華為P10內(nèi)存門(mén)是指什么？

　　近日華為 P10 的內(nèi)存門(mén)瞬間引發(fā)互聯(lián)網(wǎng)關(guān)注，究竟華為出現(xiàn)了什么問(wèn)題？?jī)?nèi)存門(mén)是指什么？我們先來(lái)回顧下。

　　事源于此，早期有網(wǎng)友在使用工具對(duì)自己的華為 P10 進(jìn)行存儲(chǔ)速度讀取的測(cè)試后發(fā)現(xiàn)，其內(nèi)存讀取速度僅為 300MB / s，和官方宣傳的數(shù)據(jù)大相徑庭，但此事并未被重視。此后陸續(xù)有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)自己也遇到類似的情況，相同兩臺(tái) P10 手機(jī)，但測(cè)試結(jié)果卻完全不同。

　　圖為網(wǎng)友針對(duì)華為P10進(jìn)行存儲(chǔ)測(cè)試的結(jié)果。

　　于是在華為論壇上，大家通過(guò)安卓平臺(tái)的開(kāi)發(fā)工具，證實(shí)華為 P10 的存儲(chǔ)芯片有 eMMC5.1、UFS 2.0 和 UFS 2.1三種版本，甚至內(nèi)存都還有 LPDDR 3 的情況，當(dāng)然彼此的速度也有天大的差異。

　　所以用戶就開(kāi)始質(zhì)疑了，華為 P10 為什么發(fā)布時(shí)宣稱支持 UFS 2.1 ，但實(shí)際發(fā)售中卻存在 eMMC 5.1的版本？是為了控制功耗還是降低成本？目前華為針對(duì)這一事件并沒(méi)有做出任何回應(yīng)。

　　首先我們解釋下，eMMC 和 UFS 一樣，都是針對(duì)存儲(chǔ)器所訂的一種標(biāo)準(zhǔn)，而這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)就來(lái)自于彼此的速度差異，例如 eMMC 5.1 的讀取速度為 600MB / s，但 UFS 2.1 的讀寫(xiě)速度理論上可以達(dá)到1400MB / s，不僅比eMMC有更巨大的優(yōu)勢(shì)，甚至能夠讓電腦上使用的SSD也相形見(jiàn)絀。所以目前我們主流的千元機(jī)大多用的都是 eMMC 5.0 / 5.1 的存儲(chǔ)規(guī)格，而旗艦機(jī)型現(xiàn)在大多都會(huì)優(yōu)先考慮UFS 2.0 或 2.1 標(biāo)準(zhǔn)。

　　從圖中我們可以看到，UFS 2.x 的性能是非常強(qiáng)大的，不論讀取速度還是寫(xiě)入速度，都要大幅領(lǐng)先 eMMC。

　　其中他們的原理也非常容易理解，UFS 使用的是串行接口總線，并且它支持全雙工運(yùn)行，可同時(shí)讀寫(xiě)操作，還支持指令隊(duì)列。eMMC 是半雙工，讀寫(xiě)必須分開(kāi)執(zhí)行，指令也是打包的，所以在速度上就已經(jīng)是略遜一籌了。

　　不過(guò)針對(duì)華為 P10 的內(nèi)存門(mén)事件，也有業(yè)內(nèi)人士表示，華為 P10 內(nèi)存門(mén)其實(shí)并不算大事，這種事情在手機(jī)行業(yè)時(shí)常有。雖然華為使用的麒麟 960 芯片支持 UFS 2.1 標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)，也向下兼容 eMMC 5.1 ，但在目前存儲(chǔ)芯片集體漲價(jià)，且 UFS 2.1 存儲(chǔ)由于三星供應(yīng)緊張的關(guān)系影響，所以選擇 eMMC 并沒(méi)有特別大的問(wèn)題。

　　但該名人士也特別表示，華為 P10 在部分對(duì)外營(yíng)銷的產(chǎn)品，例如媒體評(píng)測(cè)機(jī)、體驗(yàn)機(jī)、門(mén)店零售機(jī)等渠道上使用了 UFS 2.1 存儲(chǔ)，但在對(duì)外發(fā)售的部分產(chǎn)品上則使用了 eMMC 5.2 存儲(chǔ)，容易給消費(fèi)者造成無(wú)形的誤區(qū)，以為這幾個(gè)版本的體驗(yàn)基本一致。

　　此外還有爆料，部分機(jī)子采用的是LDDR3而不是LDDR4，我們也給大家做一個(gè)簡(jiǎn)單比較：LPDDR4可提供32Gbps的帶寬，為DDR3 RAM的2倍。更快速的RAM意味著應(yīng)用的啟動(dòng)速度更快，這對(duì)于在執(zhí)行多任務(wù)時(shí)啟動(dòng)重量級(jí)應(yīng)用至關(guān)重要。由于輸入/輸出接口數(shù)據(jù)傳輸速度最高可達(dá)3200Mbps，是通常使用的DDR3 DRAM的兩倍，新推出的8Gb LPDDR4內(nèi)存可以支持超高清影像的拍攝和播放，并能持續(xù)拍攝2000萬(wàn)像素的高清照片。

　　與LPDDR3內(nèi)存芯片相比，LPDDR4的運(yùn)行電壓降為1.1伏，堪稱適用于大屏幕智能手機(jī)和平板電腦、高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的最低功耗存儲(chǔ)解決方案。以2GB內(nèi)存封裝為例，比起基于4Gb LPDDR3芯片的2GB內(nèi)存封裝，基于8Gb LPDDR4芯片的2GB內(nèi)存封裝因運(yùn)行電壓的降低和處理速度的提升，最大可節(jié)省40%的耗電量。同時(shí)，新產(chǎn)品的輸入/輸出信號(hào)傳輸采用三星獨(dú)有的低電壓擺幅終端邏輯（LVSTL， Low Voltage Swing Terminated Logic），不僅進(jìn)一步降低了LPDDR4芯片的耗電量，并使芯片能在低電壓下進(jìn)行高頻率運(yùn)轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)了電源使用效率的最優(yōu)化。

　　由此可見(jiàn)LPDDR4比LPDDR3更省電些，速度也更快一些。