傳統(tǒng)的雙極晶體管是一種電流驅(qū)動(dòng)型放大器，對(duì)其信號(hào)放大特性的分析以小注入電流為主，即在共發(fā)射極工作狀態(tài)時(shí)，輸入很小的基極電流就能控制輸出端的集電極電流而獲得很大的功率增益。
2024-01-15 10:35:03
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管在芯片中的作用講起：開(kāi)關(guān)電源芯片就是利用電子開(kāi)關(guān)器件如晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、閘流管等，通過(guò)控制電路，使電子開(kāi)關(guān)器件不停地“接通”和“關(guān)斷”，讓電子開(kāi)關(guān)器件對(duì)輸入電壓進(jìn)行脈沖調(diào)制，維持穩(wěn)定輸出電壓
2019-04-01 11:54:28
如果平衡電阻與發(fā)射極串聯(lián)，則雙極晶體管（BJT）可以并聯(lián)連接。隨著溫度的升高，BJT通常會(huì)變得更具導(dǎo)電性。以下MMBT2222A數(shù)據(jù)表中的示例顯示了該器件的典型增益如何隨溫度在允許的工作范圍內(nèi)變化而
2018-10-26 14:45:42
:dodo1999@vip.163.com雙極晶體管陣列 (BJT)DMMT5401-7晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 200 mA, SOT-26封裝, 300 MHz, 6引腳規(guī)格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
: ID例：開(kāi)關(guān)雙極晶體管2SD2673時(shí)的波形(100μs/div)由于隨后要計(jì)算開(kāi)關(guān)時(shí)的功率損耗，所以要確認(rèn)OFF→ON時(shí)和ON→OFF時(shí)的擴(kuò)大波形。2. 是否一直滿足絕對(duì)最大額定值？確認(rèn)絕對(duì)最大
2019-04-15 06:20:06
` 《晶體管電路設(shè)計(jì)（下）》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)。本書(shū)作為下冊(cè)主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率
2019-03-06 17:29:48
雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí)，與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)？
這個(gè)問(wèn)題困擾
2024-02-21 21:39:24
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺(jué)這兩本書(shū)挺好的，發(fā)上來(lái)給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開(kāi)關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
晶體管電路設(shè)計(jì)叢書(shū)上冊(cè)晶體管電路設(shè)計(jì)(pdf電子書(shū)下載):是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)。本書(shū)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2009-11-20 09:41:18
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶體管的分類(lèi) Si晶體管的分類(lèi)根據(jù)不同分類(lèi)角度，有幾種不同的分類(lèi)方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類(lèi)如下。其中，本篇的主題“功率類(lèi)”加粗/涂色表示。 雙極晶體管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
不同分類(lèi)角度，有幾種不同的分類(lèi)方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類(lèi)如下。其中，本篇的主題“功率類(lèi)”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號(hào)型，IGBT原本是為處理大功率而開(kāi)發(fā)
2018-11-28 14:29:28
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開(kāi)關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
晶體管的品種繁多，不同的電子設(shè)備與不同的電子電路，對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來(lái)選擇不同用途，不同類(lèi)型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理（例如
2012-01-28 11:27:38
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請(qǐng)注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒(méi)有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
電子工程師必備基礎(chǔ)知識(shí)手冊(cè)：功率晶體管
2012-08-20 09:00:42
電子產(chǎn)品中，近年來(lái)逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
您好，為了模擬ADS軟件中基于雙極晶體管的電路，我們將基板與發(fā)射器連接，還是允許空氣？謝謝 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文hello,to simulate a circuit based
2018-12-18 16:11:14
AP1684 Ac / Dc，高Pf，高效率LED驅(qū)動(dòng)器控制器的典型應(yīng)用。 AP1684是一款高性能AC / DC功率因數(shù)校正LED驅(qū)動(dòng)器控制器，可驅(qū)動(dòng)高壓雙極晶體管。該器件采用脈沖頻率調(diào)制（PFM
2019-10-18 08:46:36
晶體管ILD0912M150HV功率晶體管ILD0912M15HV功率晶體管ILD0912M400HV功率晶體管ILD0912M60功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購(gòu)產(chǎn)臺(tái)聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 09:41:49
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 10:29:42
`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管，專(zhuān)為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 當(dāng)在VCC = 50V的模式S脈沖突發(fā)條件下以C類(lèi)模式運(yùn)行時(shí)，此通用基本設(shè)備可提供
2021-04-01 10:11:46
ILD2731M60功率晶體管ILD2735M120功率晶體管IB2856S250功率晶體管IB2856S30功率晶體管IB2856S65功率晶體管IB2931MH155功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購(gòu)產(chǎn)臺(tái)聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 09:48:36
IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率晶體管IB0912L30功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購(gòu)產(chǎn)臺(tái)聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:03:31
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫(xiě)，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類(lèi)為功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫(xiě)，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類(lèi)為功率
2019-03-27 06:20:04
IGN1011L1000R2功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購(gòu)產(chǎn)臺(tái)聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:35:32
晶體管IB450S300功率晶體管IB450S500功率晶體管IDM500CW200功率晶體管IDM500CW300功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購(gòu)產(chǎn)臺(tái)聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 09:57:55
15989509955 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司MAPRST0912-50一個(gè)射頻功率晶體管。這些高功率晶體管是理想的航空電子，通信，雷達(dá)，以及工業(yè)，科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用。優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品:MACOM放大器/QORVO放大器濾波器
2018-08-09 09:57:23
MRF1004MB硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF1004MB報(bào)價(jià)MRF1004MB代理MRF1004MB咨詢熱線MRF1004MB現(xiàn)貨,王先生15989509955 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司
2018-08-09 10:01:09
)耦合器/ADI放大器數(shù)模轉(zhuǎn)換器陀螺儀產(chǎn)品型號(hào)：MRF317產(chǎn)品名稱：硅雙極晶體管MRF317產(chǎn)品特性保證性能在150兆赫，28伏直流電：輸出功率＝100瓦，最小增益＝9分貝高可靠性應(yīng)用的金金屬化系統(tǒng)
2018-08-07 17:02:08
(IPP)耦合器/ADI放大器數(shù)模轉(zhuǎn)換器陀螺儀產(chǎn)品型號(hào)：MRF321產(chǎn)品名稱：硅雙極晶體管MRF321產(chǎn)品特性保證性能在400兆赫，28伏直流電：輸出功率＝10瓦，功率增益＝12分貝min.，效率＝50
2018-08-08 11:12:43
/ADI放大器數(shù)模轉(zhuǎn)換器陀螺儀產(chǎn)品型號(hào)：MRF327產(chǎn)品名稱：硅雙極晶體管MRF327產(chǎn)品特性保證性能@ 400兆赫，28伏直流電：輸出功率＝80瓦以上225至400兆赫頻段，最小增益＝7.3分貝@ 400
2018-08-08 11:22:49
MRF422硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF422報(bào)價(jià)MRF422代理MRF422MRF422現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司MRF422主要用于高功率線性放大器的設(shè)計(jì)，從2到30 MHz優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品
2018-10-09 12:10:05
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒(méi)有清晰的界限。對(duì)硅LDMOS晶體管的耐用性測(cè)試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
的切換速度可達(dá)100GHz以上。雙極晶體管 雙極晶體管（bipolar transistor）指在音頻電路中使用得非常普遍的一種晶體管。雙極則源于電流系在兩種半導(dǎo)體材料中流過(guò)的關(guān)系。雙極晶體管根據(jù)
2010-08-13 11:36:51
`內(nèi)容簡(jiǎn)介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
）
場(chǎng)效應(yīng)晶體管
因此，這是理想的，因?yàn)樗鼈儾粫?huì)干擾它們所連接的原始電路功率元件。它們不會(huì)導(dǎo)致電源負(fù)載下降。FET 的缺點(diǎn)是它們無(wú)法提供與雙極晶體管相同的放大效果。
雙極晶體管的優(yōu)勢(shì)在于它們提供了更大的放大能力
2023-08-02 12:26:53
的電荷量變化小于一個(gè)電子，則不會(huì)有電流通過(guò)量子點(diǎn)。因此，電流-電壓關(guān)系不是正常的線性關(guān)系，而是階梯形關(guān)系。該實(shí)驗(yàn)是歷史上第一次手動(dòng)控制電子的運(yùn)動(dòng)，為制造單個(gè)電子晶體管提供了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。》 絕緣柵雙極晶體管
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)。本書(shū)作為下冊(cè)主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)
2017-06-22 18:05:03
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問(wèn)對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門(mén)輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門(mén)電源需要更多的電力。輸入晶體管開(kāi)關(guān)。 晶體管開(kāi)關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢？
2022-01-14 07:02:41
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
、電壓用示波器確認(rèn)晶體管上的電壓、電流。需要全部滿足規(guī)格書(shū)上記載的額定值，特別應(yīng)該確認(rèn)下列項(xiàng)目。特別應(yīng)該確認(rèn)的項(xiàng)目晶體管的種類(lèi)電壓電流雙極晶體管集電極發(fā)射極間電壓 : VCE集電極電流 : IC數(shù)字晶體管
2019-05-05 09:27:01
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
2012-08-20 08:57:47
一個(gè)級(jí)聯(lián)，功率器件是JFET，級(jí)聯(lián)中的下部晶體管是MOSFET。級(jí)聯(lián)碼的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)不可訪問(wèn)，與IGBT相同。因此，只能影響打開(kāi)，而不能影響關(guān)閉！可以快速關(guān)閉柵極處的MOSFET，但器件的關(guān)斷方式不會(huì)
2023-02-20 16:40:52
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
轉(zhuǎn)換器在穩(wěn)態(tài)周期內(nèi)的工作和損耗擊穿3KW LLC 諧振轉(zhuǎn)換器根據(jù)上述損耗分析，可以對(duì)不同的初級(jí)晶體管和不同的開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行比較，以評(píng)估效率和功率密度的性能。設(shè)計(jì)了一個(gè)輸出為48V的3KW半橋LLC諧振
2023-02-27 09:37:29
求購(gòu)雙極晶體管BD249C，NPN，30個(gè)，要求現(xiàn)貨。2-4天能到北京
2019-07-23 05:27:32
低熱阻：0.2℃/W 運(yùn)用GaNonSiC高電子遷移率晶體管(HEMT)完成的零碎劣勢(shì)包括： 具有簡(jiǎn)化阻抗婚配的單端設(shè)計(jì)，替代需求額定分解的較低功率器件 最頂峰值功率和功率增益，可增加零碎
2012-12-06 17:09:16
針對(duì)可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來(lái)制造具有高開(kāi)關(guān)頻率的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來(lái)制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類(lèi)拓?fù)?。本文中，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開(kāi)關(guān)損耗、更佳的壓擺率控制和改進(jìn)的器件保護(hù)。
2020-10-27 06:43:42
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
絕緣柵雙極晶體管基礎(chǔ)IGBT結(jié)構(gòu)及工作原理IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率
2009-05-24 16:43:05
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發(fā)展1947年的圣誕前某一天，貝爾實(shí)驗(yàn)室中，布拉頓平穩(wěn)地用刀片在三角形金箔上劃了一道細(xì)痕，恰到好處地將頂角一分為二，分別接上導(dǎo)線，隨即準(zhǔn)確地壓進(jìn)鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
類(lèi)型的晶體管的工作方式大致相同。但是，由于 IGBT 結(jié)合了 BJT 的低導(dǎo)通損耗和功率 MOSFET 的高開(kāi)關(guān)速度，存在一個(gè)最佳的固態(tài)開(kāi)關(guān)，這是理想的電力電子應(yīng)用。另外，IGBT 具有比等效
2022-04-29 10:55:25
所需的組件，降低系統(tǒng)成本，提高可靠性?！ ∮w凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應(yīng)用和氣象觀察應(yīng)用的L波段雷達(dá)系統(tǒng)。雷達(dá)系統(tǒng)在特定頻率范圍內(nèi)發(fā)射高能電子脈沖，然后檢測(cè)脈沖
2018-11-29 11:38:26
`作者：Mountain 畢業(yè)于燕山大學(xué)，獲學(xué)士學(xué)位。工作5年多，一直從事醫(yī)療檢測(cè)及分析儀器設(shè)備相關(guān)的硬件電路設(shè)計(jì)工作。最初接到李老師的邀請(qǐng)要寫(xiě)一篇晶體管使用心得的時(shí)候，內(nèi)心著實(shí)惶恐了一陣，畢竟
2016-06-03 18:29:59
絕緣柵雙極晶體管（IGBT)
基礎(chǔ)知識(shí)絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)1986年投
2009-04-14 22:13:396003 
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
一．絕緣柵雙極晶
2009-05-12 20:42:001282 
絕緣柵雙極晶體管原理、特點(diǎn)及參數(shù)
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
2009-10-06 22:56:595422 
絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有
2009-11-05 11:40:14604
雙極晶體管
2009-11-07 10:44:021352 絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件
2010-03-04 15:54:154927 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管是什么意思
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（Hetero-junction Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱HBT)基區(qū)(base)異質(zhì)結(jié)SiGe外延(圖1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:554866 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來(lái)控制。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:465920 雙極晶體管屬于電流控制器件，即加入變動(dòng)的基極電流，產(chǎn)生集電極電流的變動(dòng)。
2011-03-03 11:40:34
150 功率雙極晶體管的損耗是開(kāi)關(guān)電源總損耗中的最多的器件之一， 采用10M eV電子輻照來(lái)降低功率雙極晶體管的下降延時(shí)， 以此來(lái)降低功率雙極晶體管的關(guān)斷損耗。在一個(gè)典型的充電器開(kāi)關(guān)電源中， 85 V 交流
2019-09-15 04:36:001810 
本文將介紹雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)。雙極晶體管是雙極型結(jié)型晶體管（BJT）的簡(jiǎn)稱，在電力半導(dǎo)體中，也稱作大功率晶體管（GTR），在現(xiàn)代電力電子變換器中大多已經(jīng)被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現(xiàn)代功率器件的結(jié)構(gòu)。
2018-03-05 16:12:1422941 
本期介紹：本期ROHM君想與大家一同學(xué)習(xí)絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認(rèn)識(shí)其原理及其應(yīng)用。IGBT是一種功率開(kāi)關(guān)晶體管，它結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，用于電源和電機(jī)控制電路 該絕緣柵雙極晶體管
2022-12-08 16:01:261315 雙極晶體管（BJT）是最基礎(chǔ)的集成電路器件之一，在集成電路發(fā)展史中起著重要的作用。因?yàn)檫@種晶體管工作時(shí)，電子和空穴兩種載流子均參與導(dǎo)電，所以被稱為雙極性結(jié)型晶體管，簡(jiǎn)稱雙極晶體管。
2022-09-07 09:27:162454 100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32C
2023-02-20 19:35:381 80 V、1 A NPN 功率雙極晶體管-BCX56T_SER
2023-02-20 19:40:370 60 V、1 A NPN 功率雙極晶體管-BCX55T_SER
2023-02-20 19:40:500 45 V、1 A NPN 功率雙極晶體管-BCX54T_SER
2023-02-20 19:41:030 80 V、1 A PNP 功率雙極晶體管-BCX53T_SER
2023-02-20 19:41:140 60 V、1 A PNP 功率雙極晶體管-BCX52T_SER
2023-02-20 19:41:260 45 V、1 A PNP 功率雙極晶體管-BCX51T_SER
2023-02-20 19:41:430 絕緣柵雙極晶體管也簡(jiǎn)稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:291491 
針對(duì)未來(lái)智慧功率器件和模組中需要集成實(shí)時(shí)溫度傳感功能的需求，團(tuán)隊(duì)提出了一種具有空穴通道和溫度傳感功能的低導(dǎo)通損耗的新型載流子存儲(chǔ)溝槽柵雙極晶體管(HP-CSTBT)。
2023-10-25 10:53:02579 
絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡(jiǎn)史
2023-11-24 14:45:34407 
【科普小貼士】什么是雙極晶體管（BJT）？
2023-12-13 14:38:56403 
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