樣抗靜電放電
靜電對(duì)于精密的半導(dǎo)體芯片會(huì)造成各種損傷，例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層；損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極
2010-03-13 14:55:501661 靜電敏感器件,靜電敏感器件是什么意思
在生產(chǎn)中，人們常把對(duì)靜電反應(yīng)敏感的電子器件稱(chēng)為靜電敏感器件(Static，Sensitive Device簡(jiǎn)稱(chēng)SSD)，這類(lèi)電子器
2010-04-01 17:28:129864 內(nèi)容提要 一、何謂ESD 二、靜電的產(chǎn)生機(jī)理 三、靜電的危害 四、靜電放電模型 五、電子工作區(qū)的靜電防護(hù) 六、靜電消除方法 七、靜電接地的目的 八、靜電防護(hù)設(shè)備要求 九、人員訓(xùn)練
2011-03-23 13:39:521412 本文介紹了手機(jī)靜電放電測(cè)試的要求和方法， 總結(jié)分析了手機(jī)靜電放電抗擾度試驗(yàn)的主要失效現(xiàn)象和模式， 可供手機(jī)靜電放電抗擾度試驗(yàn)及提高手機(jī)抗靜電能力設(shè)計(jì)時(shí)參考。
2011-10-20 10:02:183375 ESD 是代表英文ElectroStatic Discharge 即靜電放電的意思。ESD 是本世紀(jì)中期以來(lái)形成的以研究靜電的產(chǎn)生與衰減、靜電放電模型、靜電放電效應(yīng)如電流熱（火花）效應(yīng)（如靜電引起的著火與
2011-11-25 14:05:43125 靜電放電（ESD）在集成電路產(chǎn)業(yè)中造成的電路失效占有相當(dāng)大的比重。隨著電路的集成度增加、柵氧厚度減薄、多電源、混合信號(hào)模塊在復(fù)雜電路中的運(yùn)用、更大的芯片寄生電容和更高
2011-12-16 14:31:48109 針對(duì)一般失效機(jī)理的分析可提高功率半導(dǎo)體器件的可靠性. 利用多種微分析手段, 分析和小結(jié)了功率器件芯片的封裝失效機(jī)理. 重點(diǎn)分析了靜電放電( electrostatic d ischarge, ESD)導(dǎo)致的功率器
2011-12-22 14:39:3267 由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效，對(duì)整機(jī)應(yīng)用的可靠性影響太大，因而有必要對(duì)CMOS器件進(jìn)行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機(jī)理，從而對(duì)設(shè)計(jì)人員提出了幾種在線路設(shè)
2012-02-02 10:53:2654 gb17626.2-1998(ESD)靜電放電抗擾度
2016-03-22 14:46:3626 現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)：靜電放電抗擾度試驗(yàn)
2016-12-09 15:10:308 靜電放電原理
2016-12-30 15:22:440 人體放電模式(Human-Body Model, HBM)產(chǎn)生的ESD是指因人體在地上走動(dòng)磨擦或其他因素在人體上已累積了靜電，當(dāng)此人去碰觸到IC時(shí)，人體上的靜電便會(huì)經(jīng)由電子元器件而進(jìn)入電子元器件內(nèi)，再經(jīng)由電子元器件放電到地去
2017-02-09 17:47:387557 
先來(lái)談靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？這應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)過(guò)度電應(yīng)力破壞的主要元兇。
2017-02-10 02:10:113974 
隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的不斷演進(jìn)，以及集成電路大量的運(yùn)用在電子產(chǎn)品中，靜電放電已經(jīng)成為影響電子產(chǎn)品良率的主要因素。美國(guó)最近公布因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">靜電放電而造 成的國(guó)家損失，一年就高達(dá)兩百多億美金，而光是電子產(chǎn)品部份
2017-11-08 15:45:0216 電場(chǎng)的能量達(dá)到一定程度后，擊穿其間介質(zhì)而進(jìn)行放電的現(xiàn)象就是靜電放電． 4、靜電敏感度：元器件所能承受的靜電放電電壓． 5、靜電敏感器件：對(duì)靜電放電敏感的器件． 6、接地：電氣連接到能供給或接受大量電荷的物體，如大地、船
2017-11-23 05:45:511087 ，因此，IGBT也是靜電極敏感型器件，其子器件還應(yīng)包括靜電放電（SED）防護(hù)器件。據(jù)報(bào)道，失效的半導(dǎo)體器件中，由靜電放電及相關(guān)原因引起的失效，占很大的比例。
2018-06-20 14:51:0015773 
靜電放電（ESD）理論研究的已經(jīng)相當(dāng)成熟，為了模擬分析靜電事件，前人設(shè)計(jì)了很多靜電放電模型。
2019-08-11 11:46:418831 
在電子產(chǎn)品制造中，靜電放電往往會(huì)損傷器件，甚至使器件失效，造成嚴(yán)重?fù)p失，因此SMT生產(chǎn)中的靜電防護(hù)非常重要。
2019-09-29 17:33:253782 靜電放電導(dǎo)致手機(jī)部分功能失效，但靜電放電過(guò)程結(jié)束后或者重新啟動(dòng)手機(jī)之后失效的功能可以恢復(fù)。這些現(xiàn)象可能為：屏幕顯示異常，如屏幕顯示呈白色、出現(xiàn)條紋、顯 示出現(xiàn)亂碼、顯示模糊等等；
2019-10-08 09:25:0311016 
全球電子元器件與開(kāi)發(fā)服務(wù)分銷(xiāo)商e絡(luò)盟推出全面的防靜電產(chǎn)品系列以保護(hù)電子元器件免受靜電放電（ESD）損壞，為客戶的制造和供應(yīng)流程提供有力支持。
2020-03-12 14:06:273048 了手機(jī)靜電放電測(cè)試的要求和方法，總結(jié)分析了手機(jī)靜電放電抗擾度試驗(yàn)的主要失效現(xiàn)象和模式，可供手機(jī)靜電放電抗擾度試驗(yàn)及提高手機(jī)抗靜電能力設(shè)計(jì)時(shí)參考。
2020-07-10 10:29:006 ．靜電電場(chǎng)的能量達(dá)到一定程度后，擊穿其間介質(zhì)而進(jìn)行放電的現(xiàn)象就是靜電放電．
4、靜電敏感度：元器件所能承受的靜電放電電壓．
5、靜電敏感器件：對(duì)靜電放電敏感的器件．
6、接地：電氣連接到能供給或接受大量電荷的物體，如大地、
2020-07-24 18:54:005 依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)IEC 61000-4-2/GBT17626.2的定義，靜電放電就是具有不同靜電電位的物體相互靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移。 當(dāng)人體穿著絕緣材料的織物并且對(duì)地絕緣時(shí)，在地面上運(yùn)動(dòng)時(shí)可能積累
2020-11-19 10:29:477975 電子產(chǎn)品在生產(chǎn)制造過(guò)程中的靜電放電損傷是引起半導(dǎo)體器件失效的重要原因。產(chǎn)品在生產(chǎn)線上出現(xiàn)批量下線時(shí)，應(yīng)當(dāng)懷疑是否由于靜電放電引起。這種情況，不僅需要對(duì)生產(chǎn)線進(jìn)行排查，而且需要對(duì)失效器件開(kāi)展深入分析
2021-01-12 21:04:0035 在電子工業(yè)中，由于產(chǎn)品的小型化，對(duì)靜電愈加敏感。器件加工中，摩擦起電、人體帶電、感應(yīng)起電都是靜電產(chǎn)生的重要方式。例如，操作者的人體與大地絕緣時(shí)，靜電為可高達(dá)1.5～35kV。如此高的靜電位一旦放電
2020-12-04 08:00:0030 介紹靜電放電的基礎(chǔ)知識(shí)。
2021-03-22 15:39:1229 采用吉時(shí)利直流參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)并配合高壓測(cè)試探針對(duì)制備的LDMOS器件進(jìn)行在片測(cè)試。利用光學(xué)顯微鏡觀察器件的具體結(jié)構(gòu)，并用探針給相應(yīng)的電極加電，只使用探針向器件柵、漏極加電，而源極直接通過(guò)襯底與金屬吸盤(pán)接地。
2021-06-07 11:15:42174 靜電放電問(wèn)題案例分析資源下載
2021-07-01 09:45:3111 在浪涌和靜電的過(guò)壓防護(hù)中，使用TVS管已經(jīng)是一個(gè)非常普遍的解決方式，有時(shí)候在前期測(cè)試沒(méi)有什么問(wèn)題，但是在實(shí)際使用中會(huì)因?yàn)閭€(gè)別TVS管失效導(dǎo)致產(chǎn)品異常的情況。這個(gè)問(wèn)題如果只是去模擬失效環(huán)境來(lái)驗(yàn)證，問(wèn)題復(fù)現(xiàn)概率極低，此時(shí)我們可以通過(guò)分析失效器件來(lái)推斷失效環(huán)境。
2022-01-04 14:10:261329 靜電放電抗擾度試驗(yàn)。模擬操作員或物體接觸設(shè)備時(shí)產(chǎn)生的放電，以及人員或物體相對(duì)于相鄰物體的放電，以測(cè)試被測(cè)設(shè)備對(duì)靜電放電的干擾能力
2022-09-05 09:48:4915 中的失效表現(xiàn)，其中選取了部分典型失效案例進(jìn)行呈現(xiàn)。 ? ESD案例分享 靜電釋放導(dǎo)致的失效主要表現(xiàn)為即時(shí)失效與延時(shí)失效兩種模式。 1.即時(shí)失效 即時(shí)失效又稱(chēng)突發(fā)失效，指的是元器件受到靜電放電損傷后，突然完全或部分喪失其規(guī)定的功能。一般較容易通過(guò)功能檢測(cè)
2023-03-13 17:02:421344 
即時(shí)失效又稱(chēng)突發(fā)失效，指的是元器件受到靜電放電損傷后，突然完全或部分喪失其規(guī)定的功能。一般較容易通過(guò)功能檢測(cè)發(fā)現(xiàn)。
2023-03-16 15:43:571546 靜電放電(ESD)是一種意外的快速高壓瞬態(tài)波形，出現(xiàn)在電路內(nèi)的導(dǎo)體上。ESD引起的高電壓和電流峰值可能導(dǎo)致靜電敏感IC等器件發(fā)生故障。人際接觸是ESD的常見(jiàn)來(lái)源。即使人與電路沒(méi)有直接接觸，電容式檢測(cè)開(kāi)關(guān)等器件也可以允許電荷耦合到電導(dǎo)體上。在ESD放電可能導(dǎo)致電路故障的情況下，需要ESD保護(hù)。
2023-06-02 09:21:03607 
靜電放電(ESD)是一種意外的快速高壓瞬態(tài)波形，出現(xiàn)在電路內(nèi)的導(dǎo)體上。ESD引起的高電壓和電流峰值可能導(dǎo)致靜電敏感IC等器件發(fā)生故障。
2023-06-02 09:21:45392 
以下幾種影響： 電壓干擾：靜電放電會(huì)引起電路中的瞬態(tài)電壓變化。這些電壓變化可能超過(guò)電路元件的額定電壓，導(dǎo)致元件失效或損壞。例如，電容器、晶體管等器件可能無(wú)法承受過(guò)高的電壓。 電流干擾：靜電放電產(chǎn)生的電流脈沖可
2023-06-07 10:27:18552 點(diǎn)擊關(guān)注，電磁兼容不迷路。靜電放電保護(hù)器件種類(lèi)與特點(diǎn)概述靜電放電(ESD)是一種意外的快速高壓瞬態(tài)波形，出現(xiàn)在電路內(nèi)的導(dǎo)體上。ESD引起的高電壓和電流峰值可能導(dǎo)致靜電敏感IC等器件發(fā)生故障。人際接觸
2022-07-02 14:37:39904 
在組裝線上，工人正在組裝敏感的電子元器件到電路板上，當(dāng)工人將帶有靜電電荷的手接觸到敏感的元器件或電路板時(shí)，靜電電荷會(huì)迅速放電，產(chǎn)生高能量的電流。這可能會(huì)損壞元器件的內(nèi)部電子元件，導(dǎo)致元器件無(wú)法正常工作或完全失效。
2023-07-14 10:25:161607 靜電放電的產(chǎn)生有兩個(gè)基本條件，一. 是電荷的積累，電荷的積累是前提，然后是“跨接”，電荷的劇烈流動(dòng)就是放電。所以從這兩個(gè)方面就行控制就能有效地防護(hù)靜電放電的產(chǎn)生。
2023-09-05 11:08:19479 
靜電放電是一種自然現(xiàn)象 ，當(dāng)兩種不同介電強(qiáng)度的材料相互摩擦?xí)r，就會(huì)產(chǎn)生靜電電荷，當(dāng)其中一種材料上的靜電荷積累到一定程度，在與另外一個(gè)物體接觸時(shí)，就會(huì)通過(guò)這個(gè)物體到大地的阻抗而進(jìn)行放電。靜電放電及影響是電子設(shè)備的一個(gè)主要干擾源。
2023-09-26 14:48:42342 
在SMT加工過(guò)程中，靜電放電會(huì)對(duì)電子元器件造成損傷或失效，隨著IC集成度的提高和元器件的逐漸縮小，靜電的影響也變得愈加嚴(yán)重。 據(jù)統(tǒng)計(jì)，導(dǎo)致電子產(chǎn)品失效的因素中，靜電占比8%~33%，而每年因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">靜電
2023-11-16 19:05:01251 
在SMT加工過(guò)程中，靜電放電會(huì)對(duì)電子元器件造成損傷或失效，隨著IC集成度的提高和元器件的逐漸縮小，靜電的影響也變得愈加嚴(yán)重。據(jù)統(tǒng)計(jì)，導(dǎo)致電子產(chǎn)品失效的因素中，靜電占比8%~33%，而每年因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">靜電
2023-11-17 08:07:49394 
靜電放電對(duì)電路的影響主要是通過(guò)電壓、電流和能量傳遞的方式產(chǎn)生的。靜電放電是由于電荷積累在物體表面，當(dāng)電荷之間或物體與接地之間存在電勢(shì)差時(shí)，會(huì)發(fā)生電荷的突然釋放，形成放電現(xiàn)象。
2023-11-21 16:28:41612 靜電放電發(fā)生器原理 靜電放電發(fā)生器的主要用途 靜電發(fā)生器怎么使用? 靜電放電發(fā)生器（Electrostatic Discharge Generator）是一種用于模擬和測(cè)試電子器件和系統(tǒng)在靜電放電
2023-11-23 10:07:22666 依據(jù)靜電放電產(chǎn)生原因及其對(duì)集成電路放電方式的不同，靜電放電模型可分成以下四類(lèi)模型：1、人體放電模型(HBM,Human-BodyModel)、2、機(jī)器放電模型(MM,MachineModel
2023-11-24 08:13:23243 
各有不同。本文將詳細(xì)介紹ESD失效和EOS失效的區(qū)別。 首先，讓我們先來(lái)了解一下ESD失效。ESD失效是指由于靜電放電引起的電子元件或電路的損壞。靜電放電可以在日常生活中產(chǎn)生，例如人體與地面之間摩擦?xí)r產(chǎn)生的靜電放電。當(dāng)人們接觸電子器件時(shí)，這些放
2023-12-20 11:37:023071 ESD靜電的危害與失效類(lèi)型及模式？|深圳比創(chuàng)達(dá)電子
2023-12-21 10:19:12407 
控制靜電放電的三個(gè)基本原則? 控制靜電放電是一項(xiàng)關(guān)鍵的工程問(wèn)題，尤其是在現(xiàn)代工業(yè)中。靜電放電不僅可能損壞電子設(shè)備和電子元件，還可能引發(fā)火災(zāi)和爆炸等安全問(wèn)題。為了有效地控制靜電放電，我們需要遵循三個(gè)
2024-01-03 11:00:40389 2024-01-03 11:43:27229 如何從利用靜電防護(hù)器件來(lái)降低ESD危害？ 靜電防護(hù)器件，也稱(chēng)為ESD防護(hù)器件，用于降低和控制靜電放電對(duì)電子設(shè)備、電路和元件造成的危害。靜電防護(hù)器件起到了連接靜電產(chǎn)生、傳遞以及分散的作用，有效地
2024-01-03 13:42:35219 ESD靜電放電有幾種主要的破壞機(jī)制 ESD失效的原因? 靜電放電(ESD)是由于靜電的積累導(dǎo)致電荷突然放電到不同電勢(shì)的物體上而引起的一系列現(xiàn)象。ESD可能對(duì)電子設(shè)備和電路產(chǎn)生不可逆的破壞，因此對(duì)于
2024-01-03 13:42:481274 半導(dǎo)體器件在使用過(guò)程中最常見(jiàn)的失效模式之一，就是靜電放電和電浪涌引起對(duì)器件造成的損傷。其破壞性是嚴(yán)重的，已成了影響元器件可靠性最大的隱患，因而其實(shí)際的防治最重要，但又非常容易疏忽而不被認(rèn)識(shí)和重視。
2024-03-04 14:29:37244 
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