非對稱算法，你了解多少呢？
2022-09-05 21:07:42
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加熱、不停電電源、焊接等方面。非對稱晶閘管與二極管反并聯(lián)可用于逆變電路.若藉要高反向阻斷時(shí)，非對稱晶閘管可串聯(lián)一個(gè)二極管來使用l全文下載
2010-05-04 08:06:51
8050的情況下，補(bǔ)碼通常是8550。8050和8550晶體管的技術(shù)額定值通常是相同的。區(qū)別在于它們的極性。它們共同允許電流安全地流過無線電和無線電，從而為傳輸提供動力，并允許在用戶端實(shí)現(xiàn)多種功能
2023-02-16 18:22:30
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請各位大俠指點(diǎn)！??！
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數(shù)對電路設(shè)計(jì)的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)
2012-04-19 06:47:38
晶體管參數(shù)測量技術(shù)報(bào)告摘 要晶體管的參數(shù)是用來表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo)，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測試系統(tǒng)，該系
2012-08-02 23:57:09
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個(gè)開關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設(shè)計(jì)（下）》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時(shí)，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
晶體管放大器設(shè)計(jì)掌握晶體管放大器靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置與調(diào)整方法、放大器基本性能指標(biāo)的測試方法、負(fù)反饋對放大器性能的影響及放大器的安裝與調(diào)試技術(shù)。[重點(diǎn)與難點(diǎn)]重點(diǎn)：阻容耦合共射極放大器的靜態(tài)工作的設(shè)置
2009-03-20 10:02:58
供應(yīng)晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》是“圖解實(shí)用電子技術(shù)叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設(shè)計(jì)和制作進(jìn)行詳細(xì)敘述；然后利用可在微機(jī)上使用的模擬器“SPICE”對設(shè)計(jì)的結(jié)果進(jìn)行模擬?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》中介
2018-01-15 12:46:03
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對交流（變化）信號的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如(1)開關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
型號。 8．帶阻晶體管的選用帶阻晶體管是錄像機(jī)、影碟機(jī)、彩色電視機(jī)中常用的晶體管，其種類較多，但一般不能作為普通晶體管使用，只能“專管專用”。 選用帶阻晶體管時(shí)，應(yīng)根據(jù)電路的要求（例如輸入電壓的高低、開關(guān)
2012-01-28 11:27:38
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管排列和符號在解釋原理之前，我們先來了解一下NPN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和符號。要識別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結(jié)構(gòu)和符號NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
NPT2020射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT2020報(bào)價(jià)NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, MACOM公司的開關(guān)和衰減器專用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》是“圖解實(shí)用電子技術(shù)叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設(shè)計(jì)和制作進(jìn)行詳細(xì)敘述；然后利用可在微機(jī)
2021-01-05 22:38:36
`內(nèi)容簡介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊。《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來說，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
晶體管通道完全閉合；二維過渡金屬二硫化物受損于其比透明導(dǎo)電氧化物還低的載流子遷移率?！ ≡谛录悠?麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟，正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料：GaN。從光學(xué)角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
達(dá)林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
，拐角處的電場總是被放大。這可以通過在角落使用硝酸鹽層來最小化。 制造成本高 鰭式場效應(yīng)晶體管演進(jìn) 現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)是CMOS晶體管。在過去的17年中，CMOS技術(shù)在制造和建筑中使用的材料方面
2023-02-24 15:25:29
電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)
2017-06-22 18:05:03
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
普通單片機(jī)可以處理非對稱加密算法嗎？速度如何？求大神解答
2015-09-17 12:38:26
請教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
做了一個(gè)單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個(gè)問題請教于各位高手。1：開關(guān)初始時(shí)刻是閉合的時(shí)候，點(diǎn)擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時(shí)刻，開關(guān)打開，點(diǎn)擊仿真后，點(diǎn)擊開關(guān)閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
晶體管開關(guān)對電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
本文系統(tǒng)地介紹了 C2000 Concerto 系列非對稱雙核 MCU 的基礎(chǔ)知識和重要特點(diǎn)。
2021-04-02 06:02:42
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號？常見的晶體管的電路符號有哪幾種？
2021-10-29 07:04:27
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?！鰯?shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
有沒有關(guān)于晶體管開關(guān)的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場上確立了自己的地位，但在軟開關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
我想知道 NXP 是否提供了使用加密模塊實(shí)現(xiàn)非對稱密鑰導(dǎo)入（RSA 或 ECC）的示例？
RTD 中的示例僅實(shí)現(xiàn)對稱密鑰導(dǎo)入 (AES)。
2023-04-28 06:54:24
什么是對稱密鑰密碼體制？對稱密鑰密碼體制的缺點(diǎn)是什么？非對稱加密算法又是什么？非對稱加密算法的缺點(diǎn)是什么？
2021-12-23 06:05:12
` 引言 在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場的應(yīng)用場景中，提升效率極限一或兩個(gè)百分點(diǎn)依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢
2021-01-19 16:48:15
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
采用晶體管互補(bǔ)對稱輸出時(shí)，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
Qorvo 的 QPD2730 是一種非對稱 doherty 功率晶體管，工作頻率范圍為 2.575 至 2.635 GHz。它提供 223 瓦的峰值 doherty 功率、36 瓦的平均功率
2022-10-19 10:39:10
用光學(xué)技術(shù)測量三維非對稱溫度場
2010-07-26 15:54:46
11 ，GaNC4H27W400AVYC4H27W400AVY 功率氮化鎵晶體管400 W GaN 封裝非對稱 Doherty 功率晶體管，適用于頻率為 2300 MHz 至 2700 MHz 的基站
2024-02-29 14:00:41
非對稱式多諧振蕩器是
2008-06-11 10:35:456324 
可輸入非對稱方波的倍頻器
2009-04-11 10:22:41685 
什么是非對稱數(shù)字用戶線(ADSL)
概述 ADSL是DSL的一種非對稱版本，它利用數(shù)字編碼技術(shù)從現(xiàn)有銅質(zhì)電話線上獲取最大數(shù)據(jù)傳輸容量,同
2010-04-06 09:17:205903 JAVA教程之非對稱加密，很好的JAVA的資料，快來下載吧。
2016-04-13 10:18:236 對稱加密算法在加密和解密時(shí)使用的是同一個(gè)秘鑰；而非對稱加密算法需要兩個(gè)密鑰來進(jìn)行加密和解密，這兩個(gè)秘鑰是公開密鑰（public key，簡稱公鑰）和私有密鑰（private key，簡稱私鑰）與對稱
2017-12-10 10:38:1021396 
QPD2731是由預(yù)匹配的、離散的GaN SiC HEMT構(gòu)成的非對稱Doherty功率放大器。該裝置工作在2.5至2.7 GHz。
2018-07-31 11:30:008 基于MasterGaN?平臺的創(chuàng)新優(yōu)勢，意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品，是一個(gè)適用于軟開關(guān)有源鉗位反激拓?fù)涞腉aN集成化解決方案。 2021
2021-01-20 11:20:442816 現(xiàn)有設(shè)計(jì)要與更高性能的放大器之間實(shí)現(xiàn)平滑過渡，必須采用下列設(shè)計(jì)選項(xiàng)：在載頻和峰值器件之間應(yīng)用1dB非對稱電平，優(yōu)化內(nèi)部匹配網(wǎng)絡(luò)來允許寬帶放大器設(shè)計(jì)（是規(guī)定帶寬的3倍）。此外，為提高視頻帶寬（VBW），減少對存儲器的影響，抑制調(diào)整和簡化放大器設(shè)計(jì)人員的現(xiàn)場工作，專門設(shè)計(jì)了特定偏置電路，集成在晶體管中。
2021-05-05 11:12:001573 
非對稱封裝的電源芯片的焊盤和鋼網(wǎng)設(shè)計(jì)建議
2022-10-28 11:59:440
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